Повышение - степень - интеграция
Cтраница 2
С повышением степени интеграции и функциональной сложности интегральных схем измерение статических и динамических параметров становится трудоемким. В этом случае особое значение приобретает контроль функционирования на частотах, близких к рабочим. Этот вид контроля заключается в автоматическом формировании тестовых последовательностей с последующей оценкой правильности прохождения этой последовательности через проверяемую интегральную схему. [16]
С повышением степени интеграции ПС, требующим сокращения линейных размеров их элементов до 2 мкм и менее при обеспечении воспроизводимости результатов методы жидкостного травления оказываются непригодными. На смену им приходят методы сухого травления, использующие принципы физического ( механического) удаления материала пленки ( травление путем распыления при бомбардировке материала ионами инертного газа) или реактивного газового ( плазменного, реактивного ионного) травления либо сочетание этих двух принципов - реактивное ионно-лу-чевое травление. [17]
С повышением степени интеграции изделий микроэлектроники понятие субблока может утрачивать свое самостоятельное значение. Оно становится схемотехническим понятием, обозначающим определенную часть электрической схемы блока или устройства. Примеры конструкций блоков и субблоков будут представлены Е гл. [18]
При повышении степени интеграции помимо необходимости улучшения коэффициента качества важнейшей задачей является уменьшение площади, занимаемой ИМС и приходящейся на элементарный вентиль цифровой ИМС или на одно преобразование информации. [19]
При повышении степени интеграции увеличивается удельная рассеиваемая мощность и как следствие ухудшается температурный режим работы ИС. Проблема отвода тепла становится достаточно серьезной даже при уровне 20 мВт на квадратный миллиметр поверхности. Следовательно, величина мощности рассеивания является одним из серьезных факторов ограничивающих число элементов в кристалле. Теоретический предел плотности размещения достигает 10 элементов на 1 мм для биполярных и 1 ( Н-10 - для полевых транзисторов. [20]
При повышении степени интеграции происходит переоценка используемых типов схем. Например, для ускорения переходных процессов в цепях широко использовались модифицированные резистивно-транзисторные элементы с емкостными связями в дискретном исполнении. [21]
Перспективным способом повышения степени интеграции как схем логики, так и элементов ЗУ является функциональная интеграция. Функционально-интегрированное исполнение схем состоит в совмещении рабочих областей различных компонентов в одной изолированной области. В этом случае один и тот же элемент структуры может одновременно выполнять - несколько функций. [22]
Многие возможности повышения степени интеграции связаны с применением в микросхемах МДП-транзисторов. Этим объясняется тот факт, что около 65 % современных больших интегральных схем регистров и счетчиков создаются на МДПТ. [23]
Значительный резерв повышения степени интеграции при заданном уровне технологии обеспечивает многокристальный или гибридный метод построения БИС. В этом случае в один корпус монтируется несколько кристаллов, причем монтаж 10 кристаллов увеличивает коэффициент интеграции т) на единицу. Разводка соединений между кристаллами осуществляется с помощью специальных однослойных или многослойных печатных плат, а автоматизация процесса сборки обеспечивается унификацией посадочных мест на плате, использованием специальных выводов кристаллов ( например, шариковых или столбиковых) и групповой технологией монтажа. [24]
В результате повышения степени интеграции БИС был разработан ЦП 80186, который в отличие от ЦП 8086 содержит внутренний генератор синхронизации, программируемый контроллер прерываний, программируемые таймеры, контроллер прямого доступа к памяти и программируемые регистры управления. Он размещен в 68-выводном четырехстороннем корпусе, и его линии адреса / данных и некоторых управляющих сигналов имеют вдвое большую нагрузочную способность. Введены дополнительные команды, в частности команды PUSHA и РОРА для включения в стек и извлечения из него всех регистров одной командой, команды INS и OUTS для ввода и вывода цепочек с использованием префикса повторения REP, а также команды, расширяющие действия с непосредственным операндом. В итоге МП 80186 имеет вдвое более высокую производительность по сравнению с ЦП 8086, что обеспечивает меньшие габариты, большую компактность и большую надежность МПС. [25]
В электронной промышленности повышение степени интеграции схем привело к такому резкому уменьшению элементов, когда расстояние между ними или зонами металлизации составляет 0 2 - 1 0 мкм. В таких условиях попадающие на поверхность полупроводниковых элементов в процессе их изготовления частицы микронных и субмикронных размеров могут способствовать изменению их электрических параметров, вызывать проколы или короткое замыкание, что может привести к выводу схемы из строя. [26]
К схемотехническим возможностям повышения степени интеграции можно отнести замену диффузионных резисторов в схемах на сопротивления, образуемые МДП-транзисторами при определенном способе их включения. Диффузионные резисторы занимают большую площадь за счет того, что их удельное сопротивление лежит в пределах 200 - 250 Ом / квадрат, у МДПТ удельное сопротивление канала лежит в пределах от единиц до сотен тысяч Ом / квадрат при геометрических размерах, существенно меньших, чем у диффузионных резисторов. [27]
В БМЦУ с повышением степени интеграции, надежности и уменьшения влияния внешних мешающих воздействий возрастает роль внутренних помех, вызывающих частичное или полное искажение дискретной информации при ее передаче, преобразовании и хранении. [28]
 |
Варианты применения ИМС К2УС242. [29] |
Дальнейшее усовершенствование ГИС путем повышения степени интеграции и расширения их функциональных возможностей открывает перспективы изготовления в едином технологическом цикле функциональных узлов аппаратуры и повышения ее надежности. [30]
Страницы: 1 2 3 4