Cтраница 2
Из предыдущего анализа согласования ЭКП с электронной подсистемой ясно, что для съема сигнала с ЭКП необходимы усилители с полевыми транзисторами на входе. [16]
Большая роль, которую может играть учет электронной подсистемы в теории дефектов, приводит к выводу, что для исследования объемных изменений и релаксации решетки ионов, строго говоря, нужно исходить из условия равновесия ионной п электронной подсистем кристалла, минимизируя его полную энергию. [17]
Эта величина совпадает с радиусом Дебая для электронной подсистемы TD - v / ио, где v - характерная скорость, ш - характерная ( плазменная) частота. [18]
При этом показано, что собственные значения энергии электронной подсистемы, так называемые электронные термы, играют в уравнении Шредингера для ядер роль потенциальной энергии. Учитывая степени свободы, связанные с медленным движением ядер, сформулировать уравнение Шредингера для ядерной подсистемы двухатомной молекулы. Электронная подсистема находится в состоянии, заданном электронным термом En ( R), где R - расстояние между ядрами молекулы. [19]
Опущенные члены с операторами At учитывали возможность перехода электронной подсистемы из одного квантового состояния в другое, вызванного движением ядер. В рассматриваемом приближении переходов не происходит и состояние системы электронов можно считать фиксированным. Итак, Е есть энергия молекулы, взятая уже с учетом движения ядер. [20]
Такая ситуация возникает, если время установления равновесия внутри электронной подсистемы значительно меньше времени релаксации, для установления равновесия между электронами н решеткой. [21]
Френкель очень емко и выразительно назвал элементарные возбуждения электронной подсистемы кристалла, которые переносят энергию, но не переносят электрический заряд. Сформулированное Френкелем правило отбора позволяет выделить из всей экситонной зоны единственное состояние, в которое оптический переход разрешен. Вследствие этого правила отбора спектр экситонного поглощения может быть очень узким даже при значительной ширине экситонной зоны. Напротив, согласно тому же правилу, спектр поглощения, при котором рождаются независимо движущиеся электрон и дырка, всегда является широкополосным. Узкополосное поглощение является специфическим именно для экситонов: узость полосы собственного поглощения обычно является первым признаком, указывающим на возможность ее принадлежности к экситонному спектру. [22]
Однако для давления, которое определяется в основном электронной подсистемой, такая автомодельность уже не будет иметь места. [23]
Современный жидкостный хроматограф представляет собой сложный агрегат с химическими, электромеханическими и электронными подсистемами. Ни одна из этих подсистем не обладает бесконечной надежностью, поэтому каждый хроматографист периодически сталкивается с отказами и неполадками в работе отдельных узлов. В то же время опыт показывает, что лишь незначительная часть проблем бывает вызвана действительной неисправностью того или иного узла прибора. Чаще всего неполадки связаны с естественными процессами, происходящими при длительной работе прибора или колонки, а также с нарушениями допустимых режимов работы со стороны оператора. [24]
Здесь XY ( х, ) - функция линейного отклика электронной подсистемы, учитывающая неоднородность ее намагниченности; h Y ( x) h sin0M ( x) - проекция РЧ-поля на локальную ось Y. Второе слагаемое в квадратной скобке (7.10) определяет переменное сверхтонкое поле, действующее со стороны ядерной намагниченности m на электронную. Вид записи этого поля означает, что здесь пренебрегается анизотропией сверхтонкого взаимодействия. Явный вид функции XYY ( х) определен в гл. [25]
Другой подход к явлению комбинационного рассеяния основан на малости возмущения электронной подсистемы кристалла электромагнитным полем излучения. Непосредственное взаимодействие света с колебаниями ядер вообще не учитывается вследствие большой массы ядер. Однако предполагается, что колебания решетки могут взаимодействовать со светом косвенно, через электронную подсистему. Решение задачи о комбинационном рассеянии света в указанных предположениях подробно рассмотрено в гл. [26]
Электрогидравлический силовой привод - система автоматического регулирования, состоящая из электромеханической электронной подсистемы управления приводом и гидравлических элементов - источника энергии ( насоса), распределителя расхода и давления ( гидроусилителя) и исполнительного двигателя. [27]
При разных соотношениях между характерными длинами мы приходим к различным состояниям электронной подсистемы. Неравенство Л С d отвечает классическому ( больц-мановскому) электронному газу; при А - d имеет место состояние вырождения. [28]
Как видно из уравнения ( 57 2), уровни энергии электронной подсистемы En ( Rt) зависят от координат ядер ( тяжелой подсистемы), как от параметров. [29]
Во многих задачах достаточно также рассматривать отклонения от равновесия лишь в электронной подсистеме, полагая, что подсистема тяжелых ионов равновесна. [30]