Подача - обратное напряжение
Cтраница 1
Подача обратного напряжения на затвор относительно истока приводит к расширению области объемного заряда р-я-перехода ( затвора) и к сужению канала. Поэтому статические характеристики смещаются в область меньших токов стока. Первые участки вольт-амперных характеристик имеют другой наклон, соответствующий большим значениям сопротивления канала. Второй участок характеристик ( участок насыщения) при обратных напряжениях на затворе наблюдается при меньших величинах напряжения стока, так как исходное сечение канала при этом оказывается меньше. [2]
Допускается подача обратного напряжения на управляющий электрод не более 3 В. [3]
При подаче обратного напряжения любой р-п переход представляет собой конденсатор, диэлектриком которого служит высокоомный запирающий слой с низкой концентрацией носителей заряда, а электродами - слои полупроводникового материала по обе стороны от него, сохраняющие высокую проводимость. Емкость такого конденсатора, называемая барьерной ( рис. 53, а), определяется обратным напряжением t / o6p и уменьшается с его ростом, так как запирающий слой расширяется, что равносильно увеличению расстояния между электродами. [4]
 |
Вольт-амперные ха-цактеристики точечного триода.| Схема полупроводникового тетрода.| Схема канального триода. г.| Вольт-амперные характеристики канального триода. [5] |
При подаче обратного напряжения на переход р-п увеличивается статический объемный положительный заряд в полупроводнике я-типа около полупроводника / типа. В самом полупроводнике ( р-типа) вследствие его малой толщины ( и большой концентрации акцепторной примеси) образующийся заряд практически оказывается поверхностным. [6]
При подаче обратного напряжения на затвор p - n - переход расширяется, толщина канала уменьшается, его сопротивление возрастает и ток становится меньше. Когда напряжение затвора достигает величины напряжения отсечки, канал полностью перекрывается и ток в выходной цепи падает до минимального значения, определяемого концентрацией неосновных носителей заряда. Эта составляющая выходного тока является неуправляемой, ее величина при нормальной температуре составляет единицы наноампер, а при повышенной температуре - единицы микроампер. [7]
 |
Триодный тиристор. [8] |
Это аналогично подаче обратного напряжения на диод. Через тиристор течет ток, равный обратному току. [9]
 |
Схемы стабилизаторов с дросселем переменной индуктивности ( а и со стабилитронами ( б и г, а также характеристика зенеровского диода ( в. [10] |
Однако при подаче обратного напряжения сопротивление стабилитрона сначала очень велико и через него протекает ток порядка нескольких микроампер. По достижении некоторой критической точки внутреннее сопротивление диода резко снижается почти до нуля. Резкое уменьшение сопротивления диода вызывает резкое увеличение тока до такой величины, при которой обычный кремниевый диод таких же размеров, безусловно, вышел бы из строя. Однако этот явный пробой не нарушает работоспособности диода. Это происходит потому, что при определенной величине обратного напряжения носители преодолевают внутренний потенциальный барьер полупроводникового диода, приводя к появлению проводимости диода в обратном направлении. Если теперь обратное напряжение уменьшится до нуля, то внутренний потенциальный барьер вновь восстановится и диод перейдет в нормальный режим работы. [11]
Это происходит вследствие процесса рассасывания неосновных носителей ( при подаче обратного напряжения), накопленных за время проте-каниятока в прямом направлении. Этот процесс рассасывания вызывает всплеск тока в противоположном направлении, причем величина всплеска значительно превышает установившуюся величину обратного тока. Время, в течение которого обратный ток диода приходит к установившемуся значению, называется временем восстановления обратного сопротивления диода. [12]
 |
Напряжение и ток диода при его отпирании.| Напряжение и ток диода при его запирании. [13] |
Это происходит вследствие процесса рассасывания неосновных носителей ( при подаче обратного напряжения), накопленных за время протекания тока в прямом направлении. [14]
Существуют и другие схемы запирания тиристора, основанные на принципе подачи обратного напряжения на тиристор. Следует отметить, что специальные схемы для запирания тиристоров необходимы только на постоянном токе. [15]
Страницы: 1 2 3 4