Cтраница 3
Схема экспериментальной установки для определения е, . [31] |
Свет от ртутной лампы при помощи конденсора 7 фокусируется на поверхности исследуемого образца, установленного перпендикулярно оптической оси монохроматора. [32]
Важно также и то обстоятельство, что падающий свет на поверхности исследуемого образца может частично рассеиваться или отражаться. [33]
Третье условие, обязательное для любых электронномикроско-пических исследований - чистота поверхности исследуемого образца. Степень чистоты исследуемой поверхности определяет прочность отпечатка. Если на поверхности металлического шлифа остаются продукты травления, частицы абразивных материалов или другие загрязнения, то в дальнейшем они, попадая на отпечаток, могут вызвать его разрушение не только во время исследования в электронном микроскопе, но даже во время подготовки его к просмотру. Кроме того, различные загрязнения, как уже отмечалось выше, вызывают затемнение структуры, передаваемой отпечатком, а также изменение активности травления шлифа в данном месте, что маскирует истинную структуру металла, выявляемую травлением. Поэтому в процессе приготовления и после травления шлиф обязательно подвергают тщательной промывке. [34]
Существует ряд методов измерения контактной разности потенциалов ( КРП) между поверхностями исследуемого образца и образца сравнения, но в действительности всегда измеряется разность потенциалов двух образцов, связанная с достижением электронного равновесия и выравниванием уровней Ферми. Поэтому контактная разность потенциалов равна разности работ выхода. Рассмотрим только два метода. [35]
Микроскоп сравнения является простым оптическим прибором, в поле зрения которого одновременно видны поверхности исследуемого образца и образца с известной шероховатостью. [36]
Для получения первичного отпечатка используется процесс полимеризации жидкого мономера метилметакрилата, залитого на поверхность исследуемого образца. [37]
В числителе приведены значения АКРП через 10 мин после нанесения раствора ПАВ на поверхность исследуемого образца, в знаменателе - через 60 мин. [38]
Косвенным экспериментальным критерием равенства а единице является независимость скорости сублимации от степени шероховатости поверхности исследуемого образца. Это вытекает из анализа, выполненного в работе [395], в которой показано, что если а 1, то шероховатость не оказывает влияния на скорость сублимации с открытой поверхности. [39]
Весьма возможно также, что эти частицы представляют собой отображение мельчайших капель влаги, адсорбированной поверхностью исследуемого образца или же выделяющейся из недостаточно осушенного метилметакрилата при полимеризации. [40]
Поскольку при этом весьма важно знать необходимую степень разрежения, обеспечивающую отсутствие видимых окислов на поверхности исследуемых образцов при заданном режиме испытания, а также гарантирующую в соответствии с задачами эксперимента выявление высокотемпературного строения изучаемого материала, обратимся к рассмотрению некоторых особенностей поведения металлов и сплавов при их нагреве в рабочих камерах установок для тепловой микроскопии. [41]
Во всех случаях, когда это допускается испытаниями, горячий спай термопары рекомендуется прикреплять к поверхности исследуемого образца точечной электросваркой. Однако при каждой приварке термопары и последующем ее отделении от образца спай частично разрушается. Как показала практика, один и тот же спай выдерживает не больше трех-четырех креплений к образцу и отделений от него, после чего требуется новая сварка королька термопары. [42]
Наиболее резкий максимум наблюдается при Яо 8 3 мм при расстоянии среза приемно-излучающей антенны от поверхности исследуемого образца / 1 2 мм. Для определения диэлектрической анизотропии полимерных материалов и положения главных осей вращают исследуемый образец относительно оси антенны или антенну относительно исследуемого участка изделия. [43]
В зависимости от роли поверхностных и объемных дефектов в снижении прочности ее значение определяется объемом или поверхностью исследуемого образца. [44]
В электронном микроскопе изображение поверхности во вторичных частицах создается благодаря развертке сфокусированного пучка электронов ( зонда) по поверхности исследуемого образца. [45]