Поверхность - кристалл
Cтраница 2
Поверхности кристаллов могут стать влажными по нескольким причинам - в продукте могут содержаться следы растворителя, оставшиеся вследствие неэффективной сушки, влага может попасть и из внешних источников. [16]
Поверхность кристаллов, образовавшихся в единице исходного раствора ко времени т от начала кристаллизации ( после затравливания или самозатравливания), вычисляется следующим образом. [17]
Поверхность кристалла - это область, где сосредоточено наибольшее число дефектов как геометрических, так и химических. [18]
 |
Модель полукристаллического положения. [19] |
Поверхность кристалла частично покрыта осажденными атомами металла. Верхний ряд заполнен неполностью. Первое вакантное положение в этом ряду и называется полукристаллическим положением. [20]
Поверхность кристаллов, образовавшихся в единице исходного раствора ко времени т с начала кристаллизации ( после затравливания или самозатравливания раствора), вычисляется следующим образом. [21]
Поверхность кристалла приобретает при этом отрицательный заряд. [22]
Поверхность кристалла приобретает при этом отрицательный заряд. [23]
Поверхность кристалла 4Не при низких темп - pax в зависимости от ее ориентации относительно осей кристалла может находиться либо в квантово-шероховатом, либо в классич. Атомно-гладкая поверхность не обладает свойством бездиссипа-тивной кристаллизации; соответственно К. [24]
Поверхность кристалла и поверхность фасетки электронейтральны. В этом случае выражение ( 8) обращается в нуль, и для оценки величины ионной составляющей потенциала необходимо учитывать члены более высокого порядка малости. [25]
Поверхность кристалла и поверхность фасетки имеют заряд. [26]
Поверхность кристалла электронейтральна, а поверхность фасетки имеет заряд. Тогда первый член выражения ( 8) обращается в нуль, и величина Uu определяется площадью поверхности фасетки, а также ее геометрией. [27]
 |
Углеродная реплика со скола гранулы цеолита США 4A - XW фирмы Линде. Оттенена платиной. [28] |
Поверхность кристаллов не гладкая и, по-видимому, покрыта слоем какого-то вещества, по виду не похожего на слой глины, вводимой в отечественные цеолиты. Прежде всего обращает на себя внимание тот факт, что кристаллы здесь примерно на порядок меньше по размерам, чем в ранее рассмотренных образцах, и в то же время отличаются широким распределением по размерам. Кристаллы имеют далеко не завершенную кубическую форму, содержат много фигур и ступеней роста. Слоя связующего материала на кристаллах не заметно. Местами встречаются значительные по площади гладкие участки, причина появления которых остается неясной. [29]
Поверхность кристаллов и даже внутренние их части-это места, где происходит непрерывный процесс обмена ионов кристалла с ионами в растворе. Если равновесие еще не достигнуто, число ионов, оседающих на кристалле, больше числа ионов, покидаюших кристалл. В конце концов такой обмен приводит к образованию равновесной системы: совершенный кристалл-насыщенный раствор. До этого состояния каждый ион, несовершенно расположенный в кристаллической решетке, имеет большую склонность переходить в раствор в процессе обмена, чем другие ионы; он более активный, его растворимость больше. В результате этого кристалл принимает все более совершенную форму и его растворимость уменьшается. Мелкие кристаллы имеют на своей поверхности больше активных мест ( грани, углы), и активность их выше; они более растворимы, чем крупные кристаллы, и быстрее растворяются; в результате этого средний размер кристаллов с течением времени увеличивается. [30]
Страницы: 1 2 3 4