Поглощение - металл
Cтраница 3
Используется адсорбент ( Ag) с низкой крекирующей активностью, ОСМ подается во второй Кр, где контактирует с Ag в течение 1 - 3 с при температуре 350 - 500 С. После поглощения металлов и металлсодержащих химических соединений Ag направляют в регенератор. [31]
В отличие от металлов полупроводники имеют довольно сложный спектр оптического поглощения. В металле фотоны поглощаются электронами проводимости, совершающими переходы внутри энергетической зоны. Поэтому спектр поглощения металла непрерывен; металлы поглощают излучение любой частоты. Переходам электронов из валентной зоны в зону проводимости отвечает так называемая полоса собственного поглощения полупроводника; она характеризуется наиболее высоким коэффициентом поглощения. [32]
Влияние комплексообразования на поглощение элементов анионита-ми легко проанализировать качественно. Образование анионного комплекса с металлом приводит к его поглощению анионитами в результате ионного обмена отрицательно заряженного комплекса с противоионом смолы. Чем устойчивее комплекс, тем при данных условиях большая часть элемента переходит в комплекс и лучше идет поглощение. По той же причине увеличение концентрации комплексообразующего реагента, усиливающее комплексообразование, увеличивает и поглощение металла ани-онитом. Однако оно ведет к вытеснению анионных комплексов из ионита в результате простого вытеснения - конкурирующего действия свободных ионов адденда. [33]
Сразу после введения металла в среду последний быстро связывается с клеточной поверхностью за счет независимого от энергии процесса, а затем происходит медленный перенос металла в цитоплазму клетки. Он может блокироваться дыхательными ядами и анаэробиозом, ингибирующими аэробное дыхание или запасание энергии. На внутриклеточное накопление металла ЭДТА не влияет. Бактериальные системы представляются предпочтительными для удаления металлов с последующим быстрым связыванием; однако энерго - зависимое поглощение металлов в случае дрожжей часто оказывается более эффективным, чем для бактерий. У различных штаммов родственных бактерий уровень поверхностного связывания существенно различается. Сильно связывающий штамм В. [34]
Из приведенных данных следует что при гидрообессеривашш де-асфальтировэнных гудронов на катализаторе накапливаются металлы и коксосмолистые отложения. Наряду с высоким содержанием ванадия и перерабатываемом сырье следует отметить и большую склонность к разложению ванадийсодержащих соединений. При соотношении величин содержания ванадия и никеля в сырье, равном 1 5, эти величины на катализаторе равны 2 и более. В табл. 3 приведены данные по величинам отложений на различных синтезированных контактах и загруженных в реактор в сочетании с катализатором, откуда видно что испытуемые образцы в значительной степени различны по способности к поглощению металлов. Образец 3, содержащий в качестве активного компонента кобальт, характеризуется наименьшими величинами отложений металлов, хотя содержание углерода находится на уровне содержания его на других образцах. Наибольший интерес представляет образец 2, который характеризуется весьма высокой способностью адсорбировать на себе металлы. [35]
Накопление окислов железа и марганца на поверхности бактериальных клеток - результат двух взаимосвязанных процессов: аккумуляции ( поглощения) клетками этих металлов из раствора и окисления, сопровождающегося обильным отложением нерастворимых окислов на поверхности бактерий. Процесс аккумуляции тяжелых металлов из растворов в основе имеет физико-химическую природу и в значительной мере обусловлен химическим составом и свойствами поверхностных структур клетки. Он включает связывание металлов внеклеточными структурами ( капсулы, чехлы, слизистые выделения), клеточной стенкой и ЦПМ. Сорб-ционные свойства поверхностных клеточных структур определяются в большой степени суммарным отрицательным зарядом молекул, входящих в их состав. Поглощение металлов приводит к значительному концентрированию их вокруг клеток по отношению к среде. [36]
 |
Принципиальная конструкция разрядных трубок лазера на парах металла. [37] |
Генерация получена на энергетических переходах более 50 элементов. В этом типе лазеров используются смеси паров металлов и буферного газа. Линии поглощения металлов лежат в оптической области, поэтому в этом типе лазеров возможна оптическая накачка. Для обеспечения необходимой концентрации рабочих атомов часто применяют нагрев металла. Наличие буферного газа в смеси замедляет выход паров металла из нагретой зоны и поддерживает разряд. [38]
В разделе I было показано, что спектр НПВО очень тонкой поглощающей пленки практически совпадает со спектром поглощения этой пленки. Это обстоятельство было использовано в [36], где применялся непоглощающий в видимой области раствор ( 0 1 М Na2SO4), так что поглощение могло происходить только в пленке золота. Такое поглощение действительно наблюдалось, и этот факт явился однозначным экспериментальным доказательством электромодуляции оптических констант металла. Было показано, что поглощение растет со сдвигом потенциала в положительную сторону, а изменения поглощения АЛ пропорциональны заряду двойного слоя и не зависят от того, каким образом этот заряд распределяется в пленке. Теория электромодуляции оптических констант металла, предложенная в [36], основывается на предположении о частотном сдвиге всего спектра поглощения металла при изменении заряда пленки. Этот сдвиг происходит вследствие изменения плазменной частоты, зависящей от концентрации N0 свободных электронов. В соответствии с ( 6) и ( 83), ( 84) снижение N0 должно понижать коэффициент поглощения а. Существенно, что при изменениях N0 сдвигается также энергия Ферми, а следовательно, и энергии всех переходов из других зон нг этот уровень. Этим, в частности, объясняется появление в спектре AR / R золотой пленки пика при - 2 5 эв, отвечающего переходам электронов из Sd-зоны на уровень Ферми [ 50, ПО ]; это объяснение было уточнено в [47], где появление пика при 2 5 эв объясняется переходами из поверхностных, а не объемных, 5 -уровней. В [114], однако, высказывается мнение, что ни модуляция уровня Ферми, ни модуляция энергии межзонных переходов в металле не имеют места, а ЭО вызвано влиянием поля на внешний слой ( хвост) электронной плазмы, туннелирующей за пределы решетки металла. [39]
В дополнение ко всему сказанному выше пелесообразно обратить внимание еще на одно обстоятельство. При рассмотрении изложенного выше экспериментального материала в центре внимания стоял вопрос о том, в какой мере теория Кронига способна правильно предсказать местоположение флюктуации коэффициента поглощения на коротковолновой стороне края. Предполагалось, что эта величина определяется лишь факторами, управляющими движением полусвободных электронов металла в пределах его кристаллической решетки, и структурой последней. С точки зрения теории Кронига, относительная интенсивность отдельных флюктуации тонкой структуры края поглощения различных атомов, входящих в состав веществе одинаковыми кристаллическими решетками, должна была бы совпадать. Несмотря на очевидную важность экспериментальной проверки этого утверждения для выяснения вопроса о пригодности теории Кронига для объяснения тонкой структуры краев поглощения металлов, она, насколько нам известно, никем до сих пор не была проведена. Следует, конечно, иметь в виду, что осуществление такого опыта связано со значительными экспериментальными трудностями и едва ли возможно, если, пользуясь фотографическим методом регистрации спектров и последующим их фотометрированием, стремиться одновременно получать на одной микрофотограмме и тонкую структуру и основной край поглощения. [40]
Страницы: 1 2 3