Поверхность - переход
Cтраница 4
Если пластины из кремния л - и р-типов приведены в тесный контакт, то свободные электроны и свободные дырки, диффундируя к поверхности р-п перехода, будут рекомбини-ровать, как показано на рис. 5.11, а, образуя слой, обедненный носителями заряда, который носит название обедненной зоны. При этом атомы примеси в области перехода, лишенные соответствующих дырок или элементов, превратятся в ионы. На рисунке показано, как меняется потенциал при пересечении p - n - перехода. После того как два куска вещества приведены в соприкосновение, должно произойти выравнивание их уровней Ферми. Значение потенциального барьера невозможно измерить каким-либо прибором, поскольку на измерительных контактах формируется такой же барьер противоположного знака. [46]
Другой причиной роста обратного тока диода является поверхностная проводимость электронно-дырочного перехода, обусловленная молекулярными и ионными пленками различного происхождения, покрывающими выходящую наружу поверхность перехода. [47]
При применении параллельно-последовательной одноместной схемы класса 5 - К число используемых в схеме инструментов равно произведению числа обрабатываемых поверхностей на количество совмещенных по каждой поверхности переходов. [48]
Составляя выражение для числа молекул W if / /, переходящих в секунду через один квадратный сантиметр поверхности с однотипными местами, следовало бы принимать во внимание, что поверхности перехода / для молекулы в некоторых случаях занимают не всю границу раздела, а на ней могут оставаться промежуточные области, неспособные к восприятию молекул. [49]
Обратные ветви характеристик ( см. рис. 4.1 и 1.15) различаются большей величиной обратного тока реального диода, так как кроме теплового тока / нас через обратно смещенный р-п-переход по поверхности перехода протекает также ток утечки, возрастающий по мере роста обратного напряжения. [50]
Важную роль в появлении вторичного пробоя могут играть различного рода дефекты на поверхности или в объеме транзисторной структуры или какие-либо неоднородности, приводящие к появлению градиентов потенциала в направлении, параллельном поверхности р-п переходов и нарушающих симметрию распределения полей и потенциалов в транзисторной структуре. Вблизи такого дефекта может возникнуть незначительная концентрация тока. Обусловленный этой концентрацией разогрев может привести к увеличению локального коэффициента усиления. В результате может оказаться, что значительная часть тока сконцентрируется в узкой области и локальный разогрев достигнет такой величины, что в структуре образуется расплавленная область. Кроме того, предложен другой механизм, позволяющий объяснить существование в транзисторе относительно стабильного состояния с локальной концентрацией тока и малым падением напряжения между коллектором и эмиттером: в результате локального перегрева до температур меньших, чем точка плавления полупроводника, термическая генерация может возрасти настолько, что область пространственного заряда исчезнет и напряжение на коллекторном переходе резко упадет. [51]
 |
Зависимость тока коллектора / к от напряжения коллектора UK при различных значениях напряжения базы t / б. э и тока базы / б. [52] |
Если даже / 6 0, можно отметить некоторый ток утечки 1к0 ( / ко - обратный ток коллекторного перехода, аналогичный обратному току диодов), который появляется в основном из-за загрязнения поверхности перехода. [53]
 |
Зависимость токов коллектора от t / кб. [54] |
Ток, зависящий от температуры / s ( на рис. 4 - 1), называется обратным тепловым током и возникает в результате тепловой генерации пар электрон - дырка, в то время как ток, зависящий от напряжения, / у возникает главным образом вследствие утечки по поверхности перехода коллектор - база. [55]
 |
Разрез варикапа в бескорпусном оформлении. [56] |
В настоящее время при изготовлении варикапов сначала изготавливают структуру типа р - я-п ( рис. 7.3, б) и омические контакты к структуре на пластине кремния диаметром 25 - 35 мм, и только в дальнейшем производится нарезка кристаллов нужной площади ( в зависимости от номинальной емкости), вплавление золоченых выводов, химическая обработка, защита поверхности перехода и бескорпусная герметизация. [57]
Защита лаками и компаундами представляет собой очень простой и технологичный метод. На поверхность перехода их наносят обычным шприцем, причем обязательно покрывают не только выход перехода на поверхность, но и часть кристалла вблизи него, а также часть вывода. Широко применяют кремнийорганические компаунды для защиты фаски в тиристор-ных структурах. Следует заметить, что перед покрытием поверхности лаками и компаундами ее, как правило, окисляют или защищают другими, более надежными рредствами. [58]
Для развертки перехода необходимо вычертить его фронтальную ( вид сбоку) и горизонтальную ( вид сверху) проекции. Так как поверхность перехода симметрична относительно фронтальной плоскости, проходящей через центры оснований, то на горизонтальной проекции достаточно показать лишь половину фасонной части. [59]
Страницы: 1 2 3 4