Высокая подвижность - носитель
Cтраница 1
Высокая подвижность носителей в эрсепиде галлия, а также практическая безынерцион - [ Юсть электрооптического эффекта, обусловливали возможности модуляции света с частотой до 100 МГц. Был изготовлен такой модулятор, включающий 32 элемента в строке. Открывается перспектива работы ПВМС в интегрально-оптическом варианте, когда модулируемый спет распространяется вдоль слоя полупроводника, образующего канал ПЗС-структуры. [1]
Высокую подвижность носителей тока имеют: антимонид индия ( InSb) и арсенид индия ( InAs), эвтектические сплавы типа InSb-NiSb и InSb - QaSb, а также германий ( Ge), теллурий ( HgTe) и селенид ( HgSe) ртути, антимонид ( QaSb) и арсенид ( QaAs) галлия. Из таблицы видно, что увеличение концентрации носителей тока ведет к уменьшению температурного коэффициента сопротивления. [2]
Высокую подвижность поверхностных носителей, которую нашли Комптон, Шнайдер и Уэддингтон [35] в антрацене, Кирнс и Калвин [80] позже использовали как средство для оценки подвижности объемных носителей во фталоцианине. [3]
Вследствие высокой подвижности носителей возникающий ток относительно велик. Когда освещаемый электрод является отрицательным, кристалл должны пересечь отрицательно заряженные носители, но их подвижность низка, а поэтому ток довольно слаб. Таким образом достигается выпрямление. [4]
Мй-териалы с более высокой подвижностью носителей GaAs, однако для них пока не отработаны достаточно хорошо методы маскирования и стабилизации поверхности. [5]
Эти моменты определяют высокую подвижность носителей тока в алмазе, кремнии, германии, сером олове, а также Б их бинарных аналогах. Электропроводность веществ в рядах аналогов возрастает с увеличением атомного веса, термоэлектродвижущая сила при этом падает. [6]
Эти моменты определяют высокую подвижность носителей тока в алмазе, кремнии, германии, сером олове, а также в их бинарных аналогах. Электропроводность веществ в рядах аналогов возрастает с увеличением атомного веса, термоэлектродвижущая сила при этом падает. [7]
Использование полупроводников с более высокой подвижностью носителей тока, чем у Bi ( InSb, InAs), безусловно может значительно расширить применимость измерителей магнитных полей, основанных на эффекте Гаусса. [8]
Холла предпочтительны материалы с высокой подвижностью носителей, такие, как InAs и InSb. Датчик Холла может иметь очень малые размеры, что определяет возможность точных измерений. Препятствием является сильная температурная зависимость коэффициента Холла. [9]
Для эпитаксиальных пленок CdS характерна очень высокая подвижность носителей. Электрические свойства пленок CdS, эпитаксиально осаждаемых на подложки из GaAs при осуществлении химической транспортной реакции в квазизамкнутом объеме [151], в значительной степени зависят от условий их выращивания, причем наиболее существенно - от температуры подложки. При повышении температуры подложки концентрация носителей возрастает по экспоненциальному закону. При этом также увеличивается подвижность электронов. [10]
 |
Датчик Холла. [11] |
Именно в чистых полупроводниках обеспечивается высокая подвижность носителей тока, поэтому постоянная Холла для чистых полупроводников во много раз больше, чем для металлов. [12]
 |
Структура алмаза. [13] |
Малая ширина запрещенной зоны и высокие подвижности носителей тока обусловливают высокую проводимость серого олова. Полупроводниковое серое олово применяется в технике инфракрасных лучей. [14]
В этом случае ожидают получить высокую подвижность носителей в кристаллической и большой коэффициент оптического поглощения в аморфной частях смеси. Такая микроскопическая гетерогенная система ставит новые вопросы перед теорией структуры связей, например: что собой представляет микрокристаллическая часть смеси. Что собой представляют границы фаз. [15]
Страницы: 1 2 3 4