Магнитное поведение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Есть люди, в которых живет Бог. Есть люди, в которых живет дьявол. А есть люди, в которых живут только глисты. (Ф. Раневская) Законы Мерфи (еще...)

Магнитное поведение

Cтраница 3


Итак, настало время применить тот арсенал знаний, который мы накопили при построении собственных функций и собственных значений энергии парамагнитного иона в кристалле для анализа его магнитного поведения, хотя следует заметить, что некоторые важные выводы в этом отношении мы уже успели по ходу дела получить.  [31]

32 Влияние увеличения напряженности АО электростатического поля симметрии Oh на величину t2g - eg - расщепления ( интервал а-б. Влияние искажения октаэд - рического расположения лигандов на расщепление уровней ( интервал б-в. [32]

Хотя подробное обсуждение магнитных свойств будет проведено ниже, здесь следует только указать, что предсказание, сделанное на основе теории кристаллического поля, о постепенном изменении магнитного поведения более согласуется с опытными фактами, нежели скачкообразное изменение, предсказанное теорией валентных связей.  [33]

Итак, настало время применить тот арсенал знаний, который мы накопили при построении собственных функций и собственных значений энергии парамагнитного иона в кристалле для анализа его магнитного поведения, хотя следует заметить, что некоторые важные выводы в этом отношении мы уже успели по ходу дела получить.  [34]

Из множества ромбических антиферромагнетиков ( [ 1.8, табл. 28.1 ]) были рассмотрены лишь отдельные примеры - такие, которые дают возможность продемонстрировать наиболее характерные типы магнитного поведения антиферромагнетиков.  [35]

Для сверхпроводника, не имеющего отверстий, требование равенства нулю магнитной индукции В внутри него означает, что, будучи помещен в магнитное поле, он не должен захватывать поток. Магнитное поведение такого образца чрезвычайно просто но сравнению с рассмотренными выше случаями.  [36]

Для сверхпроводника, не имеющего отверстий, требование равенства нулю магнитной индукции В внутри него означает, что, будучи помещен в магнитное поле, он не должен захватывать поток. Магнитное поведение такого образца чрезвычайно просто по сравнению с рассмотренными выше случаями.  [37]

Это предел, к которому стремится [ л Эф, когда hvj. Данный тип магнитного поведения важен как предельный случай в первом ряду переходных элементов, когда орбитальный вклад в магнитный момент не погашен. Промежуточные случаи редки и имеют малое значение.  [38]

Интересно отметить, что здесь металлы группы железа и платины выступают как нульвалентные. Это доказывает их магнитное поведение: если в чистой форме они парамагнитны, то в сплавах становятся диамагнитными, так как их свободные электроны теперь служат для заполнения d - орбиталей.  [39]

Они обнаружили, что измеренные величины очень близки к величинам, предсказанным на основе теории РККИ, а эффективные парамагнитные моменты в ряде случаев совпадают с теоретической величиной, рассчитанной для иона. При низких температурах магнитное поведение соединений с Се, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Но и Ег связывают с антиферромагнитньш упорядочением.  [40]

Эта связь между Н и М есть специфическое свойство каждого данного вещества. Она характеризует как раз его магнитное поведение.  [41]

Эта связь между Н и М есть специфическое свойство каждого данного вещества. Она характеризует как раз его магнитное поведение.  [42]

Истинной анизотропией более высокого порядка, по сравнению с одноосной, является магнитокристаллическая анизотропия. Известно, что для малых приложенных полей магнитное поведение двух или более одноосных областей ( или пленок), связанных магнитостатическим или иным способом, может быть интерпретировано в терминах псевдодвуосной, трехосной или n - осной анизотропии. Однако при строго контролируемых условиях в присутствии больших приложенных полей поведение таких пленок может быть описано только в терминах суммарной одноосной анизотропии, так как ( см. ранее) корректное сложение одноосных анизотропии всегда дает другую одноосную анизотропию.  [43]

Если ограничиться обсуждением только общих магнитных свойств, в частности, если воспользоваться экспериментально определенными значениями магнитной восприимчивости ( и, следовательно, вычисленными магнитными моментами) только для установления числа неспаренных электронов, достаточно будет исходить из приближения валентных связей, хотя теории поля лиган-дов и молекулярных орбиталей настолько же просты и позволяют провести более детальное исследование. Так как исторически метод валентных связей сыграл значительную роль в изучении магнитного поведения комплексов, мы кратко рассмотрим его. Используемая в этом методе терминология применима для обсуждения и других вопросов, например, реакционной способности комплексов ( ом.  [44]

Прежде чем выяснять, каким образом эту информацию удалось получить, нужно рассмотреть типы магнитного поведения комплексов.  [45]



Страницы:      1    2    3    4