Поверхность - кристалл
Cтраница 4
 |
При ограниченномртервичном пучке / отдельные частные волны г, d и т. д. пространственно разделяются. [46] |
Вблизи поверхности кристалла мы имеем сложное волновое поле, представляющее собой результат интерференции всех пучков. Вдали же от кристалла пучки разделяются. [47]
Если поверхность кристалла не ортогональна оси легчайшего намагничивания, то решение ( 11) с s, параллельным поверхности на границе кристалла, удовлетворяющее тем же самым условиям на больших расстояниях от нее, может быть построено точно таким же способом. [48]
На поверхности кристалла, почти параллельной плоскости ( 111), Эльмор наблюдал менее четкую картину, состоящую из изогнутых полосок, с некоторым преимуществом направлений, соответствующих слоим, близким к плоскостям ( 100) или ( 010); это находится в качественном согласии с высказанными выше утверждениями. [49]
На поверхности кристалла возникают трещины, которые постепенно растут, проникают внутрь и благодаря распространению этих трещин связи разрываются не одновременно, а последовательно. [50]
Сама поверхность кристалла также является нарушением правильности его периодического строения. [51]
На поверхности кристаллов преимущественно адсорбируются ионы, идентичные ионам, образующим кристаллическую решетку, либо сходные с ними. В рассматриваемом случае будут адсорбироваться ионы 1 -, и поверхность кристалликов Agl приобретает отрицательный заряд. [52]
На поверхности кристаллов преимущественно адсорбируются ионы, идентичные ионам, образующим кристаллическую решетку, либо сходные с ними. В рассматриваемом случае будут адсорбироваться ионы I -, и поверхность кристалликов Agl приобретает отрицательный заряд. [53]
На поверхности кристаллов преимущественно адсорбируются ионы, идентичные ионам, образующим кристаллическую решетку, либо сходные с ними. В рассматриваемом случае будут адсорбироваться ионы 1 -, и поверхность кристалликов Agl приобретает отрицательный заряд. [54]
На поверхности кристаллов преимущественно адсорбируются ионы, идентичные ионам, образующим кристаллическую решетку, либо сходные с ними. В рассматриваемом случае будут адсорбироваться ионы I, и поверхность кристалликов Agl приобретает отрицательный заряд. [55]
 |
Схема строения коллоидной мицеллы ( а и изменения потенциала ( в в двойном электрическом слое. [56] |
На поверхности кристаллов преимущественно адсорбируются ионы, идентичные ионам, образующим кристаллическую решетку, либо сходные с ними. В рассматриваемом случае будут адсорбироваться ионы 1 -, и поверхность кристалликов Agl приобретает отрицательный заряд. [57]
Страницы: 1 2 3 4