Поверхность - кристалл
Cтраница 3
Поверхность кристаллов и даже внутренние их части-это места, где происходит непрерывный процесс обмена ионов кристалла с ионами в растворе. Если равновесие еще не достигнуто, число ионов, оседающих на кристалле, больше числа ионов, покидающих кристалл. В конце концов такой обмен приводит к образованию равновесной системы: совершенный кристалл-насыщенный раствор. До этого состояния каждый ион, несовершенно расположенный в кристаллической решетке, имеет большую склонность переходить в раствор в процессе обмена, чем другие ионы; он более активный, его растворимость больше. В результате этого кристалл принимает все более совершенную форму и его растворимость уменьшается. Мелкие кристаллы имеют на своей поверхности больше активных мест ( грани, углы), и активность их выше; они более растворимы, чем крупные кристаллы, и быстрее растворяются; в результате этого средний размер кристаллов с течением времени увеличивается. [31]
Поверхность кристалла, выращенного из расплава с избытком оксида иттрия, покрыта редкой сетью бороздок глубиной до 0 05 см. Кристалл, выращенный из расплава стехиометрического состава, покрыт более развитыми субпараллель - ными бороздками глубиной до 0 1 см. У кристаллов, выращенных из расплавов, обогащенных оксидом алюминия, вся боковая поверхность протравлена, бороздки сливаются между собой, образуя густую сеть. [32]
Поверхность кристалла, выращенного из расплава с избытком оксида иттрия, покрыта редкой сетью бороздок глубиной до 0 05 см. Кристалл, выращенный из расплава стехиометрического состава, покрыт более развитыми субпараллельными бороздками глубиной до 0 1 см. У кристаллов, выращенных из расплавов, обогащенных оксидом алюминия, вся боковая поверхность протравлена, бороздки сливаются между собой, образуя густую сеть. [33]
 |
Полярная диаграмма поверхностной энергии. [34] |
Поверхность кристалла также входит в двумерные дефекты. Отнесения ее к числу дефектов требуют и формальные соображения ( нарушение периодичности расположения элементов структуры), и искажение в расположении частиц вблизи поверхности раздела по сравнению с их расположением вдали от нее. Например, для грани куба галоидов щелочных металлов установлено [ Де Бур Я. [35]
Поверхность кристалла приобретает при этом отрицательный заряд. [36]
 |
Изменение состав.. щелоков на Соликамской химической фабрике в процессе растворения сильвинита при 100. [37] |
Поверхность кристаллов галита с малой долей растворения может быть опре-деле. [38]
 |
Схема экспериментального исследования дифракции электронов. [39] |
Сошлифованная поверхность кристалла покрыта правильными рядами атомов. Ее можно рассматривать как совокупность линейных решеток; при этом постоянная решетки в различных азимутах неодинакова: например, в азимуте Л она равна 2 15 А, а в азимуте С-124 А. [40]
Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем ( 0 1 мкм) двуокиси кремния, являющейся хорошим диэлектриком. На слой диэлектрика нанесен металлический электрод - затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. [41]
Различно-ориентированные поверхности кристаллов характеризуются различными кривыми: плотность тока - потенциал. [42]
Макроскопически округлая поверхность кристалла всегда состоит из ступеней различной высоты и протяженности. Для обозначения точек ( узлов), направлений ( ребер) и поверхностей ( граней) в кристаллическом теле существует индексация. [43]
На поверхности кристалла также возможно образование атом-вакансионных состояний, так как поверхностный слой характеризуется сильными статическими смещениями и сопряжен с кристаллической подложкой. Поэтому многие проблемы поверхности целесообразно рассматривать в рамках представлений об атом-вакан-сионных состояниях. Данное обстоятельство в основном определяет аномально высокую активность ультрадисперсных систем, природу каталитической активности, аморфизацию Поверхности при ионной имплантации и др. Области атом-вакансионных состояний - основ -, ной источник дислокаций и точечных дефектов в деформируемых кристаллах. Возникновение таких областей в нагруженном кристалле обусловливает поворотные моды деформации, микродеформацию ниже предела текучести, ползучесть и хрупкое разрушение конструкционных материалов в условиях нейтронного облучения, CBCJX-пластичность материалов в определенных условиях нагружения, усталостное разрушение при циклическом его характере. [44]
Когда поверхность кристалла загрязнена либо же интенсивней захват на поверхностные экситонные уровни ( см. гл. [45]
Страницы: 1 2 3 4