Площадь - эмиттер
Cтраница 3
Предполагается, что конструктивные размеры триода, не учтенные выражением ( VIII. Это касается, например, соотношения площадей эмиттера и коллектора, обеспечивающего максимальное приближение к одномерному случаю, и правильного выбора формы и места укрепления базового вывода. Естественно, что, чем дальше от эмиттерного и коллекторного электродов будет укреплен вывод базы, тем более длинный путь придется проделать зарядам в объеме германия. Сопротивление базы при этом возрастает. [31]
Как известно, на высоких частотах начинает резко проявляться эффект оттеснения носителей заряда к краям эмиттера. В результате плотность тока определяется не площадью эмиттера, а его периметром. [32]
Стремление максимально уменьшить указанные емкости привело к созданию сложных по конфигурации ( многоэмиттерных) структур, учитывающих эффект вытеснения тока к краям р-я-перехода при р: юте на высоких частотах. В таких структурах обеспечивается при большом периметре мь-лая площадь эмиттера. [33]
Влияние этих токов на работу транзистора различно. Постоянные составляющие приводят к смещению рабочих точек и перераспределению плотности тока по площади эмиттера. Прохождение постоянных токов через переменное сопротивление приводит к появлению переменного напряжения, которое прикладывается к электронно-дырочным переходам транзистора, приводя к появлению обратной связи. [34]
Влияние этих токов на работу транзистора различно. Постоянные составляющие приводят к смещению рабочих точек и перераспределению плотности тока по площади эмиттера. Прохождение постоянных токов через переменное сопротивление приводит к появлению переменного напряжения, которое прикладывается к электронно-дырочным переходам транзистора, приводя к появлению обратной связи. [35]
 |
Принцип, действия полупроводникового тетрода. Контакт с потенциалом - 6 б, помещенный напротив вывода базы, отталкивает электроны, сокращая эффективное сечение базы. [36] |
Действительно, эти емкости подобны ячейкам в решете, которое способно удержать только крупные орехи, а если попытаться наполнить его горохом, то он весь высыплется... Следовательно, чтобы наш транзистор работал на высоких частотах, нужно уменьшить площади эмиттера и коллектора. Ведь это должно уменьшить их емкости. [37]
Влияние этих токов на работу транзистора различно. Постоянные составляющие приводят к смещению рабочих точек и перераспределению плотности тока по площади эмиттера. Прохождение постоянных токов через переменное сопротивление приводит к проявлению переменного напряжения, которое прикладывается к р-п-переходам транзистора, приводя к появлению обратной связи. [38]
Особенно сильно проявляется этот эффект в момент включения. В результате дырки, инжектированные эмиттером, достигают коллектора не по всей площади эмиттера, а по тонкому кольцу. [39]
Влияние этих токов на работу транзистора различно. Постоянные составляющие приводят к смещению рабочих точек и перераспределению плотности тока по площади эмиттера. Прохождение постоянных токов через переменное сопротивление приводит к проявлению переменного напряжения, которое прикладывается к p - n - переходам транзистора, приводя к появлению обратной связи. [40]
 |
Выходные ВАХ ( а и временные зависимости токов и коллектора ( б для мощных высоковольтных транзисторов. [41] |
Максимальные плотности тока эмиттера в таких транзисторах порядка 100 А / см2, поэтому площадь эмиттера транзисторов на токи 10 - 100 А может составлять 0 1 - 1 см2 и более. [42]
Недостаток схем с диодным смещением заключается в том, что для фиксации токов используют отношение площадей эмиттеров транзисторов, которое следует выбирать не больше пяти. [43]
 |
Упрощенные структуры дрейфовых транзисторов. [44] |
Сравнивая структуры дрейфового и бездрейфового транзисторов ( см. рис. 4 - 3), видим, что они заметно различаются. А именно, дрейфовый транзистор значительно более несимметричен: коллекторный слой много толще двух других слоев, велика разница в площадях эмиттера и коллектора, по существу отсутствует пассивная область базы. Все эти особенности обусловлены тем, что в случае дрейфовых транзисторов исходная пластина полупроводника служит основной для создания слоев базы и эмиттера, а сама она в дальнейшем играет роль коллектора, тогда как в случае бездрейфо-вых ( сплавных) транзисторов исходная пластина служит основной для создания слоев эмиттера и коллектора, а сама она в дальнейшем играет роль базы. [45]
Страницы: 1 2 3 4