Высокая подвижность - носитель
Cтраница 2
Среди полупроводниковых веществ существуют двойные соединения с высокой подвижностью носителей тока. К ним принадлежит и селе-нид ртути. [16]
Для повышения напряжения пробоя необходимо использовать материалы с высокой подвижностью носителей. [17]
Арсенид индия также характеризуется малой эффективной массой и высокой подвижностью носителей тока. [18]
В полупроводниках с малой шириной запрещенной зоны и высокой подвижностью носителей тока ( типа InSb) обнаружены различные физические явления, представляющие особый практический интерес. [19]
 |
Зависимость коэффициента kr ОТ tg6 для разных отношений а / Ь. [20] |
Основой этого материала служит антимонид индия InSb, обладающий высокой подвижностью носителей. [21]
Так же как и HgSe, тел-лурид ртути характерен высокой подвижностью носителей тока. Способ приготовления теллурида ртути в принципе такой же, как и селенида ртути, поэтому мы не приводим его описания. [22]
Высокочастотные ДБШ обычно изготовляют из арсенида галлия, который обладает высокой подвижностью носителей и хорошей растворимостью донорных примесей. Ом - см. При равной с кремнием концентрации носителей, что является условием равенства емкостей барьера, вследствие большей подвижности носителей GaAs имеет в 5 раз большую проводимость. Среди сплавов элементов III-V групп для изготовления ДБШ представляется перспективным InSb, обладающий еще в 9 раз большей подвижностью. Однако вследствие малого энергетического зазора выпрямляющий контакт на InSb может быть получен только при криогенных температурах, что ограничивает область его применения. [23]
Бориды обладают ярко выраженными металлическими свойствами - малым электросопротивлением, высокой подвижностью носителей тока, малой величиной термо-э. По Кислингу [19]; эти соединения характеризуются прочными связями между атомами бора, причем стремление к образованию и усилению этих связей увеличивается с повышением содержания бора в боридных фазах. [24]
Зонный механизм проводимости характерен для полупроводников с низким сопротивлением и высокой подвижностью носителей тока. Туннельный механизм электропроводимости обусловлен вероятностью безактивационного перехода ( просачивания) электронов через энергетический барьер. [25]
Обнаружение высокой подвижности в CdSnAs2, кроме того, показало, что высокая подвижность носителей тока может наблюдаться в веществах со структурой халькопирита, что раньше отвергалось некоторыми исследователями. [26]
При этом возникают квантовомеханические размерные эффекты, которые наиболее ярко выражены при высокой подвижности носителей. Поэтому в кремниевых МОП-транзисторах такие эффекты обычно исследуются при температуре жидкого гелия. На границе раздела гетероструктуры GaAs-AlGaAs электроны имеют высокую подвижность и двумерный электронный газ в ней возникает даже при комнатной температуре. Следует отметить, что изложенное справедливо также и для приборов с длинным каналом. [27]
Для изготовления магниторезистивных преобразователей напря-женностей и индукций магнитного поля применяются полупроводники с высокой подвижностью носителей тока, в том числе антимония индия, арсенид индия, эвтектические сплавы антимонида индия и антимонида никеля, а также теллурид и селенид ртути и другие полупроводниковые сплавы. [28]
Арсенид ( мышьяковистый) индия подобно InSb относится к числу интереснейших полупроводниковых соединений благодаря высокой подвижности носителей тока, малой эффективной массе и большому отношению подвижности носителей. [29]
 |
Внешний вид магниторезистора и зависимости его магниторезис-тивного отношения от фиф. [30] |
Страницы: 1 2 3 4