Поверхность - полупроводниковый материал
Cтраница 1
Поверхность полупроводникового материала находится в непосредственном контакте с окружающей ее средой. У большинства полупроводниковых приборов отклонение поверхностных свойств полупроводника от объемных неблагоприятно отражается на их рабочих характеристиках, снижает стабильность параметров во времени и при изменении температуры. [1]
На поверхности полупроводниковых материалов могут адсорбироваться атомы и молекулы различных веществ, что изменяет электрическое состояние поверхности и параметры р-п переходов. [2]
На поверхности полупроводниковых материалов обычно образуется трудно удаляемая оксидная пленка. [3]
Для улучшения смачиваемости поверхности полупроводникового материала электродным сплавом желательно, чтобы максимальная температура сплавления была высокой. [4]
Для стабилизации состояния поверхности полупроводниковых материалов р-п переходы защищают от воздействия окружающей среды. В качестве защитных материалов используют лаки, эмали, компаунды, окисные и кремнийорганические пленки, вазелины и различные влагопоглотители. [5]
Известно [3, 5], что состояние поверхности полупроводникового материала оказывает определенное влияние на свойства границы раздела кремний-диэлектрик. Используя известный способ изменения поверхностного заряда - адсорбцию на поверхности полупроводника полярных органических соединений, - были проведены вольтфарадные измерения МДП-систем с различной обработкой поверхности исходных пластин кремния. В данном случае в качестве адсорбируемой примеси использовался один из аминов ароматического ряда - анилин, в качестве диэлектрика в МДП-системе - метилтриацетоксисилан. [6]
 |
Спектральное отражение стекла KRS-5 с однослойными пленками различной толщины. [7] |
Последнее качество позволяет использовать окисные пленки на поверхности полупроводниковых материалов не только для изменения их оптических свойств, но и как защитные. [8]
Рентгеновский способ основан на отражении рентгеновских лучей от поверхности полупроводникового материала. Интенсивность отраженных рентгеновских лучей зависит от плотности упаковки данной плоскости; чем больше эта плотность, тем интенсивнее отражение рентгеновских лучей. Поскольку плоскость ( 111) наиболее плотно упакована атомами, ей соответствует и большая интенсивность отраженных лучей. Кристаллографические плоскости полупроводниковых материалов характеризуются определенными углами отражения падающих на них рентгеновских лучей. Большее же применение для ориентации стержней находит оптический способ. [9]
Величина порогового напряжения ( / сильно зависит от чистоты поверхности полупроводникового материала. [10]
Все сказанное выше подчеркивает необходимость специальной очистки и обработки поверхности полупроводникового материала для обеспечения стабильности параметров микросхемы и длительного срока ее службы. [11]
 |
Конструктивная схема ультразвукового реэаняя.| Кинематическая схема резания алмазным резцом. [12] |
Выделяющаяся энергия передается крупинкам абразивного порошка, которые в свою очередь разрушают поверхность полупроводникового материала. [13]
Полупроводниковая ИМС - это микросхема, элементы которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводникового материала. Обычно это пластина кристалла полупроводника - кремния, называемая подложкой. [14]
 |
Схема установки для контролируемого травления. [15] |
Страницы: 1 2 3