Cтраница 4
Однако ввиду того что ве-бер-амперные характеристики поля дефекта определяются контрастом магнитного следа на ленте, вид их отличается от кривых остаточной намагниченности ленты наличием максимума с последующим снижением в области сильных полей. [46]
![]() |
Параметры поля дефекта по импульсной индикации. [47] |
Таким образом, методика исследования параметров поля дефекта основывается на искусственной имитации глубины залегания дефекта с помощью стальных накладок. Для того чтобы исключить погрешности, вносимые зазором между накладками, зоны магнитного контакта подгоняются шлифовкой до размеров порядка 0 05 мм на один зазор. При этом условии общая величина магнитного зазора при всех измерениях не превышает 2 % общей толщины исследуемого объекта и остается постоянной. Следовательно, погрешность измерения поля дефекта на многослойных составных образцах характеризуется двумя составляющими: методической погрешностью, определяемой величиной относительных флуктуации интенсивности потока рассеяния, и аппаратурой, измеряющей погрешность регистрирующих устройств. Основную аппаратурную погрешность определяют магнитные воспроизводящие головки, регистрирую-потока, а его производную. [48]
Таким образом, контраст магнитной записи поля дефекта уменьшается с увеличением глубины залегания дефекта и повышается с возрастанием его размера. При этом небольшое изменение расстояния между лентой и поверхностью изделия не оказывает существенного влияния на регистрацию поля дефекта. Ширина магнитного отпечатка, обусловливаемого полем дефекта на ленте, изменяется в зависимости от глубины залегания дефекта и почти не зависит от размера дефекта и интенсивности намагничивания исследуемого изделия. Последний вывод особенно важен для измерений размера и глубины залегания дефекта, так как позволяет для определенных изделий однозначно связать глубину залегания дефекта с шириной магнитного отпечатка, обусловленного данным дефектом. [49]
Для численного коэффициента, связывающего ширину поля дефекта с глубиной его залегания, экспериментально также получали разные значения. [50]
По мере приближения намагниченности изделия к насыщению поле дефекта увеличивается с нарастающей крутизной. [51]
Таким образом, принципиальная особенность магнитной записи поля дефекта на ленту заключается в том, что разрешающая способность данного способа во многом зависит от оптимизации режима намагничивания сварного соединения, определяющего величины поля дефекта и поля подмагничивания, линеаризирующего магнитную характеристику ленты. [52]
Таким образом, физическая сущность магнитной записи поля дефекта заключается в получении на ленте, находящейся в контакте с исследуемым изделием, остаточного рельефа намагниченности, характеризующего известным образом распределение напряженности магнитного поля в различных участках данного изделия. [53]
Такой подход к объяснению процесса магнитной записи поля дефекта оказался возможным из тех соображений, что в данном случае определяется режим намагничивания ( находится оптимальная величина намагничивающего поля), при котором ответвляется наибольший магнитный поток в зоне расположения дефекта сплошности и не ставятся требования к количественной оценке величины ответвленного потока или величины поля дефекта. [54]
![]() |
К объяснению процесса магнитной записи из нулевого состояния. [55] |
Если условие (1.28) не выполняется, запись поля дефекта будет происходить на нелинейном участке магнитной характеристики ленты. В результате магнитный рельеф поля в зоне контролируемого участка сварного шва зафиксируется с искажениями и на фоне такой записи имеющиеся дефекты практически не выявятся. [56]
А / см); замедление роста поля дефекта происходит тем резче, чем меньше раскрытие дефекта. [57]
В магнитографической дефектоскопии нельзя произвольно менять величину поля дефекта, цель ее заключается в обнаружении данного поля и записи его в неискаженной форме на ленте. [58]
![]() |
Характер зависимости величи ны поля дефекта от расстояния между дефекта С ростом поверхностью образца и дефектом. [59] |
На рис. 5.7 показаны графики зависимостей параметров поля дефекта ( контраста записи А и ширины магнитного следа X) от величины намагничивающего поля для подповерхностного дефекта шириной 3 мм. Для дефектов шириной 2 5; 1 5; 1 и 0 5 мм получены аналогичные результаты. Таким образом, ширина магнитного следа, обусловленная полем дефекта, практически не зависит от режима намагничивания и ширины подповерхностного дефекта. Это очень важный результат, так как он позволяет уменьшить количество факторов, влияющих на параметры поля дефекта. [60]