Основное поглощение

Cтраница 2

По мере увеличения температуры поверхности при достаточно высоких уровнях энергии лазерного излучения основное поглощение связано не с поверхностными дефектами, а с взаимодействием излучения непосредственно с кристаллической решеткой. [16]

Параллелизм изменения томновой проводимости а - и яркости свечения - о в прогретых пленках ZnO.| Изменения положения края основного поглощения ZnO в зависимости от температуры. а - при - 140 С, 6 -при 20 С и с - при 100 C.| Изменение положения длинноволнового края поглощения пленок ZnO. [17]

Спектр поглощения пленок окиси цинка лежит в ультрафиолетовой области, причем полоса основного поглощения резко обрывается при - 380 Mi. [18]

Спектральная зависимость коэффициента поглощения при межзонных переходах в германии, легированном мышьяком по данным. [19]

Наиболее вероятной причиной расхождения этих данных является неопределенность экстраполяции поглощения свободными носителями в области основного поглощения. Однако не исключена и причина, связанная с различным влиянием примесей фосфора и мышьяка на зонную структуру сильно легированного германия. Кроме того, данные обоих авторов трудно сравнивать из-за того, что они получены при различных температурах. [20]

Весьма важную систематическую ошибку вносит полоса поглощения при 800 ммк, которая в красной области накладывается на основное поглощение. [21]

Изменяя определенным образом состав ХСП, можно изменять ширину запрещенной зоны и тем самым сдвигать край полосы основного поглощения в широком диапазоне длин волн. На рис. 4.2.1 приведены кривые, демонстрирующие сдвиг полосы поглощения при облучении пленок двух разных ХСП. [22]

V-полосы поглощения в спектрах кристаллов КВг, рентгенизованных при комнатной температуре ( 75. [23]

В спектрах поглощения фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений наблюдается ряд полос, расположенных преимущественно в ультрафиолетовой области, следующей за основным поглощением в сторону длинных волн. [24]

Показатели работы углэй СКТ-2 и Норит. [25]

Из данных табл. 8.1 следует, что при использовании угля СКТ-2 все тарелки активно участвуют в работе, а при угле АГК-м основное поглощение происходит на первой тарелке и лишь незначительное - на второй. [26]

Для объяснения принципа работы пленочного элемента на основе CdTe в работе [8] была предложена модель р-гс-гетеропере-хода, показанная на рис. 10.7. В этой модели основное поглощение и генерация электронно-дырочных пар происходят в слое CdTe. Причем существенно, чтобы часть слоя, примыкающая к Cu2S, была компенсирована. [27]

Кривые адсорбции щавелевой щий объем слоя. и критериальным кислоты. уравнением неопределенной формы. [28]

Подавляющая роль внешнедиффузионного сопротивления при жидкостной адсорбции подтверждается также кривой адсорбции различных кислот на различных адсорбентах ( рис. 4, 5), где основное поглощение проходит в первый период - прямолинейный участок кривой. [29]

Спектры возбуждения смешанных ZnS-CdS-MnS ( 2 - 10-а в / г.| Спектр а - поглощения и б - излучения CdS ( 60 %, MnS ( 40 % - фосфора при - 180 С. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5