Основное поглощение

Cтраница 3

Исследование спектров возбуждения ZnS - МпЗ - фосфоров показало, что1 они состоят их трех областей: область 7 - X 340 ли - основное поглощение ZnS, область II - - от 340 до 370 мр - слабое сплошное поглощение и область / / / - поглощение в отдельных полосах, максимумы которых располагаются около 396, 430, 470 и 503 лш. [31]

Представляется разумным приближением дальнейшее упрощение формулы (5.10), учитывающее тот факт, что основная область поглощения гелия лежит в крайнем ультрафиолете, между тем как основное поглощение твердой стенки ( металлы, кварц) находится при существенно меньших частотах. [32]

Поскольку для ионизации возбужденного иона ( А) требуется меньшая энергия, чем для ионизации иона в основном состоянии ( А), конфигурационное расщепление приводит к поглощению в спектральном окошке за краем основного поглощения. Как было указано, этот эффект дает существенный вклад в непрозрачность. [33]

С повышением рН скорость процесса возрастает. При этом основное поглощение происходит в первые 15 мин озонирования. Поглощение озона в нейтральной среде, после обесцвечивания растворов, резко уменьшается. Однако через некоторое время исходная желтая окраска не только быстро восстанавливается, но и усиливается, особенно заметно в случае каратана. Как установлено, она обусловливается появлением в растворе соответствующих динитрофенолов. При повторном озонировании возобновившаяся окраска быстро и необратимо исчезает. При низкой концентрации препаратов в воде ( 1 - 2 мг / дм3) озонирование в нейтральной среде дозами 10 - 20 мг / дм3 обеспечивает полное их разложение. [34]

Грамацкий и Муншнскии [97] исследовали фотопроводимость и спектральные характеристики поглощения и отражения света в тонких слоях толщиной 0 3 - 2 мк. Красная граница основного поглощения GaTe находится при длине волны 0 89 мк. Величина ДЖ из этих данных для различных образцов колеблется и в среднем равна 1 42 эв. Ширина запрещенной зоны GaTe линейно падает с повышением температуры и при 0 К равна 1 52 эв. [35]

Грамацкий и Мушинский [97] исследовали фотопроводимость и спектральные характеристики поглощения и отражения света в тонких слоях толщиной 0 3 - 2 мк. Красная граница основного поглощения GaTe находится при длине волны 0 89 мк. Ширина запрещенной зоны GaTe линейно падает с повышением температуры и при 0 К равна 1 52 эв. [36]

Азобензол CeHs-N N-CeHs кажется оранжевым потому, что его максимум поглощения равен 450 ммк. У тио-бензофенона СеШ - CS-GeHs основное поглощение в области более длинных волн, а именно при К 620 ммк. [37]

Поэтому представляется возможным, что в InAs основное поглощение обусловлено прямыми переходами. [38]

Температурные зависимости для германия концентрации электронов ( а, подвижности. [39]

Оптические свойства германия похожи на оптические свойства кремния. На рис. 18.42, б показаны спектры основного поглощения германия. [40]

Температурные зависимости концентрации электронов в германии с разной концентрацией - мышьяка. [41]

Оптические свойства германия похожи на оптические - свойства кремния. На рис. 22 - 44 показаны спектры основного поглощения германия. [42]

Как показало изучение фотопроводимости [104], облучение в области основного поглощения окиси цинка приводит к образованию электронов и дырок. [43]

Изолинии моляикип магнитной восприимчивости. [44]

Как было показано в работах [3, 4, 8], соотношение Кирквуда можно использовать, если ширина запрещенной зоны превосходит 1 0 - 1 5 эв. Для исследованных стекол энергия активации Eg, определенная по краю полосы основного поглощения ( аналог ширины запрещенной зоны), составляет 2 6 - 5 3 эв. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5