Линейная погрешность
Cтраница 3
К первой группе относятся методы так называемой взрывной фотолитографии, при использовании которых линейная погрешность из-за подтравливания технологического слоя также положительна. Вторая более многочисленная группа процессов включает в себя традиционные методы последовательной и селективной фотолитографии и характеризуется отрицательным значением линейной погрешности. Очевидно, что в каждом конкретном случае знак линейной погрешности определяется соотношением погрешностей всех стадий процесса, но поскольку абсолютное значение погрешности при травлении значительно больше, чем всех предыдущих вместе взятых стадий процесса, знак линейной погрешности обычно совпадает со знаком погрешности при травлении. [31]
 |
Телеизмерительная система с индукционным преобразователем. [32] |
При этом показания логометра не зависят от напряже-ия L o, а также от сопротивления линейных проводов и со-тояння изоляции линии. В реальных услови-х полная симметрия линии связи не обеспечивается, а потому возникновение линейных погрешностей не исключено. [33]
В другом варианте свидетель изготавливается на отдельной подложке и его размеры заранее определены расстоянием между предварительно нанесенными контактными площадками и шириной подложки свидетеля. Очевидно, что и в этом случае трудно говорить об идентичности условий, определяющих линейную погрешность свидетеля и резисторов микросхемы. [34]
При травлении рисунка микросхемы обычно выделяют два фактора, определяющие величину линейной погрешности: под-травливание, характеризуемое так называемым клином травления, и погрешность, связанную с недостаточной стойкостью фото-резистивного слоя к используемым растворам и продуктам травления. Если величина подтравливания при использовании изотропных травителей соизмерима с толщиной стравливаемого слоя, то вторая составляющая линейной погрешности определяется интенсивностью процесса стравливания. Так, например, при травлении хромового резистивного слоя в присутствии алюминия ( материал контактной площадки) в травителях, содержащих соляную кислоту, происходит бурное выделение водорода, в результате чего может происходить отслаивание пленки фоторезиста, а это, в свою очередь, приводит к увеличению линейной погрешности. [35]
Знак линейной погрешности на каждой из стадий процесса получения рисунка определяется тем, какой из двух основных типов процессов используется: негативный или позитивный. Так, при использовании негативных фоторезистов экспонированные участки, соответствующие неудаляемой части покрытия, получаются несколько больше, чем соответствующие им светлые поля фотошаблона и, следовательно, на этом этапе линейная погрешность положительна. При использовании негативных фоторезистов наблюдается обратная картина, соответствующая отрицательным значениям линейной погрешности. [36]
Линейная погрешность определяется максимальным отклонением передаточной функции преобразователя от прямой линии, соединяющей оба конца интервала преобразования. Эта погрешность измеряется в процентах диапазона преобразования или в долях самого младшего разряда. Дифференциальная линейная погрешность - это отклонение от указанной выше прямой на произвольных участках преобразования за пределы одного бита. [37]
На торцах резервуара желоб и коллектор имеют патрубки из труб соответственно 426x9 и 273X8 для соединения с желобами и коллекторами соседних блоков. Эти патрубки соединяются с резервуаром при помощи резиновых колец, фланцев и болтов. Такие соединения обеспечивают компенсацию угловой и линейной погрешности установки двух соседних блоков. [38]
Знак линейной погрешности на каждой из стадий процесса получения рисунка определяется тем, какой из двух основных типов процессов используется: негативный или позитивный. Так, при использовании негативных фоторезистов экспонированные участки, соответствующие неудаляемой части покрытия, получаются несколько больше, чем соответствующие им светлые поля фотошаблона и, следовательно, на этом этапе линейная погрешность положительна. При использовании негативных фоторезистов наблюдается обратная картина, соответствующая отрицательным значениям линейной погрешности. [39]
Одним из основных показателей, характеризующих телеизмерительную систему, является погрешность результата измерения. Эта погрешность называется абсолютной погрешностью телеизмерения. Она складывается из погрешности преобразователя КП, погрешности, накладываемой каналом связи ( линейной погрешности), погрешности преобразователя ДП и погрешности приемных приборов. Нередко систему характеризуют приведенной погрешностью, которая представляет собой отношение абсолютной погрешности к максимальной величине контролируемого параметра, или относительной погрешностью, выраженной отношением абсолютной погрешности к действительному значению телеизме-ряемой величины. Эти погрешности исчисляются в процентном выражении. [40]
К первой группе относятся методы так называемой взрывной фотолитографии, при использовании которых линейная погрешность из-за подтравливания технологического слоя также положительна. Вторая более многочисленная группа процессов включает в себя традиционные методы последовательной и селективной фотолитографии и характеризуется отрицательным значением линейной погрешности. Очевидно, что в каждом конкретном случае знак линейной погрешности определяется соотношением погрешностей всех стадий процесса, но поскольку абсолютное значение погрешности при травлении значительно больше, чем всех предыдущих вместе взятых стадий процесса, знак линейной погрешности обычно совпадает со знаком погрешности при травлении. [41]
Конечная толщина маски и напыление на подложку под некоторым углом являются источниками погрешности другого типа, связанной с образованием полностью или частично затененных участков подложки, на которых должна быть нанесена пленка. Особенно велико влияние этого фактора при изготовлении резисторов малой ширины и при напылении на вращающиеся подложки в отсутствии экранирующих диафрагм. Количественная оценка этого влияния для случая неподвижных подложек и достаточно толстых пленок подсчитывается просто, однако в случае испарителей сложной формы и относительного перемещения подложек и испарителей целесообразно проводить экспериментальное определение параметров линейной погрешности. [42]
При травлении рисунка микросхемы обычно выделяют два фактора, определяющие величину линейной погрешности: под-травливание, характеризуемое так называемым клином травления, и погрешность, связанную с недостаточной стойкостью фото-резистивного слоя к используемым растворам и продуктам травления. Если величина подтравливания при использовании изотропных травителей соизмерима с толщиной стравливаемого слоя, то вторая составляющая линейной погрешности определяется интенсивностью процесса стравливания. Так, например, при травлении хромового резистивного слоя в присутствии алюминия ( материал контактной площадки) в травителях, содержащих соляную кислоту, происходит бурное выделение водорода, в результате чего может происходить отслаивание пленки фоторезиста, а это, в свою очередь, приводит к увеличению линейной погрешности. [43]
К первой группе относятся методы так называемой взрывной фотолитографии, при использовании которых линейная погрешность из-за подтравливания технологического слоя также положительна. Вторая более многочисленная группа процессов включает в себя традиционные методы последовательной и селективной фотолитографии и характеризуется отрицательным значением линейной погрешности. Очевидно, что в каждом конкретном случае знак линейной погрешности определяется соотношением погрешностей всех стадий процесса, но поскольку абсолютное значение погрешности при травлении значительно больше, чем всех предыдущих вместе взятых стадий процесса, знак линейной погрешности обычно совпадает со знаком погрешности при травлении. [44]
Величина такого запыления определяется количеством испаренного материала, его физико-химическими свойствами и особенностями взаимодействия с материалом маски в выбранном диапазоне технологических режимов. На рис. 77 - 79 представлены результаты замеров среднего значения ширины щели в биметаллической маске после многократного напыления слоев хрома, меди и моноокиси кремния. Заращивайие трафарета хромом сопровождается образованием нитевидных структур ( по-видимому, свернутых напряжениями сжатия тонких хромовых слоев), приводящих к местным дефектам резистивной пленки. Пластичная медь монотонно заращивает трафарет, а периодически обрушивающиеся слои моноокиси кремния приводят к случайному значению линейной погрешности. [45]
Страницы: 1 2 3 4