Поверхность - полупроводниковый материал
Cтраница 2
Сушка в лучах инфракрасной и ультрафиолетовой области спектра значительно ускоряет процессы испарения влаги с поверхности полупроводникового материала. В сочетании с конвейерной подачей эти установки позволяют значительно повысить производительность операции. [16]
Полупроводниковые интегральные микросхемы, все элементы которых в ыполнены в объеме и ( или) на поверхности полупроводникового материала, обеспечивают еще большую плотность компоновки. Каждая из таких схем представляет собой монолитный блок без внешней коммутации между элементами. [17]
До последнего времени общепринятым считалось, что нестабильность полупроводниковых приборов связана с явлениями, происходящими, на поверхности полупроводниковых материалов. [18]
Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, элементы которой выполнены в объеме и ( или) на поверхности полупроводникового материала. [19]
Хорошо известно, что для получения высоких и стабильных значений электрических параметров полупроводникового прибора необходима тщательная обработка поверхности полупроводникового материала. Обработка поверхности - одна из наиболее ответственных операций в производстве приборов - направлена, в первую очередь, на удаление слоя полупроводникового материала, разрушенного в процессе механической резки и шлифования, на очистку поверхности от окислов и загрязнений, и на снятие зако-роток, шунтирующих электронно-дырочные переходы. [20]
Полупроводниковая интегральная микросхема представляет собой монолитное функциональное устройство, элементы которого изготовлены в одном объеме и ( или) на поверхности полупроводникового материала. При создании микросхемы отдельным микроучасткам полупроводникового материала путем специальной обработки придают свойства, соответствующие функциям активных ( диоды, транзисторы) и пассивных ( резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) элементов. Размеры элементов измеряются единицами и десятками микрометров. Все элементы, созданные в кристалле полупроводникового материала, электрически изолированы друг от друга. Их соединение осуществляют частично в объеме кристалла, частично на поверхности защитного слоя. [21]
При изготовлении некоторых триодов, в том числе триодов рассматриваемых двух типов, после получения омических контактов производится дальнейшая промежуточная обработка поверхности полупроводникового материала при помощи химического или электрохимического травления. [22]
 |
Схема измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов четырехзондовым методом. [23] |
В схеме измерения этим методом ( рис. 24) применяют четыре зонда, из которых два крайних задают ток через образец, а двз средних служат для измерения величин потенциалов в точках их касания с поверхностью полупроводникового материала. [24]
В ряде работ, вышедших за последнее время, показано, что действительной проводимостью полимеров с системой сопряженных связей является электронная проводимость [3], а наблюдаемая обычно на опыте энергия активации и дырочный тип проводимости обусловлены главным образом адсорбцией электроноакцепторных веществ на поверхности полупроводниковых материалов. [25]
Поверхность полупроводникового материала находится в непосредственном контакте с окружающей ее средой. [26]
Иногда эти покрытия наносят на заготовки германия и кремния перед тем, как их разрезают на пластинки заданного размера. Различные методы очистки поверхности полупроводниковых материалов и нанесения гальванических покрытий описаны а гл. [27]
При механической обработке поверхности полупроводниковых материалов образуются на-рушелные слои, отличающиеся по своей структуре от глубинных слоев монокристалла. Толщину нарушенного слоя можно оценить по изменению скорости травления при стадийном растворении механически обработанных образцов, поскольку механически обработанная поверхность травится быстрее, чем совершенный монокристалл. Постоянство скорости травления указывает на полное снятие нарушенного слоя. Скорость травления определяется по уменьшению толщины образца в единицу времени. Образец взвешивают на аналитических весах с точностью до 10 - 4 г. При использовании - грабителей, содержащих плавиковую кислоту, необходима фторопластовая посуда. Оба травителя являются полирующими. [28]
При механической обра ботке поверхности полупроводниковых материалов образуются нарушенные слои, отличающиеся по своей структуре от глубинных слоев монокристалла. Толщину нарушенного слоя можно оценить по изменению скорости травления при стадийном растворении механически обработанных образцов, поскольку механически обработанная поверхность травится быстрее, чем совершенный монокристалл. Постоянство скорости травления указывает на полное снятие нарушенного слоя. Скорость травления определяется по уменьшению толщины образца в единицу времени. Образец взвешивают на аналитических весах с точностью до 10 - 4 г. При использовании травителей, содержащих плавиковую кислоту, необходима фторопластовая посуда. Оба травителя являются полирующими. [29]
По технологии изготовления интегральные схемы ( ИС) подразделяются на полупроводниковые и гибридные. Элементы полупроводниковых ИС формируются в объеме или на поверхности полупроводникового материала - подложки. Элементы гибридных ИС выполняются в виде пленок, наносимых на поверхность подложки, а некоторые из них имеют самостоятельное конструктивное оформление. [30]
Страницы: 1 2 3