Подача - обратное напряжение
Cтраница 2
При небольших анодных токах возможно выключение тиристора и по цепи управления путем подачи обратного напряжения на управляющий электрод. Однако запирающий ток при этом получается одного порядка с анодным током и на запирание расходуется значительная мощность. [16]
Наконец, некоторое распространение получили тиристоры, у которых восстановление высокого сопротивления происходит при подаче небольшого обратного напряжения на управляющий электрод. [17]
Триодный тиристор, или просто тиристор, включается импульсами тока управления, а выключается или подачей обратного напряжения или прерыванием тока с помощью другого аппарата. [18]
 |
Процессы в яр-переходе при наличии обратного напряжения. потоки носителей заряда ( а. потенциальная диаграмма ( б. распределение концентрации электронов и дырок ( в. распределение токов ( г. [19] |
На рис. 10.5 г эти токи отложены вниз относительно оси х, поскольку ток изменил направление при подаче обратного напряжения. [20]
При наличии в электроустановке потребителя местного источника питания ( резервной передвижной или стационарной электростанции небольшой мощ - - ности), не оборудованного автоматическим устройством, блокирующим подачу обратного напряжения от этого источника питания в отключенную сеть энергосистемы, в технических условиях необходимо задавать требование об устройстве специального перекидного переключателя или сблокированного рубильника, предотвращающих подачу напряжения в отключенную сеть энергосистемы. [21]
Если к р-л-переходу приложено прямое напряжение смещения, то запорный слой наводняется носителями заряда и ведет себя, как зависящее от напряжения низкоомное сопротивление. При подаче обратного напряжения, наоборот, запорный слой обедняется носителями заряда и ведет себя в основном, как плоский конденсатор с диэлектриком. Расстояние между обкладками этого конденсатора равно толшине запорного слоя ds, а площадь обкладок - площади запорного слоя F. Толщина запорного слоя d, зависит от локального распределения доноров и акцепторов в слое. [22]
В исходном состоянии испытуемый диод проводит ток в прямом направлении; величина его определяется сопротивлением Ri. При подаче обратного напряжения возникает процесс, обусловленный накопленным зарядом неравновесных носителей. Время восстановления обратного сопротивления измеряется от момента подачи запирающего перепада напряжения до момента уменьшения обратного тока до заданного уровня. [23]
Охранное кольцо возникает при второй диффузии с меньшей концентрацией доноров. При подаче обратного напряжения лавинный пробой возникает в п - р переходе, так как в нем напряженность пробоя достигается раньше, чем в области кольца. [24]
Для получения высоких выходных напряжений необходимо использовать два или несколько стабилизаторов. Диоды предотвращают подачу обратного напряжения на тиратроны. Так как каждый тиратрон проводит только половину периода, наибольшее значение среднего тока тиратрона 1К ср, усредненное за полуиериод, равно 2 / к ср. [25]
С увеличением обратного напряжения обратный ток также растет, но медленнее, чем с повышением температуры. Лишь при подаче обратного напряжения, больше нормированного, происходит резкое его увеличение, что может привести к тепловому пробою р-п перехода. [26]
 |
К измерению времени включения симметричных тринисторов. а - импульс тока управления, б - напряженке на приборе в процессе открывания. [27] |
Прибор ИТ включают способом, описанным ранее. Затем прибор выключают подачей обратного напряжения 0т генератора выключающих импульсов ГВИ. Далее на нрибор подают с регулируемым временем задержки напряжение прямой полярности от генератора Г с заданными амплитудой и крутизной фронта. [28]
Этот тонкий поверхностный слой р-типа на германии - типа препятствует прохождению тока в обратном направлении. Анодная поляризация такого электрода соответствует подаче обратного напряжения, что еще больше увеличивает потенциальный барьер. На германиевом электроде р-типа барьер не возникает, так как при условиях анодной поляризации на поверхности полупроводника р-типа образуется обогащенный слой. [29]
 |
Вольт-амперная - характеристика тиристора. [30] |
Страницы: 1 2 3 4