Повышение - степень - интеграция
Cтраница 1
Повышение степени интеграции и информационной емкости функциональных узлов для ЗУ и снижение потребляемой мощности связано с применением ЗЭ динамического типа на МДП-структурах. В динамических, или тактируемых, ЗЭ для хранения информации используется емкость. [1]
Повышение степени интеграции и расширение функциональных возможностей полупроводниковых ИМС позволяет создавать в едином технологическом цикле целые функциональные узлы радиоприемной аппаратуры. Так, ИМС К174ХА10 представляет собой многофукциональное устройство, предназначенное для построения однокристального супергетеродинного радиоприемника. Она обеспечивает усиление ВЧ -, ПЧ - и НЧ-сигналов, преобразование частоты, демодуляцию AM - и ЧМ-сигналов. ИМС двойного балансного перемножителя функции типа К174ПС1 предназначена для преобразования частоты диапазона УКВ. [2]
Повышение степени интеграции и снижение стоимости ( в пересчете на один вентиль) электронных схем сделали возможным практическое использование для контроля некоторых узлов, например сумматоров, самопроверяемого дублирования их схем, при котором ошибки обнаруживаются по несовпадению сигналов на выходах дублированных схем. Этим способом обнаруживают ошибки любой кратности. [3]
Повышение степени интеграции уменьшает универсальность схем. Если как единое целое делается регистр, счетчик или сумматор, то уже нельзя обойтись схемой одного типа и приходится расширять номенклатуру изготавливаемых БИС. Данное обстоятельство лишает БИС универсальности и создает проблему их индивидуализации. [4]
 |
Транспьютерная микросистема. [5] |
Повышение степени интеграции размещением микросистем ЭВМ на одной полупроводниковой пластине вызвало необходимость поиска новых конструктивных основ, чтобы не утратить достигнутый уровень интеграции из-за использования тривиальных методов соединений и стыковки одной такой пластины с другими. [6]
Повышение степени интеграции в большинстве случаев приводит к увеличению сложности функций, выполняемых микросхемой. С одной стороны, это положительный фактор, так как при использовании б олее сложных микросхем упрощается проектирование и изготовление аппаратуры. В то же время стоимость ремонта может существенно возрасти. Последнее не относится к программно-управляемым микросхемам, для которых повышение степени интеграции не уменьшает универсальности. [7]
Повышение степени интеграции в микросхемах зависит от нескольких факторов: возможности уменьшения геометрических размеров элементов микросхем; типов активных элементов в микросхеме; возможности увеличения размеров кристалла интегральной микросхемы и других факторов, в том числе и схемотехнических. [8]
Повышение степени интеграции современных микросхем приводит к резкому увеличению сложности и трудоемкости их проектирования. При таких условиях значение автоматизации проектирования ( или машинного проектирования) ИМС и особенно БИС с помощью ЭВМ существенно возрастает. Если говорить об идеальной системе машинного проектирования топологии БИС, то подразумевается, что она должна выдавать конструкторскую документацию и перфоленты или магнитные ленты, с помощью которых осуществляется управление процессом производства фотошаблонов при подаче на ее вход информации об электрической схеме проектируемой БИС. Достигнутый уровень развития систем машинного проектирования топологии БИС, к сожалению, еще далек от идеального, если не считать некоторых систем с очень узкой специализацией. Тем не менее машинное проектирование, будучи надежным вспомогательным средством для конструктора микросхем, уже сейчас вносит большой вклад в сокращение времени и стоимости разработки БИС, освобождая инженера от выполнения большого объема сложных расчетов и других рутинных работ, связанных с проектированием БИС. Следует особо подчеркнуть, что для сохранения высокой эффективности в проектировании, сложность которого прогрессивно возрастает, развитие методов и средств самого машинного проектирования БИС должно происходить еще более быстрыми темпами. [9]
 |
Профили осаждаемого металла в зависимости от клина проявления фоторезиста. / - пленка фоторезиста. 2 - формируемый элемент. [10] |
Повышение степени интеграции гибридных схем может быть достигнуто использованием в схемах многоуровневых межсоединений. Частным случаем таких схем являются пассивные схемы с расположением проводников на обеих сторонах подложки и соединением их через отверстие в подложке. Этот вариант также реализуется с применением комбинированных процессов фотолитографии и гальванического осаждения проводящих слоев с применением маски фоторезиста. [11]
Для повышения степени интеграции конструкций целесообразно расширять методы синтеза конструкций на ранних стадиях разработки, дополняя метод от достигнутого уровня элементной базы, технологии и других факторов методом от физически предельного ( граничного) уровня для элементов, компонентов и технологии. [12]
С повышением степени интеграции усложняются функции, выполняемые БИС. Следствием этого является трудность контроля работоспособности и проведения испытаний БИС, что требует сложного автоматического оборудования с большим числом контрольных тестов, разрабатывать которые необходимо при проектировании схемы. [13]
С повышением степени интеграции усложняются функции, выполняемые БИС. [14]
С повышением степени интеграции усложняются функции, выполняемые БИС. Следствием этого является сложность контроля работоспособности и проведения испытаний БИС, что требует сложного автоматического оборудования с большим числом контрольных тестов, разрабатывать которые необходимо при проектировании схемы. [15]
Страницы: 1 2 3 4