Повышение - степень - интеграция
Cтраница 3
 |
Структурная схема самопроверяемого блока. [31] |
Усложнение структуры ЭВМ, повышение степени интеграции и быстродействия элементов приводят к увеличению относительной доли сбоев в общем числе ошибок ЭВМ. [32]
Очевидно также, что повышение степени интеграции ИС является существенным, если не решающим, вкладом в решение этой проблемы, так как при этом все большее число соединений переходят в ИС. Примером может служить электронный калькулятор, вся схемная часть которого по существу выполнена в виде одной монолитной большой интегральной схемы. [33]
Дальнейшее усовершенствование полупроводниковых микросхем повышением степени интеграции и расширением функциональных возможностей открывает перспективы изготовления в едином технологическом цикле функциональных узлов аппаратуры связи. Примером сказанного может служить микросхема К174ХА10 ( рис. 5.105), представляющая собой многофункциональную схему для построения однокристального супергетеродшшого радиоприемника. При относительно небольшом числе навесных элементов микросхема обеспечивает усиление ВЧ, ПЧ сигналов, преобразование частоты, демодуляцию сигналов AM и ЧМ, а также воспроизведение сигналов звуковой частоты в диапазоне 20 Гц... [34]
Дальнейшее усовершенствование полупроводниковых микросхем повышением степени интеграции и расширением функциональных возможностей открывает перспективы изготовления в едином технологическом цикле функциональных узлов аппаратуры связи. Примером сказанного может служить микросхема К174ХА10 ( рис. 5.105), представляющая собой многофункциональную схему для построения однокристального супергетеродинного радиоприемника. При относительно небольшом числе навесных элементов микросхема обеспечивает усиление ВЧ, ПЧ сигналов, преобразование частоты, демодуляцию сигналов AM и ЧМ, а также воспроизведение сигналов звуковой частоты в диапазоне 20 Гц... [35]
Дальнейшее усовершенствование полупроводниковых микросхем повышением степени интеграции и расширением функциональных возможностей открывает перспективы изготовления в едином технологическом цикле функциональных узлов аппаратуры связи. Примером сказанного может служить микросхема К174ХА10 ( рис. 5.105), представляющая собой многофункциональную схему для построения однокристального супергетеродшшого радиоприемника. При относительно небольшом числе навесных элементов микросхема обеспечивает усиление ВЧ, ПЧ сигналов, преобразование частоты, демодуляцию сигналов AM и ЧМ, а также воспроизведение сигналов звуковой частоты в диапазоне 20 Гц... [36]
Отсюда ясно, что для повышения степени интеграции ИС надо снижать плотность дефектов на пластине. Это достигается совершенствованием каждого из этапов производства ИС. Необходимо стремиться к тому, чтобы кристаллическая структура эпитаксиальных пленок кремния была близкой к идеальной, улучшать технологию изготовления фотошаблонов, обеспечивать чистоту технологической среды ( чистые комнаты, специальные скафандры, содержащие не более 3 - 5 пылинок в литре воздуха), улучшать процессы химической обработки пластин и пр. Одна из важных мер такого рода - применение проекционной фотолитографии: изображение фотошаблона с помощью оптической системы проецируется на слой фоторезиста, нанесенный на пластину. Этим исключается постепенное стирание фотошаблона кремниевой пластиной и возникновение на нем новых дефектов. [37]
Отсюда видно, что при повышении степени интеграции или плотности компоновки элементов в единице объема усиливаются требования к типизации и унификации различных конструктивных элементов ЭВМ и технологических процессов их изготовления и контроля. [38]
Основной задачей при разработке БИС является повышение степени интеграции. Повышение степени интеграции ИМС зависит от нескольких факторов. [39]
Основной задачей при разработке БИС является повышение степени интеграции. Повышение степени интеграции в микросхемах зависит от нескольких факторов. [40]
Однако развитие технологии интегральных микросхем и повышение степени интеграции в кристалле до 10000 элементов и более позволяют реализовать на одном кристалле всю микро ЭВМ. [41]
Современная тенденция развития систем управления преобразователями характеризуется повышением степени интеграции элементов. Схемотехнические решения на базе дискретных компонентов уступают место интегральным микросхемам и микроконтроллерам, обеспечивающим переход от жестких алгоритмов управления к более гибким, максимально учитывающим специфику работы ключа и схемы. [42]
Поддержание надежности БИС на определенном уровне по мере повышения степени интеграции при неизменном уровне технологии - задача довольно сложная. [43]
Техника БИС развивается, в первую очередь, по пути повышения степени интеграции цифровых схем с регулярной структурой. [44]
Однако косвенным путем увеличение диаметра полупроводникового диска все же способствует повышению степени интеграции. Переход на ИС с высокой степенью интеграции весьма ужесточает требования к функциональным испытаниям и качеству разработки топологии ИС. Часто исходят из того, что затраты на разработку топологии интегральных схем имеют экспоненциальную зависимость от степени интеграции. Выполнить эти сверхжесткие требования пытаются не только путем компьютеризации работ, но и путем разработки новых принципов топологического проектирования ИС, включая создание новых концепций построения отдельных элементов. [45]
Страницы: 1 2 3 4