Поверхность - переход
Cтраница 2
Электрохимическое травление - новый и более прогрессивный метод очистки поверхности переходов. Оно не требует применения агрессивных и вредных травите-лей и хорошо поддается регулированию, контролю и автоматизации. [16]
 |
Общий вид вентилей зарубежных фирм. [17] |
В большинстве случаев это не позволяет отводить тепло с обеих поверхностей перехода. Так как выпрямительные свойства электронно-дырочного перехода зависят от температуры, необходимо обеспечить достаточный отвод тепла с тем, чтобы не допустить чрезмерного повышения температуры перехода. Поэтому полупроводниковые вентили не могут быть использованы на полную мощность без дополнительного теплоотвода. [18]
 |
Зависимость сопротивления коллектора транзистора от температуры. [19] |
Уменьшение сопротивления коллектора с ростом температуры объясняется влиянием сопротивлений утечки по поверхности перехода и корпуса транзистора, которые с ростом температуры уменьшаются. [20]
При возрастании величины ср наблюдается существенное отклонение нагрузки по обе стороны от поверхности перехода от расчетных значений по одномерной теории. Наблюдаемое отклонение не может быть связано с влиянием радиальной инерции, поскольку вызванные ею колебания легко усредняются вследствие большой длительности импульса нагрузки. [21]
Полученные в этой же работе данные о свойствах течения газа в окрестности поверхности перехода от до - к сверхзвуковым скоростям легли в основу расчета так называемых безударных г сопел Лаваля - расчета, выполненного С. А. Христиановичем совместно с В. С. Астровым, Л. М. Левиным и Е. П. Павловым в 1943 г. 2 Здесь же следует указать на более поздние ( 1949 - 1950) исследования Овсянникова3 околозвуковой области в сопле Лаваля с прямой линией перехода и его вывод о том, что возможные типы околозвуковых течений определяются свойствами некоторой функции, которые и характеризуют все особенности течений газа с прямой линией перехода. [22]
Практически величина дифференциального сопротивления определяется величиной токов утечки, возникающих вследствии загрязнения поверхности р-п перехода. Поэтому величина дифференциального сопротивления оказывается ниже расчетной, однако не меньше мегома. [23]
В теории теплопроводности найдено решение этого уравнения при соответствующих граничных условиях на поверхностях перехода из одной среды в другую ( равенство температур и тепловых потоков) и теплообъеме на наружной поверхности по закону Ньютона. [24]
В действительности нужно учитывать, что емкость и сопротивление затвора распределены по всей поверхности перехода и что сопротивление канала является также распределенным. Эта схема значительно сложней, и пользование ею для рассмотрения некоторых зависимостей затруднительно. [25]
В случае течения вязкопластичных сред с пределом текучести TO необходимо определить также координаты поверхности перехода от зоны твердого состояния среды к области сдвигового течения. [26]
При диффузионном перемещении в базе часть электронов рекомбинирует с дырками в ее объеме и на поверхности перехода, а также рассеивается на не-однородностях кристаллической решетки; оставшиеся электроны подхватываются полем коллекторного перехода и выносятся в коллектор. При этом результирующий ток коллектора / к суммируется из двух составляющих, одна из которых обусловлена инжекцией подвижных носителей заряда из эмиттера, а вторая - обратным смещением на коллекторе. В этом смысле работа коллекторного перехода не имеет полной аналогии с работой обратносмещен-ного диода, поскольку через последний протекает только вторая составляющая за счет неосновных носителей заряда. [27]
Следует заметить, что существуют еще так называемые шумы утечек, связанные с наличием на поверхности р-п переходов шунтирую щих токов, обусловленных загрязнениями поверхности или инверсными слоями. Эти шумы должны быть сведены к минимуму при изготовлении транзисторов. [29]
 |
Вольтамперная характеристика туннельного диода. [30] |
Страницы: 1 2 3 4