Основное поглощение

Cтраница 4

Спектрограмма желтой водородоподобной серии линий поглощения экситопа в Сн2О при 4 2 К. Сверху указан номер членов серии, частоты к-рых удовлетворяют водородоподобной сериальной формуле. [46]

Кроме межзонных переходов, в кристаллах возможны внутризонныо переходы, напр. Эти переходы приводят к появлению полос поглощения в длинноволновой стороне от края полосы основного поглощения нек-рых полупроводников / j - тииа. Возможно также поглощение свободными носителями ( электронами и дырками) при переходах в пределах одной подзоны. [47]

Некоторое поглощение на колебаниях решетки наблюдается также и в полупроводниках IV группы типа алмаза, хотя в этом случае все узлы решетки электрически эквивалентны. Но это уже слабый эффект второго порядка, и его не следует смешивать с основным поглощением на колебаниях решетки. При более высоких частотах наблюдается слабое поглощение, но оно обусловлено двухфононным процессом второго порядка. [48]

Изменения оптических свойств могут проявляться либо косвенно, через изменение концентрации носителей, либо непосредственно - через образование полос поглощения. Обычно снижение концентрации носителей увеличивает прозрачность полупроводников в области длин волн, лежащей за пределами края основного поглощения. Эта область включает инфракрасную область, представляющую интерес для некоторых военных применений. Кроме того, в полупроводниках полосы поглощения можно непосредственно ввести в инфракрасную область с помощью дефектов, образующихся под действием облучения в отличие от большинства изоляторов, в которых вакансии и междоузлия, называемые центрами окраски, создают сильные полосы поглощения в видимой области спектра. [49]

Оптическое поглощение Т в пленках GaAs ( ft 18 мкм, осажденных на. [50]

На рис. 199 приведены результаты измерений Панка и Дэви ( 1966 г.) на пленках GaAs вблизи края основного поглощения. Избыточное поглощение непосредственно за краем полосы ( в сторону более длинных волн, меньших энергий) обусловлено мелкими примесями, а также структурным несовершенством, проявляющимся в виде возмущений зонной структуры, приводящих к появлению хвоста состояний в запрещенной зоне. Дискретные пороги поглощения при энергиях, меньших & g, обычно непосредственно связываются с дискретными уровнями в запрещенной зоне, обусловленными определенными примесями или несовершенствами. [51]

Поверхности обрабатываются таким образом, чтобы на обеих поверхностях образца скорость поверхностной рекомбинации s была одинаковой. Затем кристалл облучается светом, длина волны которого достаточно велика для того, чтобы проникнуть в кристалл без значительного поглощения, но тем не менее близка к краю основного поглощения ( где / ko AS) настолько, чтобы создать заметную концентрацию электронно-дырочных пар. [52]

Поверхности обрабатываются таким образом, чтобы на обеих поверхностях образца скорость поверхностной рекомбинации s была одинаковой. Затем кристалл облучается светом, длина волны которого достаточно велика для того, чтобы проникнуть в кристалл без значительного поглощения, но тем не менее близка к краю основного поглощения ( где йсо Д §) настолько, чтобы создать заметную концентрацию электронно-дырочных пар. [53]

Случайное вырождение происходит тогда, когда два различных колебания имеют почти одинаковую энергию. Хотя чисто вращательные ИК-спектры большинства молекул наблюдаются только в дальней ИК-области, вращательные энергетические уровни сопровождают колебательные ( рис. 5.5), так что в спектрах газовой или паровой фазы на основное поглощение, обусловленное колебательным переходом, неизменно налагаются вращательные крылья. Совокупность линий, расположенных со стороны низких частот ( переходы с AJ - 1), называется Р - ветвъю, поглощение, совпадающее с чисто колебательной частотой, - Q-ветвъю ( Д7 0), а линии со стороны высоких частот ( AJ 1) - R-ветвъю. [54]

Случайное вырождение происходит тогда, когда два различных колебания имеют почти одинаковую энергию. Хотя чисто вращательные ИК-спектры большинства молекул наблюдаются только в дальней ИК-области, вращательные энергетические уровни сопровождают колебательные ( рис. 5.5), так что в спектрах газовой или паровой фазы на основное поглощение, обусловленное колебательным переходом, неизменно налагаются вращательные крылья. Совокупность линий, расположенных со стороны низких частот ( переходы с AJ - 1), называется Р - ветвъю, поглощение, совпадающее с чисто колебательной частотой, - Q-ветвью ( ДУ 0), а линии со стороны высоких частот ( AJ 1) - R-ветвъю. [55]

Спектральные кривые поглощения аддитивно окрашенных кристаллов KJ при низкой температуре. [56]

Какие же электронные переходы возникают в процессе поглощения в а-и р-полосах. Прежде всего следует подчеркнуть, что обе полосы расположены у длинноволнового края собственного поглощения кристалла и поэтому они должны быть связаны с процессами, происходящими при поглощении света в области длинноволнового спада основного поглощения. [57]

Оптические свойства полупроводника определяются характером взаимодействия фотонов с электронами. В конечном итоге это взаимодействие выражается в способности поглощать, отражать и преломлять свет с различной длиной волны. На рис. 21 - 43 изображен спектр основного поглощения для кремния, полученный для высокоомпого при комнатной температуре образца. [58]

Энергетическое положение пиков отражения Sb2S3, Sb2Ses и SbYTea в зависимости от постоянной решетки. [59]

В каче стве параметра, по которому производится сравнение, был выбран параметр с в ромбической решетке и параметр а - в ромбоэдрической. Нижняя кривая отражает почти линейное изменение положения края основного поглощения Ее в этих кристаллах. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5