Cтраница 3
Интегральные схемы ( ИС) - это микроэлектронные изделия, состоящие из пассивных и активных компонентов ( диоды, транзисторы) и соединительных проводников. Их изготовляют в едином технологическом процессе в объеме или на поверхности полупроводникового материала, электрически соединяют между собой и заключают в общий корпус. [31]
Состояния, расположенные на границе раздела кремний - двуокись кремния, менее чувствительны к воздействию окружающей среды и зависят от качества обработки поверхности подложки и процесса выращивания окисла. Таким образом, любые несовершенства, возникающие при химической обработке поверхности полупроводникового материала, влияют на плотность поверхностных состояний. [32]
Несовершенство теории точечно-контактных приборов объясняется их сложной геометрией, а также тем, что процессы электрической формовки и явления на поверхности германия изучены недостаточно. Эмиттерный и коллекторный переходы точечно-контактных приборов расположены в непосредственной близости от поверхности полупроводникового материала, и изменение поверхностных условий может приводить к существенным изменениям параметров прибора, необъяснимым с точки зрения теории. [33]
Интегральная микросхема представляет собой функциональный узел или узлы, либо часть узла, элементы которого ( диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы) изготовлены на основе единой пластины полупроводникового материала. По технологическому признаку микросхемы разделяют на полупроводниковые и гибридные. В первых из них все элементы выполняют внутри или на поверхности полупроводникового материала. Соединения между элементами осуществляют с помощью проводников, наносимых методами напыления или химическим. [34]
Если переход в полупроводнике смещен, результирующий индуцированный ток позволяет получить отчетливую картину перехода. Этот метод настолько точен, что с его помощью можно видеть инверсионные слои и наблюдать картину падения потенциала в интегральных резисторах, исследовать поверхность пассивирующего окисла, анализировать качество напыленных выводов и контактов, изготовленных термокомпрессией золотой проволоки. К типичным дефектам, определяемым этим методом, относятся плохое совмещение и низкое качество оксидной маскировки для диффузии, царапины на поверхности полупроводникового материала и окисла, дефекты в напыленных межэлектродных соединениях и дефекты в пассивирующем оксидном слое. [35]
Получаемые таким методом пленки аморфны, прочно закрепляются на поверхности полупроводникового материала и могут служить в качестве надежных защитных масок. Авторы считают, что таким образом могут быть получены не только пленки чистой двуокиси кремния, но и пленки с определенным содержанием примесей В, Ga, P, As, Sb и других веществ, которые могут быть введены во время химического переноса. [36]
Широко известна роль химии поверхности и адсорбции при поглощении отравляющих веществ и в гетерогенном катализе. С химией поверхности связана коррозия, приводящая к огромным потерям материалов и авариям и требующая создания устойчивых защитных покрытий. Химическое модифицирование поверхностей природных и искусственных материалов, наполнителей полимеров, формующих устройств для изделий из полимеров, строительных материалов, в частности полимерных, может придать этим поверхностям совершенно новые свойства. Например, химическая прививка к поверхности гидрофильного материала углеводородных групп делает эту поверхность устойчиво гидрофобной. Химия поверхности полупроводниковых материалов и изделий для микроэлектроники играет важную роль в современных электронных приборах. Химическое модифицирование поверхности используется и в этих случаях. [37]
Такую структуру называют МДП-структурой или МОП-структурой, если в качестве диэлектрика используется оксидная пленка. Представим эту структуру согласно схеме, показанной на рис. 9.15: электронный полупроводник - в виде зонной диаграммы, металл - в виде пластинки, а слой диэлектрика - в виде зазора между ними. Пусть в исходном состоянии поверхностный заряд полупроводника отсутствует, и границы зон расположены горизонтально. Эта структура аналогична строению плоского конденсатора, одной обкладкой которого служит металл, другой - полупроводник. Если к металлической обкладке приложить положительный полюс источника, то заряд этой обкладки должен быть скомпенсирован отрицательным зарядом, наведенным на противолежащей обкладке - поверхности полупроводникового материала. [38]
Технологический процесс наклейки пластин на оправку и снятия с нее состоит в следующем. Оправку подогревают на электрической плитке до температуры плавления клеящей мастики, наносят на оправку тонкий слой мастики и сверху накрывают стеклянной пластинкой. Стеклянную пластинку накладывают для того, чтобы можно было полностью прорезать образец, не повредив оправки. На другую сторону стеклянной пластинки также наносят тонкий слой мастики и на него накладывают пластину по - - лупроводника. После этого сборку охлаждают до комнатной температуры. При охлаждении клеящая мастика застывает и надежно сцепляется с поверхностью стекла, металла оправки и поверхностью полупроводникового материала. [39]