Подача - обратное напряжение
Cтраница 3
Когда анодный ток снижается до значения, меньшего тока удержания, тиристор переходит в запертое состояние. Обычно запирание проводящего ток тиристора производится путем подачи обратного напряжения. [31]
 |
Вольт-амперная характеристика кремниевого стабилитрона. [32] |
Основной элемент полупроводникового параметрического стабилизатора - так называемый кремниевый стабилитрон ( КС), или диод Зе-нера. Принцип его действия заключается в следующем: при подаче больших обратных напряжений наступает как бы пробой диода, ток в обратном направлении резко возрастает, но при уменьшении напряжения так же резко спадает. Как видно из рис. 8.6, при увеличении напряжения на диоде от нуля до t / CT ток через диод практически не протекает. Когда же напряжение достигает значения t / CT, ток быстро возрастает при сравнительно малом изменении падения напряжения на стабилитроне. [33]
При переключении кремниевого диода, например, типа 1 N482, из состояния прямой проводимости на обратное напряжение требуется определенное время для восстановления высокого значения обратного сопротивления. Это время восстановления зависит от величины прямого тока, непосредственно предшествующего подаче обратного напряжения, и от сопротивления управляющего источника после установления обратного напряжения. Обычно для этого типа диодов время восстановления будет больше времени рассасывания и спада транзистора Т4 при отсутствии обратного тока базы. Следовательно, если при запирании транзистора Т4 в его базовой области находятся задержанные заряды, замедляющие процесс выключения, напряжение базы V2 падает ниже V. Кремниевый диод, обладающий большим временем восстановления, пропускает значительный обратный ток и ускоряет процесс выключения. Обратный ток кремниевого диода и ток 0 1 ма, протекающий через R В, обеспечивают такую же скорость выключения, что и в обычных схемах с непосредственными связями. [34]
В результате детального изучения схемы и методики испытаний было установлено, что при испытаниях системы управляемого снаряда на поляризованный танталовый конденсатор подавалось очень небольшое обратное напряжение. Чтобы выяснить, может ли это напряжение вывести конденсатор из строя, была составлена схема подачи обратного напряжения на 10 образцов конденсатора. [35]
В результате детального изучения схемы и методики испытаний было установлено, что при испытаниях системы управляемого снаряда на поляризованный танталовыи конденсатор подавалось очень небольшое обратное напряжение. Чтобы выяснить, может ли это напряжение вывести конденсатор из строя, была составлена схема подачи обратного напряжения на 10 образцов конденсатора. [36]
Измерительным прибором служит двухлучевой осциллограф типа С1 - 16Б или СИ-17, на один вход которого с безынд ктивного шунта подается импульс тока, протекающего через ИВ, на второй - напряжение анод - катод испытуемого тиристора. Плавно сдвигая по фазе импульс управления, подаваемый на ВУ3, можно перемещать импульс повторно прикладываемого прямого напряжения относительно момента подачи обратного напряжения. В схеме ( рис. 2 - 42) трансформаторы Tpi л Тр2 имеют следующие конструктивные данные: Tpi - 220 / 1600, мощность 0 5 кв - а, Тр2 - 220 / 380, мощность 2 500 в а. [37]
Электронно-дырочный переход, являющийся двойным слоем разноименных зарядов, ведет себя как плоский конденсатор, диэлектриком которого является запорный слой. Емкость этого конденсатора называется зарядной или барьерной емкостью Сб. При подаче обратного напряжения толщина запорного слоя увеличивается, а зарядная емкость уменьшается. [38]
Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. Работа в активном режиме происходит в том случае, если на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном - обратное. Режим отсечки, или запирания, достигается подачей обратного напряжения на оба перехода. Если же на обоих переходах напряжение прямое, то транзистор работает в режиме насыщения. Активный режим является основным. [39]
Обычно излучение светодиода вызвано самопроизвольной рекомбинацией носителей заряда при их инжекции под действием прямого напряжения на электронно-дырочном переходе. Рекомбинация носителей может происходить как в прилегающих к p - n - переходу областях, так и в самом p - n - переходе. Иногда возбужденное состояние носителей заряда в светодиоде создают подачей обратного напряжения, при котором происходит ударная ионизация атомов полупроводника в р-п-переходе с последующей рекомбинацией неравновесных носителей заряда. [40]
Применение тиристоров не ограничивается однофазными схемами переменного тока. Они могут быть использованы и в многофазных схемах вместо обычных неуправляемых вентилей. Независимо от типа применяемой выпрямительной схемы, к ней предъявляются следующие два основных требования: схема должна позволять подавать в определенное время пусковые сигналы для отпирания тиристоров и обеспечивать запирание тиристоров подачей обратного напряжения. [41]
 |
Энергетическая диаграмма для контакта между полупроводником п-типа и полупроводником р-типа. [42] |
В этом случае электроны из металла переходят на свободные и более низкие дополнительные акцепторные уровни атомов примеси в полупроводнике. При этом на границе с металлом образуется объемный отрицательный заряд из отрицательных ионов примеси, а на поверхности металла положительный заряд. По аналогии с предыдущим случаем совершенно ясно, что при подаче обратного напряжения от внешнего источника ( плюс на металл, минус на полупроводник) обратный ток будет незначительный, а при другой полярности потечет прямой ток большой величины. [43]
Однако полученные элементы уступают германиевым диодам с золотой связкой или кремниевым диодам. Другой недостаток селеновых диодов состоит в том, что они имеют относительно большую емкость, колеблющуюся от 0 0015 до 0 0078 мкф на I см2 в зависимости от обратного напряжения, при котором они работают. Увеличение количества последовательных элементов для уменьшения емкости приводит к увеличению и без того большого прямого падения напряжения. Кроме того, селеновые диоды теряют свои выпрямляющие свойства при продолжительной работе с прямым током без подачи обратного напряжения. [44]
Работа идеализированного мощного выпрямителя показана на фиг. Такой прибор должен пропускать большие прямые токи без падения напряжения и не проводить ток в обратном направлении. Реальные полупроводниковые диоды имеют характеристики, подобные показанной на фиг. Здесь существует некоторое пороговое напряжение I / O, начиная с которого развивается значительный прямой ток, и последовательное ( прямое) сопротивление Rs. Ток, протекающий через прибор при подаче обратного напряжения, обусловлен объемной и поверхностной утечкой и обычно возрастает с увеличением обратного напряжения. При обратном напряжении Vb диод пробивается. Для эффективного выпрямителя напряжение V0, сопротивление Rs и обратные токи утечки должны быть минимальными, а Уь - возможно большим. [45]
Страницы: 1 2 3 4