Повышение - положительный заряд
Cтраница 1
 |
Зависимость Гам-мета для констант устойчивости л-комплексов Pt ( II с за. [1] |
Повышение положительного заряда на комплексном ионе ослабляет обратное допирование - затрудняет переход электронов от металла к олефину. В то же время оно облегчает смещение электронов от олефина к металлу, что должно упрочнять а-связь. Снижение устойчивости комплексов с повышением положительного заряда говорит в пользу того, что устойчивость их определяется дативными связями. [2]
Повышение положительного заряда на атоме переходного металла, как было показано, приводит к г ыс-стереорегулированию. [3]
 |
Величины IgK гликолятных ( П и ацетатных ( О комплексов ионов лантанидов ( 3 ( 20 С, 0 1 М NaClO4. [4] |
Влияние повышения положительного заряда на ионе металла яснее: для жестких ионов металлов и донорных атомов лигандов устойчивость комплекса повышается при увеличении положительного заряда на ионе металла. [5]
В случае 1 повышение положительного заряда достигается оттяжкой аниона, в случае 2 - оттяжкой электрона. Обратное действие оказывают электронодонорные органич. Комплексуясь с я-кротилникельхло-ридом, они приводят к уменьшению скорости полимеризации и к увеличению количества тракс-звеньев. В водной среде нек-рые из рассматриваемых систем ведут к образованию кристаллич. [7]
В случае 1 повышение положительного заряда достигается оттяжкой аниона, в случае 2 - оттяжкой элейт-рона. Обратное действие оказывают электронодонорные-органич. Комплексуясь с л-кротилникельхло-ридом, они приводят к уменьшению скорости полимеризации и к увеличению количества траке-звеньев. В водной среде нек-рые из рассматриваемых систем ведут к образованию кристаллич. [9]
В обоих случаях комплексообразование сопровождается повышением положительного заряда на атоме никеля. [10]
Стереоспецифичность действия систем меняется в случае повышения положительного заряда на атоме переходного металла. [12]
Экспериментальной основой этих представлений послужили исследования, показавшие, что повышение положительного заряда на атоме никеля в л-аллильном комплексе приводит к увеличению количества цыс-звеньев, а введение электронодонорных примесей - к увеличению количества т / щкс-звеньев. [13]
Нестехиометрия четвертого типа IV обусловлена вакансиями в катионной подрешетке и повышением положительного заряда соседнего катиона. Такой дефект в решетке равносилен положительно заряженной дырке. Аналогичная нестехиометрия характерна для Cu2O, NiO, CoO, FeS и других кристаллических веществ. [14]
При одинаковой структуре электронных оболочек ( горизонтальные ряды периодической системы) деформируемость иона быстро уменьшается по мере понижения его отрицательного и повышения положительного заряда. [15]
Страницы: 1 2 3