Линейная погрешность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Девушке было восемнадцать лет и тридцать зим. Законы Мерфи (еще...)

Линейная погрешность

Cтраница 2


Гораздо более сложно учесть влияние на величину линейной погрешности миграционной подвижности атомов.  [16]

При травлении рисунка микросхемы обычно выделяют два фактора, определяющие величину линейной погрешности: под-травливание, характеризуемое так называемым клином травления, и погрешность, связанную с недостаточной стойкостью фото-резистивного слоя к используемым растворам и продуктам травления. Если величина подтравливания при использовании изотропных травителей соизмерима с толщиной стравливаемого слоя, то вторая составляющая линейной погрешности определяется интенсивностью процесса стравливания. Так, например, при травлении хромового резистивного слоя в присутствии алюминия ( материал контактной площадки) в травителях, содержащих соляную кислоту, происходит бурное выделение водорода, в результате чего может происходить отслаивание пленки фоторезиста, а это, в свою очередь, приводит к увеличению линейной погрешности.  [17]

Для того чтобы линейная погрешность свидетеля была равна ( или хотя бы близка) линейной погрешности резисторов микросхемы, необходимо, чтобы условия, определяющие геометрию и свидетеля и резисторов микросхем, были бы одинаковы.  [18]

Первый член правой части последнего соотношения является суммой градиентной и аппаратурной погрешностей резистора, следующий за ним - линейной погрешностью и последний - контактной. Линейная погрешность - параметр, определяющий невоспроизводимость резисторов вследствие отклонения эффективного значения ширины резистора от заданной величины, вызванного ( при масочной технологии) заращиванием трафарета распыляемым материалом, первоначальной погрешности ширины щели, подпыления материала резистора за границы, определяемые трафаретом, и пр.  [19]

В зависимости от способа получения рисунка микросхемы в эту группу могут входить различные параметры, однако способы оценки их влияния и пути минимизации линейной погрешности в целом одинаковы.  [20]

Величина контактного сопротивления определяется двумя основными факторами: переходным сопротивлением на границе раздела проводящей и резистивной пленок и погрешностью длины резистора, которая по формальному признаку должна была быть отнесена к линейной погрешности. Введение ее в состав контактной погрешности методически более оправдано, поскольку при проектировании топологии микросхемы безразлично, чем вызвана данная погрешность, а имеют значения лишь способы ее минимизации.  [21]

Очевидно, что точность изготовления пленочных компонентов не может быть лучше указанной величины, а если учесть, что помимо рассматриваемого параметра на воспроизводимость линейных размеров влияют и другие факторы, то очевидно, что линейная погрешность будет иметь большую величину.  [22]

Анализируя рассмотренные формулы, можно сделать следующие выводы [74]: редукция в конце цепи у тихоходного звена должна быть наибольшей, тогда при сохранении для всей цепи 1общ в меньшей мере будут сказываться погрешности быстроходной части цепи; тихоходное звено следует выполнять с наивысшей точностью, так как его погрешности ( или боковой зазор) имеют наибольшее передаточное отношение i 1; линейные погрешности зацепляющейся пары зубчатых колес одинаково проявляются на выходном звене; угловые погрешности колес, имеющих равные угловые скорости, проявляются на выходном звене одинаково.  [23]

Первый член правой части последнего соотношения является суммой градиентной и аппаратурной погрешностей резистора, следующий за ним - линейной погрешностью и последний - контактной. Линейная погрешность - параметр, определяющий невоспроизводимость резисторов вследствие отклонения эффективного значения ширины резистора от заданной величины, вызванного ( при масочной технологии) заращиванием трафарета распыляемым материалом, первоначальной погрешности ширины щели, подпыления материала резистора за границы, определяемые трафаретом, и пр.  [24]

Указываются дополнительные взаимосвязи ( см. § 6 гл. Мы определяем п-ю минимальную линейную погрешность и находим, как она связана с линейным n - поперечником по Колмого-рову.  [25]

Эти патрубки соединяются с емкостью при помощи резиновых колец, фланцев и болтов. Такие соединения обеспечивают компенсацию угловой и линейной погрешности установки двух соседних блоков.  [26]

Компенсаторы и резинотканевые рукава с быстросборными соединениями предназначены для соединения коммуникаций двух соседних блоков. Их конструкция позволяет компенсировать угловую и линейную погрешность установки указанных блоков.  [27]

Контактная погрешность, кроме переходного сопротивления на границе раздела резистивной и проводящей пленок, определяется также и величиной погрешности, вызванной подпылением, неточным изготовлением трафаретов и пр. Поэтому все сказанное относительно различия линейной погрешности при нанесении свидетеля и резисторов микросхемы справедливо и для контактной погрешности.  [28]

С уменьшением тангенса угла фактическое направление приближается к заданному. Иначе говоря, при одной и той же линейной погрешности а ( величина первого катета) точность направления возрастает с увеличением длины второго катета прямоугольного треугольника, из которого определяется величина тангенса угла между прямыми.  [29]

Неплотное прилегание маски к подложке объясняет наблюдаемое увеличение ширины наносимой пленки относительно размера щели в трафарете. Именно здесь целесообразно разъяснить, что имелось в виду в определении понятия линейной погрешности, когда говорилось об эквивалентном изменении линейных размеров компонентов. В данном случае, несмотря на то, что ширина напыленной пленки больше расчетной, сопротивление резистора возрастает по сравнению с образцами, изготовленными без подпы-ления. В самом деле, количество материала, прошедшего через маску в каждом сечении, очевидно, не зависит от наличия зазора между подложкой и трафаретом. Одновременно это означает, что поперечное сечение резистора остается постоянным при любом зазоре. Если учесть, что для тонких пленок имеет место обратно пропорциональная зависимость удельного сопротивления от толщины пленки, то при толщинах больше критических из двух пленок равного поперечного сечения большим сопротивлением обладает пленка большей ширины.  [30]



Страницы:      1    2    3    4