Подтравливание

Cтраница 2

Перед ванной подтравливания пакеты магистральных труб на стеллаже-дозаторе рассыпаются, и транспортировка труб осуществляется поштучно по ваннам подтравливания, флюсования, цинкования, пассивации. [16]

Для устранения подтравливания применяют биметаллические трафареты, в которых один слой, более толстый ( 100 - 150 мкм), служит основой и обеспечивает механическую прочность маски; другой слой, относительно тонкий, является собственно трафаретом и обеспечивает точное воспроизведение рисунка трафарета. [17]

В операцию подтравливания диэлектрика в отверстиях входят следующие переходы: обезжиривание заготовок, промывание в горячей и - холодной воде, подтравливание диэлектрика в отверстиях серной кислотой, промывание в проточной водопроводной воде, нейтрализация в кальцинированной соде, промывание в проточной горячей и холодной воде, сушка. [18]

Различные профили тонких пленок после травлении. [19]

Адгезия фоторезиста и подтравливание. Для того, чтобы реализовать максимальные разрешение и точность в защитном покрытии фоторезиста, необходимо, чтобы рисунок находился под слоем фоторезиста и точно повторял рисунок, созданный в полимерном слое, как это показано на рис. 16, а. На практике таких идеальных случаев не встречается, потому что химические травители одинаково воздействуют на материал пленки как в горизонтальной, так и в вертикальной плоскостях. [20]

При местном травлении происходит подтравливание металла под защитной пленкой. [21]

Схема технологического процесса изготовления МПП методом металлизации сквозных отверстий. [22]

Недостатки метода - необходимость подтравливания диэлектрика и связанная с этим опасность загрязнения продуктами травления поверхности проводников и необходимость дополнительной операции по их очистке, трудности точного совмещения печатных слоев, сложность внесения изменений в готовую плату. [23]

Методом изотермической рекристаллизации с подтравливанием были выращены слои толщиной от 0 2 до 0 4 мкм p - A xGa1 xAs с изменением состава от х 0 9 до х - 0 по глубине. Помещенный над подложкой п - GaAs раствор Ga - Al - Zn был слегка недонасыщен. [24]

Ряду исследователей химическим или электрохимическим подтравливанием металла удалось отделить от поверхности невидимые в обычных условиях окисные пленки в виде самостоятельных прозрачных чешуек. Сначала это было выполнено для алюминия, затем для железа, а в сравнительно недавнее время и для нержавеющих сталей. [25]

Для повышения качества контакта производят подтравливание диэлектрика в отверстиях, используя для этого смесь серной и плавиковой кислот, или проводят гидроабразивную обработку стенок отверстий ( суспензией из воды и мелкодисперсного порошка оксида алюминия) с последующей очисткой их в горячей концентрированной серной кислоте и с последующей ( вторичной) гидроабразивной обработкой, промывкой, нейтрализацией и повторной промывкой. [26]

Таким образом, для уменьшения подтравливания под маску из окиси кремния необходимо проводить полирующее локальное травление кремния при высоких концентрациях хлористого водорода в водороде. [27]

Срезы клише, печатающие элементы ( п которых. [28]

Повышение верхнего предела ведет к подтравливанию боковых граней, а при давлениях, меньших нижней границы, происходит практически полное ингибирование всей поверхности копии. Следует отметить, что описанные явления действительны лишь с момента образования на травящейся копии некоторого рельефа. [29]

Ряду исследователей удалось химическим или электрохимическим подтравливанием металла отделить от поверхности невидимые в обычных условиях окисные пленки в виде самостоятельных прозрачных чешуек. Сначала это было выполнено для алюминия, затем для железа и нержавеющих сталей. [30]

Страницы: 1 2 3 4