Поведение - свободный электрон
Cтраница 1
Поведение свободных электронов и дырок в полупроводнике напоминает поведение молекул газа. [1]
 |
Схема переходов электрона. [2] |
Поведение свободных электронов и дырок в полупроводнике напоминает поведение молекул газа. Эта аналогия может быть распространена и на явления, происходящие при отклонении рас-пределения концентрации носителей от равновесной. Как известно, в случае появления неравномерного распределения концентрации молекул газа она выравнивается за счет процесса диффузии. [3]
Поведение свободных электронов и дырок в полупроводнике напоминает поведение молекул газа. [4]
 |
К объяснению циклотронного вать электрон в постоянном резонанса магнитном поле как два гар. [5] |
Рассмотрим качественно поведение свободного электрона в этих условиях. [6]
Говоря о поведении свободных электронов в металле, необходимо подчеркнуть следующее. Движение свободных электронов в металле - процесс сложный. Совокупность всех электронов, находящихся в данный момент времени в свободном состоянии, удерживается в нем очень непродолжительное время. В течение этого времени электроны находятся вне пределов атомов и интенсивно участвуют в тепловом движении, которое сопровождается большим числом взаимных столкновений. При встрече свободного электрона с положительно заряженным ионом может произойти их слияние. Кроме того, не исключена возможность, что свободный электрон в момент встречи прилипнет к нейтральному атому. Существование этих противоположных процессов приводит к тому, что в любом металле концентрация свободных электронов п ( их число в единице объема) всегда строго постоянна и не зависит от внешних факторов, в частности, от температуры. Постоянство концентрации обусловливается тем, что в любой момент времени в металле существует динамическое равновесие между вновь возникающими свободными электронами и электронами, в состав того или иного иона. [7]
Рассмотрим задачу о поведении свободного электрона в решетке, на поверхности которой адсорбирован атом А, находящийся в состоянии слабой гомеополярной связи с поверхностью. Мы имеем в данном случае двухэлектронную задачу: валентный электрон атома А, осуществляющий связь, плюс свободный электрон решетки. [8]
Возможен двоякий подход к рассмотрению поведения свободных электронов в поле низкочастотного излучения: 1) во-первых, можно провести классический расчет движения отдельных электронов в волновом поле и затем перейти к рассмотрению статистического поведения газа таких электронов; 2) можно с самого начала рассмотреть поведение системы - газ свободных электронов газ фотонов. [9]
Почему первая функция используется для описания поведения свободных электронов в газовом разряде, тогда как вторая требуется при описании поведения свободных электронов в металле. [10]
 |
Ход функций ф и. [11] |
Рассмотренный пример имеет много общего с задачей о поведении свободных электронов в металле. Разумеется, металлу соответствует трехмерный п ч енциальньш нщпк. [12]
 |
Энергетическая плотность состояний для полупроводников различного типа. [13] |
Квантовомеханическое рассмотрение показывает, что поведение электронов частично заполненной зоны аналогично поведению свободных электронов. [14]
Мы пока не располагаем достаточной информацией, чтобы понять значение отклонений от поведения свободных электронов, наблюдаемых у висмута и рубидия. Температурная зависимость эффекта Холла - важная величина, так как она содержит указание на то, как меняется с изменением температуры концентрация положительных или отрицательных носителей в материале. Таким образом, если увеличение температуры ведет к освобождению из локализованных. Холла с увеличением температуры должен стать более отрицательным. Величина коэффициента Холла, соответствующая состоянию свободных электронов, должна слегка увеличиваться с повышением температуры в связи с температурной зависимостью атомного объема. [15]
Страницы: 1 2 3