Cтраница 1
Поверхность обрабатываемого материала должна быть перпендикулярна оси вращения сверла. [1]
Падающий на поверхность обрабатываемого материала световой поток частично отражается, а основная часть его поглощается электронами проводимости в поверхностном слое материала, увеличивая их энергию. Электроны передают энергию кристаллической решетке, вызывая нагрев, плавление и испарение металла. Нагрев при СЛО ведется в импульсном режиме. При удельной мощности 107 - 108 Вт / см2 тепловое воздействие луча вызывает разрушение нагреваемого материала за время одного импульса. Разрушения происходят по механизму взрывного объемного вскипания с выносом материала в виде паров и капель. Вскипанию способствуют растворенные в материале газы. В результате на участке воздействия лазерного луча формируется лунка. [2]
На л2 поверхности обрабатываемого материала расходуется 0 2 - 20 г сорбита кальция и 1 - 20 г полинипилацетата. [3]
На 1 л 2 поверхности обрабатываемого материала расходуется 0 2 - 20 г сорбата кальция и 1 - 20 г поливинилацетата. [4]
Электрохимическая обработка позволяет очищать поверхности обрабатываемых материалов от окислов, ржавчины, жировых пленок и других загрязнений, а также сглаживать, доводить, шлифовать и полировать поверхности деталей. [5]
Лазерное излучение позволяет сконцентрировать на поверхности обрабатываемого материала наибольшую плотность энергии из рассматриваемых источников тепла. Эту энергию можно передавать материалу бесконтактно, быстро и строго дозированно. [6]
При работе вращающимися резцами на поверхности обрабатываемого материала получаются волны. Длина волны равна подаче на один резец лишь при абсолютно точной установке лезвий всех резцов вращающегося инструмента. [7]
Этот вид обработки позволяет очищать поверхности обрабатываемых материалов от окислов, ржавчины, жировых пленок и других загрязнений, а также сглаживать, доводить, шлифовать и полировать поверхности-заготовки. [8]
Этот метод обработки позволяет очищать поверхности обрабатываемых материалов от окислов, ржавчины, жировых пленок и других загрязнений, а также сглаживать, доводить, шлифовать и полировать поверхности заготовки. [9]
Изменение микротвердости в зоне лазерного легирования по глубине. [10] |
Исследования показали, что процесс насыщения поверхности обрабатываемого материала легирующим элементом можно регулировать в довольно широких пределах, изменяя параметры режима обработки. В частности, режим легирования влияет на содержание легирующего элемента в матрице и глубину зоны легирования. Основными параметрами при этом являются длительность, энергия и форма импульса ОКГ, количество импульсов лазерного излучения, подаваемых в одну зону. [11]
Расход аминосилана составляет 60 г на 1 ж2 поверхности обрабатываемого материала. [12]
Используемые различными авторами методы силанизации отличаются способом нанесения ДМХС на поверхность обрабатываемого материала и способом последующего удаления образующейся в результате реакции соляной кислоты. Материал носителя предварительно промывают кислотой и водой и затем сушат для полного удаления воды. Температура сушки и ее продолжительность зависят от материала, который подвергнут обработке; кизельгур, например, сушат 24 ч при 120 С. [13]
Такие вещества, называемые абразивными материалами, обладают способностью снимать с поверхности обрабатываемого материала слой в виде мельчайших стружек. Важнейшим свойством абразивных материалов является высокая твердость. [14]
Согласно третьей гипотезе, основными при полировании полупроводников являются химические процессы на поверхности обрабатываемого материала. Даже увеличение среднего размера частиц абразива в этом случае практически не сказывается на качестве обработки поверхности. При химико-механическом полировании продукты химического взаимодействия полупроводника с полирующими растворами удаляются вместе с суспензией. В состав суспензии чаще всего вводят соли меди и фторсодержащие вещества. [15]