Приложенное магнитное поле
Cтраница 1
Приложенное магнитное поле имеет только одну, перпендикулярную к поверхности пластины, составляющую, удовлетворяющую уравнениям Максвелла. [1]
 |
Ротационный измеритель к. с. в. 8-мм диапазона волн.| Схема измерителя к. с. в. в Ъ - см диапазоне волн с прямым отсчетом. [2] |
Приложенное магнитное поле изменяется так, что ориентация осей эллиптически поляризованной волны колеблется на 90 относительно среднего положения с частотой 100 гц. Эта волна проходит через подавитель, который пропускает только составляющую, лежащую в определенном фиксированном направлении. Выходящая волна плоско поляризована и модулирована по амплитуде, причем ее максимум и минимум равны большой и малой осям эллипса. Клистрон модулирован поднесу щей частотой 15 кгц. Модулированная поднесущая) подается на компенсирующий усилитель с большим коэффициентом усиления. [3]
Приложенное магнитное поле будет иметь только нормальную составляющую, которая должна удовлетворять уравнениям Максвелла. [4]
Если приложенное магнитное поле сравнительно небольшое, то в непосредственной близости от дефекта изделие ( тело) намагничивается неравномерно: вдоль намагничивающего поля, по обе стороны от дефекта - меньше, а по краям дефекта - больше средней намагниченности. Таким образом, Р. И. Янус установил, что дефект как бы аналогичен магниту ( диполю), эффективная длина которого в слабом приложенном поле может значительно превышать истинную длину дефекта, а поперечное сечение несколько сжато. [5]
 |
Поверхность Ферми для меди.| Кривые циклотронного резонанса Азбеля - Канера для меди. [6] |
Если приложенное магнитное поле ориентировано параллельно поверхности образца, то электроны вблизи поверхности будут двигаться по спиральным орбитам, причем один раз за каждый оборот электрон попадает в скин-слой. Если при этом наблюдается некоторая синхронность между циклотронным движением электрона и колебаниями электромагнитного поля, Q оцикл / ( где / - целое число), то каждый раз попадающие в скин-слой электроны будут находиться в фазе с переменным электромагнитным полем и, следовательно, ускоряться. В течение той части периода колебаний поля, когда поле должно было бы замедлять электроны, они находятся глубоко под скин-слоем и поле на них не действует. Заметим, что резонансное поглощение происходит при разных значениях /, которые тем самым определяют номер гармоники. [7]
Если приложенное магнитное поле ориентировано параллельно поверхности образца, то электроны вблизи поверхности будут двигаться по спиральным орбитам, причем один раз за каждый оборот электрон попадает в скин-слой. [8]
 |
Поверхность Ферми для меди.| Кривые циклотронного резонанса Азбеля - Канера для меди. [9] |
Если приложенное магнитное поле ориентировано параллельно поверхности образца, то электроны вблизи поверхности будут двигаться по спиральным орбитам, причем один раз за каждый оборот электрон попадает в скин-слой. Если при этом наблюдается некоторая синхронность между циклотронным движением электрона и колебаниями электромагнитного поля, Q оцикл / ( где / - целое число), то каждый раз попадающие в скин-слой электроны будут находиться в фазе с переменным электромагнитным полем и, следовательно, ускоряться. В течение той части периода колебаний поля, когда поле должно было бы замедлять электроны, они находятся глубоко под скин-слоем и поле на них не действует. Заметим, что резонансное поглощение происходит при разных значениях /, которые тем самым определяют номер гармоники. [10]
Если приложенное магнитное поле напряженностью Н перпендикулярно оси сверхпроводника, то плотность суммарного потока на поверхности неоднородна. По одну сторону сверхпроводника плотности магнитных потоков складываются, а по другую вычитаются. Максимальное значение напряженности магнитного поля определяется по кольцевому контуру, проходящему по поверхности сверхпроводника. [11]
Способ приложенного магнитного поля характеризуется тем, что технологические операции ( намагничивание детали, нанесение суспензии и основную часть осмотра) производят одновременно. Этим способом контролируют детали из магнитомягких материалов ( Ст. Контроль СПП не всегда обеспечивает более высокую чувствительность, что объясняется осаждением порошка по следам грубой обработки поверхности. [12]
Вследствие приложенного магнитного поля увеличивается число столкновений на единице длины, что эквивалентно увеличению плотности газа. [13]
Способ приложенного магнитного поля может применяться для любых деталей; для деталей подвесных устройств ПКН и ПКР, изготовленных из сталей 35, Ст. В этом случае магнитный поток замыкается через планку. [14]
 |
Зависимость коэффициента Холла графита от напряженности магнитного поля при разных температурах. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5