Cтраница 2
В диэлектриках элементарными излучателями обычно являются молекулы в виде электрических диполей, совершающих вынужденные колебания под влиянием поля падающей волны. [16]
Первое, что надо иметь в виду - задача получения больших коэффициентов трансформации fetp требует выхода за рамкп приближения ладанного поля падающей волны. При этом по мере распространения возбуждающей волны в нелинейной среде выполняются следующие основные закономерности: напряженность поля возбуждающей волны уменьшается, а зависимость ЕКа ос Ец, и коэффициент трансформации k v FKJF остаются неизменными. Решение уравнений Максвелла без использования приближения заданного поля значительно сложнее; сложнее выглядят и результирующие формулы [1, 2], из которых, в частности, следует принципиальная возможность перекачки практически всей энергии из возбуждающей волны в гармонику. [17]
Определим коэффициенты Г и Т соответственно как отношения тангенциальных компонент комплексных электрических полей отраженной и преломленной волн на границе к той же компоненте поля падающей волны. [18]
Фаза электромагнитного поля, возникающего в первой среде при полном внутреннем отражении, как это следует из выражений ( 3 - 2 - 42), отличается от фазы поля падающей волны. Это отличие может привести к изменению характера поляризации поля. [19]
Если проводимость материала тела велика, то напряженности электрического поля Е на поверхности тела будут очень малы по сравнению с напряженностями волны в диэлектрике, а токи, индуктируемые в поверхностном слое тела, будут создавать напряженности магнитного поля на поверхности, приблизительно равные и направленные в обратную сторону по отношению к напряженностям поля падающей волны. Процесс отражения волны в этом случае подобен отражению волны от конца короткозамкнутой линии. [20]
Если проводимость материала тела велика, то напряженности электрического поля на поверхности проводящего тела будут малы по сравнению с напряженно-стями в диэлектрике, из которого волна падает на проводящее тело, а токи, индуктируемые в поверхностном слое, будут создавать напряженности магнитного поля на поверхности тела, приблизительно равные и направленные в обратную сторону по отношению к напряженностям поля падающей волны. Процесс отражения волны в этом случае подобен отражению волны от конца короткозамкнутой линии. [21]
![]() |
Линии R ( x, 6 const для ленточных индуктивных диафрагм различных типов ( а - в. [22] |
Различия в поведении линий R ( к, 0) const на рис. 76, а и в вблизи значения к 1 0, критического для Я20 - волны, обусловлены тем, что в волноводе с несимметричным препятствием возбуждается Я20 - волна и связанный с ней поперечный резонанс влияет на величину R, а во второй ситуации волновод остается одномодовым вплоть до х 1 5, поскольку симметрия структуры поля падающей волны не возбуждает волны четных номеров. [23]
![]() |
Ток на освещеной ( пунктир и теневой стороне ( сплошная линия при дифракции на полуплоскости для Я-поляризации ( а и. - поляриза. [24] |
Всюду присутствует поле падающей волны, но отраженная по геометрической оптике волна есть только в / области, а во / / ее нет. Поэтому луч ф я - фо тоже в каком-то смысле граница свет - тень - не полная тень, разумеется, а тень для отраженной волны. На этой границе выделяется полутеневая зона, в которой происходит интерференция между полутеневым полем и плоской падающей волной. [25]
При этом, вообще говоря, происходит деполяризация. Например, если поле падающей волны линейно поляризовано, но не в направлении оси г ( что означает определенное соотношение между Ег и Яг), в дифрагированном поле это соотношение будет иным, и полное поле поляризовано даже не линейно, а эллиптически, дифракция вызовет деполяризацию. [26]
Упругая поляризаций диэлектрика связана с появлением во внешнем поле Е электрического дипольного момента неполярной молеку лы за счет упругого смещения зарядов от положения равновесия, Под действием переменного электрического поля заряженные частицы молекулы ( электрон или ион) вступают в вынужденные колебания. Очевидно, что амплитуда колебаний зарядов молекулы должна существенно зависеть от соотношения частот собственных колебаний и колебаний поля падающей волны. Вблизи резонанса эта амплитуда резко возрастает, что сопровождается сильным поглощением энергии и нагревом вещества. [27]
Однако это не дает количественной меры мощности, извлекаемой антенной из падающей волны. Для случая линейно поляризованных волн Нейманом [2] была получена формула, устанавливающая зависимость между принятой мощностью и напряженностью поля падающей волны. Недавно Фрис и Льюис [3, 4] получили общую формулу передачи, выражающую принятую мощность через полную мощность, излучаемую передающей антенной, длину волны, эффективные поверхности передающей и приемной антенн и расстояние между ними. Эта формула, удобная для случая микроволн, в общем случае приемного антенного устройства мало пригодна. В настоящей работе делается попытка разрешить подобную задачу, а именно определить, какой должна быть приемная антенна для того, чтобы принимать максимальную мощность, когда известна передающая антенна или падающая на приемную антенну волна. [28]
Оценки (8.16) - (8.19) получены в простейшем случае точечного отражателя. В более общей ситуации для таких оценок, как видно из (8.8), (8.9), необходимо знание моментов квадратов поля падающей волны в произвольных точках отражателя. [29]
В действительности на пространственное распределение поля вблизи ступенек существенно влияет и ближнее поле затухающих волн, особенно ощутимое в окрестности критических частот широкого и узкого волноводов. Численные результаты показывают, что интенсивность поля в плоскости эквивалентной заглушки г 0 0 6 достаточно велика; Е9 ( г, г) 0 16 при единичном поле падающей волны. С уменьшением частоты понижается уровень ближнего поля и улучшается совпадение г и Zmax, получаемых по (3.1), (3.2), с реальным положением нуля и пучности поля. [30]