Поверхность - переход
Cтраница 1
Поверхность перехода на рис. 5.3 изображена пунктиром. Примем, что в дозвуковой области на достаточно большом расстоянии от минимального сечения сопло имеет цилиндрическую форму. [1]
Если поверхность переходов загрязнена, то это проявляется в завышенных значениях обратных токов коллекторного перехода / К0 и в завышенных значениях коэффициента шума. Как правило, транзисторы с минимальным значением / К0 обладают очень хорошими и близкими к расчетным шумовыми свойствами. [2]
Развертку поверхности перехода начинаем строить с равнобедренного треугольника АК. К боковым сторонам АК и ВК пристраиваем способом засечек треугольники В-К-1 А-К-1, натуральные величины сторон которого определены на фиг. Таким же способом пристраиваем сначала треугольники В-1-2 А-1-2, потом треугольники В-2-N и А-2-М. Вершины построенных треугольников К, 1, 2, N и К, 1 2, М соединяем плавными кривыми линиями. [3]
Требуется определить поверхность перехода о круглого ( d - - 660 мм) на прямоугольное сечение 1500X110 мм. [4]
Угол наклона поверхностей переходов не должен превышать 15 С. [5]
Вместе с тем увеличение поверхности переходов при обычной геометрии структуры транзистора ( см. рис. 3.1, а) может вызвать неравномерное падение напряжения вдоль базовой области и как следствие вытеснение токов к периферийным областям эмиттера. Чтобы уменьшить влияние собственного электрического поля в базе и снизить ее сопротивление при протекании больших токов, контактные выводы мощных транзисторов выполняют либо в виде гребенчатой конструкции, либо в виде дисков и колец. Для повышения рассеиваемой мощности практикуется также монтаж нескольких полупроводниковых структур с параллельным соединением в одном корпусе. [6]
Допускается увеличить угол наклона поверхностей перехода до 30, если надежность соединения обоснована расчетом на прочность с определением расчетного ресурса. [7]
В работе [34] выяснено, что поверхность перехода через скорость звука, опирающаяся на некоторый контур и являющаяся одновременно характеристической поверхностью, обладает минимальной площадью среди всех поверхностей, опирающихся на тот же контур. В осесимметричном случае такими поверхностями могут быть либо плоскости перпендикулярные к оси симметрии, либо поверхности, образующие которых являются цепными линиями. [8]
С целью повышения усилительных свойств на поверхности перехода создается искусственным путем потенциальный барьер, отталкивающий неосновные носители от поверхности. [9]
 |
Полная эквивалентная схема триода с общей базой в режиме малого сигнала. [10] |
Сопротивление гх обусловлено утечкой тока коллектора по поверхности перехода. Величина сопротивления гх зависит от чистоты поверхности и лежит в пределах 105 - 107 ом. [11]
Величина напряжения пробоя существенно зависит от состояния поверхности перехода, где могут образовываться заряды того или иного знака, которые уменьшают или увеличивают результирующую напряженность поля у поверхности по сравнению с ее значением в объеме. В неблагоприятном случае напряжение пробоя по поверхности может быть в несколько раз ниже, чем по объему. Это еще раз подчеркивает важность стабилизации свойств поверхности полупроводника, защиты ее от воздействия окружающей среды. [12]
Существенной особенностью лавинного пробоя является его неоднородность по поверхности перехода. Все эти причины приводят к локализации пробоя в отдельных участках перехода, что сопровождается свечением в видимой области спектра. Места свечения называют микроплазмами. [13]
Независимо от соотношения размеров и взаимного расположения отверстий поверхность перехода с криволинейного ( круглого) сечения на многоугольное ( прямоугольное) составляется из элементов конических поверхностей и плоских граней. Вершинами конусов служат вершины многоугольного сечения, основаниями - участки криволинейного сечения. Плоские грани имеют форму треугольника, одной стороной которого является сторона многоугольного сечения, двумя другими - крайние образующие конических элементов. [14]
Для нас выгоднее так определить вероятность испарения, чтобы поверхность перехода была выражена в явной форме. Это имеет тем большее основание, что первоочередный интерес всегда представляют отношения р Wi / iun, при вычислении которых отпадает необходимость учета поверхности перехода. [15]
Страницы: 1 2 3 4