Высокая подвижность - носитель
Cтраница 3
Основой для создания такого соединения может быть, например, антимонид индия, обладающий высокой подвижностью носителей. [31]
 |
Влияние формы образца ( n - InSb на величину изменения сопротивления в магнитном поле. [32] |
Этот же эффект следует иметь в виду и при работе с другими полупроводниками с высокой подвижностью носителей тока. [33]
Величина тока определяется скоростью прихода носителей из объема к поверхности, в случае полупроводника с высокой подвижностью носителей - током термоэлектронной эмиссии. [34]
В интересах повышения z желательно изыскать материал, в котором при больших эффективных массах наблюдалась бы высокая подвижность носителей тока. Дополнительные возможности открывает в этом направлении недавно обнаруженная в некоторых полупроводниках сложная форма зон. [35]
Увеличение подвижности носителей тока важно и для повышения высокочастотной чувствительности транзисторов, где использование материала с более высокой подвижностью носителей тока дает более кратковременное распространение инъектируемого импульса. Эти требования противоречат тенденции к повышению рабочей температуры транзисторов, которая связана с определенной величиной ширины запрещенной зоны материала. При увеличении последней рабочие температурные характеристики повышаются, подвижность падает. Все эти требования ограничиваются физико-химическими свойствами материалов и не могут быть изменены какими-либо конструктивными улучшениями в приборах. [36]
Материал для туннельного диода должен обеспечивать возможность получения технологическим способом узких p - n - переходов малой площади и емкости, иметь высокую подвижность носителей, что позволяет увеличить рабочую частоту диода до 30 - 50 ГГц. Этим требованиям из современных материалов удовлетворяют фосфид, арсенид и антимонид индия, арсенид и антимонид галлия, германий. Промышленностью выпускаются германиевые и арсенид-галлиевые диоды. [37]
В заключение обратим внимание на тот факт, что все данные, представленные на рис. 1 и 2, получены на образцах с высокой подвижностью носителей, указывающей на то, что флуктуации потенциала в месте нахождения двумерной системы невелики. [38]
По данным работ [97, 102-107], электрические свойства олова характеризуют его как полупроводник с малой шириной запрещенной зоны ( ДЕ 0 08 эв) и высокой подвижностью носителей тока [ п - 3000 см21в - сек. Подвижность электронов при температуре 100 К достигает величины 30000 см 1в - сек. [39]
Появление сведений об электронных свойствах Cd3As2 заставило пересмотреть представления о группе нормальных тетраэдрических фаз, которые, как казалось раньше, только одни могут обладать высокой подвижностью носителей тока. Теперь кажется, что избыточные тетраэдрические фазы, мало изучен-ные как полупроводники, таят в себе свойства не менее, а может быть и более интересные для полупроводниковой техники, чем свойства нормальных тетраэдрических фаз. [40]
Появление сведений об электронных свойствах Cd3As2 заставило пересмотреть представления о группе нормальных тетраэдрических фаз, которые, как казалось раньше, только одни могут обладать высокой подвижностью носителей тока. Теперь кажется, что избыточные тетраэдрические фазы, мало изученные как полупроводники, таят в себе свойства не менее, а может быть и более интересные для полупроводниковой техники, чем свойства нормальных тетраэдрических фаз. [41]
Она является основой количественного описания закономерностей переноса заряда, плотностей состояний, эффективных масс носителей как в хорошо проводящих материалах типа металлов, так и в полупроводниках с высокой подвижностью носителей и в изоляторах типа ионных кристаллов, таких, как галогениды щелочных металлов. Так, в случае антрацена и нафталина перенос дырок имеет зонный характер для всех кристаллографических направлений даже при комнатной температуре. Перенос электронов в направлениях осей я и b обнаруживает зоноподобную температурную зависимость, однако в направлении с подвижность не зависит от температуры при Т 100 К и не может быть описана в рамках традиционных моделей зонного или прыжкового переносов. [42]
В работе Цуи и Госсарда ( статья 2) сообщается о первом наблюдении квантового эффекта Холла в гетероструктурах GaAs - xGa1 x As с модулированным легированием, которые в настоящее время благодаря рекордно высокой подвижности носителей стали основным полигоном для изучения квантовых эффектов. [43]
К), является перспективным материалом для создания фотоприемников видимого и. Более высокая подвижность носителей обеспечивает хорошее быстродействие приборов. Для получения высокой чувствительности в УФ области спектра используется структура металл - полупроводник. В качестве полупрозрачного барьерного контакта наиболее часто применяется золото, дающее наибольшую высоту барьера. Оно характеризуется слабой зависимостью коэффициента пропускания от Я и большой устойчивостью к воздействию внешней среды. [44]
Сульфиды, селениды и теллуриды металлов представляют собой обширную группу полупроводников с разнообразными свойствами - от изолирующего сернистого кадмия до близкого к металлической проводимости теллуристого свинца или висмута. Последние соединения отличаются высокой подвижностью носителей тока ( до 1000 см2 / сек. [45]
Страницы: 1 2 3 4