Электронная подсистема

Cтраница 3

При этом они предполагали, что константа диссоциации зависит от уровня возбуждения электронной подсистемы полупроводника, а само явление диссоциации и последующие химические реакции на границе раздела типично неравновесны. [31]

Квантовая природа межмолекулярного взаимодействия связана в первую очередь с квантовым характером поведения электронной подсистемы атомов и молекул. Так, например, согласно квантовой механике дипольный момент атома в основном состоянии испытывает квантовые флуктуации. Хотя среднее значение дипольного момента при этом равно нулю, но, например, среднее значение для квадрата дипольного момента уже не равно нулю. Учет этого обстоятельства приводит к новому, имеющему флук-туационное происхождение механизму возникновения ван-дер-ваальсова взаимодействия - к так называемым диполь-диполь-ным дисперсионным силам. Взаимодействие между невозбужденными инертными атомами на далеких расстояниях целиком обусловлено дисперсионными силами. [32]

Второй критерий подтверждает, что переход происходит между двумя сравнительно мало взаимодействующими электронными подсистемами в молекуле. [33]

Большая часть энергии, теряемой частицами пучка при проникновении в вещество, передается электронной подсистеме. Это происходит либо в первичных актах взаимодействия - ионизация и возбуждение атомов или ионов среды, либо в последующем - при торможении ( - электронов и ( для тяжелых заряженных частиц) возбуждении каскадов столкновений первично выбитыми атомами решетки. [34]

Лазерный отжиг происходит в столь короткое время потому, что лазерное излучение поглощается электронной подсистемой за время меньше 10 - 12 с, затем путем последовательного электрон-электронного, электрон-фононного и фонон-фононного взаимодействия энергия передается решетке и нагревает ее. Весь процесс отжига длится - 10 - 8 с, за это время тепло распространяется на глубину диффузии ионов. [35]

Она предусматривает создание автоматизированной системы, включающей конструкторский и технологический САПР, а также электронные подсистемы управления производством, бухгалтерским учетом затрат и финансовым анализом деятельности фирмы. [36]

Пусть теперь х / - восприимчивость решетки (8.9), a % ei - восприимчивость электронной подсистемы, рассмотренная в § 10 тл. [37]

Характерное время существования термического пика определяется либо временем передачи энергии возбуждения от фотонной к электронной подсистеме, либо, если это более жесткий критерий, временем охлаждения за счет теплопроводности решетки. [38]

Эффективность АЭВ определяется не только величиной сил, действующих на электроны, но и характером перестройки электронной подсистемы под действием этих сил, В результате экранирования эффекты АЭВ зависят от высокочастотной электронной проводимости - отклика электронов на неременное и неоднородное электрич. [39]

Молекулярная динамика, в широком смысле, имеет дело с движением как ядерной, так и электронной подсистемы. Однако для решения большого класса задач молекулярной динамики и химической кинетики достаточно определить только движение ядер. При этом электронная подсистема задает силовое поле, в котором движутся ядра, и рассмотрение электронной подсистемы нужно лишь для того, чтобы найти это поле. [40]

Энергия единицы поверхности межфазной границы данной ориентации формируется поляризацией, ее взаимодействием с деполяризующим полем и электронной подсистемой. [41]

Выполнение последнего условия означает, что основным механизмом потерь энергии быстрыми ионами является их взаимодействие с электронной подсистемой вещества. Формально это предположение позволяет исключить из системы (2.91) - (2.93) кинетическое уравнение, описывающее эволюцию ядер поглотителя, а в остальных - интегралы столкновений налетающих ионов и электронов с ядрами. Наличие ядерной подсистемы при таком подходе учитывается только в качестве распределенного компенсирующего заряд электронов фона. [42]

Структурная схема ДП механических величин. [43]

Структурная схема ДД механических величин изображена на рис. 6.18. Он состоит из механической подсистемы, калибратора, ДП и электронной подсистемы. [44]

Дефекты, возникающие в кристаллах в случае нейтронного облучения, связаны, по-видимому, с нарушениями не только в электронной подсистеме, но и смещениями более тяжелых ионов. Такие дефекты в условиях проводимых экспериментальных исследований можно считать практически неподвижными, а их взаимодействие с доменными границами достаточно сильным. [45]

Страницы: 1 2 3 4