Поле - падающая волна
Cтраница 1
Поле падающей волны от Xi не зависит. Поэтому из условия симметрии очевидно, что и вторичное поле не зависит от XL Это означает, что отраженная и прошедшая волны также распространяются в плоскости падения. [1]
 |
Падение волны на поверхность проводящей среды.| Распределение напряженно. [2] |
Если напряженности поля падающей волны изменяются по гармоническому закону с угловой частотой о, то по этому же закону изменяются напряженности поля в проводящем теле. [3]
Полное поле определяется как сумма поля падающей волны и поля отраженных от отверстий волн. Вычисления проведены в тех же точках и для тех же параметров, что и в предыдущей задаче. Штриховая кривая соответствует результатам классической теории, сплошная - уточненной. На рис. 10.65, 10.66 представлено распределение МГ и MQ на отрезке перемычки ОЕ для различных значений волнового числа aR и толщины пластины. [4]
Полагаем сначала, что поляризация луча горизонталь-на-вектор напряженности поля падающей волны Е1 параллелен плоскости раздела. [6]
Следовательно, показатель преломления среды квадратично зависит от напряженности поля падающей волны. Одним из следствий этого факта является то, что фазовая скорость распространения волны в среде и с / пн зависит от напряженности волны. [7]
Подставляя сюда ( 10 - 14) и разделив на поле падающей волны Е т, для коэффициента отражения получаем выражение. [8]
Будем предполагать, что скорость, приобретаемая зарядом под действием поля падающей волны, мала по сравнению со скоростью света, что практически всегда выполняется. [9]
При слабой неоднородности напряженность рассеянного поля мала по сравнению с напряженностью поля падающей волны. [10]
Мы будем предполагать, что скорость, приобретаемая зарядом под действием поля падающей волны, мала по сравнению со скоростью света, что практически всегда выполняется. [11]
Происхождение рассеяния сводится к изменению движения входящих в состав среды зарядов под влиянием поля падающей волны; это изменение приводит к излучению новых - рассеянных - волн. Исследование микроскопического механизма рассеяния должно производиться на основе квантовой механики; оно, однако, не требуется для развития излагаемой ниже макроскопической теории. [12]
 |
Зависимость показателя преломления п и коэффициента поглощения У. для газа от частоты. [13] |
Влияние диспергирующей среды на огибающую светового импульса или диаграмму направленности пучка учитывается путем разложения поля падающей волны по плоским гармоппч. При распространении в веществе гармонич. [14]
Удовлетворить граничному условию Ет 0 на поверхности цилиндра, рассматривая электрическое поле Е как сумму поля падающей волны и поля, создаваемого током /, равномерно распределенным по поверхности цилиндра. [15]
Страницы: 1 2 3 4