Внешняя поверхность - пленка
Cтраница 2
Однакб практически эта возможность реализуется лишь при поступлении кремния на внешнюю поверхность пленки SiO2 и достаточного утонения последней. Активная роль газообразного кислорода в механизме газового травления, связанная, по-видимому, с реакциями ( 7 - За и 7 - 36), подтверждаете образованием ямок травления на поверхности подложки, концентрация которых пропорциональна давлению кислорода в установке. В этом случае молекулярный пучок SiH4 конденсируется на подложку в присутствии молекул кислорода. При малой интенсивности пучка ( 1015 - 101в см-2 - с -) на поверхности подложки, свободной от окисной пленки, образуются зародыши. Появлению зародышей предшествует инкубационный латентный период времени т, в течение которого конденсация пучка не сопровождается образованием зародышей. Добавление кислорода отри давлении 7 3 1Q - 7 Па затягивает инкубационный период. [16]
 |
Влияние относительной влажности и. [17] |
Вторичная окалина состоит из трех слоев окислов железа с возрастающей степенью окисления по направлению к внешней поверхности пленки. Относительное содержание этих окислов меняется в зависимости от температуры обработки. [18]
Стационарную проводимость дырочных инверсионных слоев в германии и кремнии можно объяснить высокой плотностью поверхностных состояний на внешней поверхности пленки. Подобное рассмотрение данных электрических измерений позволяет ( особенно для кремния) оценить верхний предел толщины пленки. [19]
Когда на поверхности раздела фаз имеется тончайший переходный слой-пленка, возникают явления интерференции лучей, отраженных от внешней поверхности пленки и от поверхности раздела пленка-основная фаза. В результате интерференции интенсивность суммарного луча может повыситься или понизиться по сравнению с интенсивностью отражения от границы раздела, не имеющей переходного слоя. [20]
Хигби [7] усовершенствовал пленочную теорию, предложив модель массопередачи, согласно которой при обтекании газового пузыря набегающим потоком внешняя поверхность пленки приходит в соприкосновение со все новыми ненасыщенными участками потока. Поверхность как бы обновляется. [21]
 |
Пленочная модель. [22] |
Хигби [227] усовершенствовал пленочную теорию, предложив модель массопередачи, согласно которой при обтекании газового пузыря набегающим потоком внешняя поверхность пленки приходит в соприкосновение со все новыми ненасыщенными участками потока. Поверхность как бы обновляется. Для газового пузырька Хигби определил te как время, в течение которого пузырек проходит расстояние, равное его диаметру. [23]
 |
Пленочная модель. [24] |
Хигби [227] усовершенствовал пленочную теорию, предложив модель массопередачи, согласно которой при обтекании газового пузыря набегающим потоком внешняя поверхность пленки приходит в соприкосновение со все новыми ненасыщенными участками потока. Поверхность как бы обновляется. Непрерывный процесс обновления Хигби заменил ступенчатым, назвав временной интервал между двумя последующими обновлениями временем обновления Ге. Для газового пузырька Хигби определил te как время, в течение которого пузырек проходит расстояние, равное его диаметру. [25]
Когда на поверхности раздела фаз имеется тончайший переходный слой - пленка, возникают явления интерференции лучей, отраженных от внешней поверхности пленки и от поверхности раздела пленка-основная фаза - В результате интерференции интенсивность суммарного луча может повыситься или понизиться по сравнению с интенсивностью отражения от границы раздела, не имеющей переходного слоя. [26]
 |
Влияние энтальпии 1 а и давления торможения ре на долю испарения кварцевого стекла Г О / G при оплавлении.| Зависимость безразмерной скорости оплавления кварцевого стекла О. [27] |
Как и в случае сублимации, безразмерная скорость оплавления прежде всего зависит от энтальпии торможения 1е, тогда как температура внешней поверхности пленки расплава практически является функцией только давления ре. [28]
Возможны три способа передачи теплоты от стенки к пленке жидкости: 1) перенос теплоты к жидкости при отсутствии теплообмена на внешней поверхности пленки; 2) перенос теплоты к жидкости, осложненный тепло - и массообменом на ее свободной поверхности; 3) перенос теплоты при парообразовании на обтекаемой твердой поверхности. К первому способу близки процессы нагревания или охлаждения жидкости в пленочных теплообменниках, ко второму - процессы отгонки летучих компонентов путем их испарения, а также процессы абсорбции и десорбции. По третьему способу происходит теплоотдача при кипении жидкости на обогреваемой твердой поверхности. [29]
После того как потенциал выделения кислорода достигнут, анодная поляризационная кривая на участке OS будет иметь логарифмическую зависимость, определяемую перенапряжением анодного процесса выделения кислорода на внешней поверхности пленки. Fe, Ni, Cr) достаточно велика, этот процесс может протекать с относительно небольшим торможением. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5