Cтраница 4
Увеличение сопротивления к в коллекторной цепи транзистора ведет к повышению нагрузочной способности схемы с максимальной величиной коллекторного тока / к тах. [46]
Микросхема ТТЛ на транзисторах Шоттки. [47] |
Мэ в инверсном режиме, что в конечном итоге приводит к повышению нагрузочной способности микросхемы. [48]
Таким образом, согласно результатам проведенных теоретических и экспериментальных исследований, для повышения импульсной нагрузочной способности тиристоров, в первую очередь, следует использовать конструкции прибора и способы его запуска, обеспечивающие максимальную площадь включения тиристора, и предотвращать термическое шнурование тока анода. Например, в мощных тиристорах с большой протяженностью базового электрода эффективной мерой является увеличение амплитуды и сокращение фронта импульса тока управления. [49]
Графическое обозначе . [50] |
Кроме того, МБР может выполнять роль буферного усилителя, например, для повышения нагрузочной способности ША и ШД. [51]
Управляющие импульсы формируются элементами 10, 11 или 12, 13, используемыми для повышения нагрузочных способностей блока ГИР. В рассматриваемом случае имеются только две ступени изменения производительности, практически их бывает значительно больше. [52]
Дальнейшее совершенствование ДТЛ-схем идет по пути сокращения потребляемой мощности и усложнения инвертора с целью повышения нагрузочной способности. [53]
Основные логические схемы ТТЛ с простым ( а и сложным ( б инверторами. [54] |
Дальнейшее совершенствование схем ДТЛ идет по пути сокращения потребляемой мощности и усложнения инвертора с целью повышения нагрузочной способности. [55]