Повышение - температура - осаждение
Cтраница 3
Наличие указанной температурной области получения пироуглерода с низкой плотностью ( и плохо графитирующегося) пока не нашло достаточно убедительного объяснения. Однако можно предположить, что такой характер изменения плотности с температурой обусловлен одновременным действием двух процессов, имеющих различную энергию активации: осаждением атомов углерода из газовой фазы и их миграцией по поверхности слоя. Тогда повышение температуры осаждения до 1700 - 1800 С увеличивает скорость осаждения, но атомы не успевают мигрировать по поверхности - отсюда рыхлая структура и снижающаяся плотность. При дальнейшем повышении температуры скорость миграции, увеличиваясь, становится достаточной для распределения атомов в слое - плотность растет. [31]
Существенное влияние на процесс формирования микроструктуры осаждаемых пленок оказывает температура подложки. При очень низких температурах образуются микрокристаллические, аморфные или пористые слои. При повышении температуры осаждения размер зерен и плотность пленок увеличиваются. Очень высокая температура способствует быстрому росту зерен. [32]
 |
Схематический разрез осадка пиролитического графита. Заштрихованная площадь-подложка. Изотермические линии в покрытии иллюстрируют возникновение на поверхности выпуклостей и исчезновение впадин. [33] |
Из-за относительно низкой температуры осаждения ( сравнительно сточкой плавления) кристаллы в пиролитическом покрытии большей частью искажены и дают большое рентгеновское рассеяние при малых углах. Измеренная объемная плотность также ниже теоретического значения и обычно повышается с повышением температуры осаждения. При относительно высоких давлениях осаждения минимальная плотность может составлять половину теоретического значения. В других пиролитических материалах уменьшение плотности не превосходит нескольких процентов. И графит, и нитрид бора имеют слоистую структуру, которая обычно осаждается с ярко выраженной ориентацией слоев. При минимальной плотности кристаллы в этих материалах обнаруживают беспорядочную ориентацию, которая, как полагают, обусловлена беспорядочным выпадением крупных молекулярных агрегатов на поверхность. [34]
На основании полученных результатов сделан вывод, что при получении тонкопористого силикагеля необходимо кислотную обработку геля производить соляной кислотой, а при получении крупнопористого - серной. Поскольку в промышленных условиях находит применение лишь кусковой или гранулированный силикагель, то он должен обладать высокой механической прочностью. Поэтому увеличение концентрации SiCX свыше 8 % и повышение температуры осаждения более 20 - 25 С недопустимо. [35]
Ванкар и др. [111] и Дас [116], исследуя зависимость структурных свойств пленок ZnxCdi xS, получаемых вакуумным испарением, от температуры подложки, установили, что кристаллографическая структура и параметры кристаллической решетки пленок CdS в значительной мере определяются температурой их осаждения. Пленки CdS, получаемые при температуре подложки в интервале от комнатной до 150 С, имеют структуру сфалерита, тогда как при температуре подложки 170 С и выше пленки кристаллизуются в структуре вюртцита. В диапазоне температур от 150 до 170 С пленки имеют двухфазную структуру, состоящую из смеси сфалерита и вюртцита. При температуре осаждения, равной или превышающей 200 С, образуются пленки с преимущественной ориентацией зерен. Повышение температуры осаждения пленок CdS приводит к увеличению размера зерен. [36]
Страницы: 1 2 3