Приложенное магнитное поле

Cтраница 2

Напряженность приложенного магнитного поля перпендикулярна направлению тока в образце. [16]

Напряженность приложенного магнитного поля Я, которое вызывает резонанс, в общем, не равна напряженности локального магнитного поля ЯЛок, действующего на протон. Эти величины различны, потому что приложенное поле индуцирует токи электронов, окружающих протон, а они в свою очередь создают вторичное магнитное поле напряженностью аЯ, которое противодействует Я. [17]

В приложенном магнитном поле ядро может принимать 2 / - - 1 ориентации относительно направления поля, причем каждой ориентации соответствует определенная энергия. Те ядра, которые имеют нулевой спин, не имеют определенной ориентации в магнитном поле и не представляют интереса для метода ЯМР. [18]

Под действием приложенного магнитного поля уровни группируются в подзоны Ландау, как было рассмотрено в разд. Это приводит к усилению излучения с соответствующими энергиями кванта, в результате чего пороговый ток, требуемый для возникновения лазерного эффекта, уменьшается. Кроме того, возрастает энергия эмиттируемых фотонов, как это было установлено Феланом и др. [567], поскольку первый уровень Ландау расположен выше края зоны при нулевом поле. [19]

Взаимодействие между приложенным магнитным полем и магнитным моментом электрона ведет к расщеплению энергетических уровней электрона, т.е. к так называемому эффекту Зеемана. Для электронов в полупроводниках, подобных GaAs, вызванное магнитным полем зеемановское расщепление энергетического уровня электрона может быть существенно уменьшено в результате спин-орбитального взаимодействия. [20]

Контроль в приложенном магнитном поле не всегда обеспечивает более высокую чувствительность, чем чувствительность контроля на остаточной намагниченности. [21]

Направление магнитных силовых линий при циркулярном ( а и полюсном ( б намагничивании. [22]

Контроль в приложенном магнитном поле, заключающийся в том, что поливка магнитной суспензией производится во время намагничивания. Этот метод применяется для контроля деталей из материалов, имеющих коэрцитивную силу меньше 10 эрст ( малоуглеродистые стали, конструкционные стали после отжига), а также в ряде случаев для контроля деталей сложной формы и значительных сечений. [23]

Схемы намагничивания. [24]

Контроль в приложенном магнитном поле заключается в том, что поливка магнитной суспензией производится во время намагничивания. Этот метод применяется для контроля деталей из материалов, имеющих коэрцитивную силу менее 10 эрст ( малоуглеродистые стали, конструкционные стали после отжига), а также в ряде случаев для контроля деталей сложной формы и значительных сечений. [25]

Контроль в приложенном магнитном поле требует меньшей напряженности последнего на поверхности детали, порядка 20 - - 30 эрст. [26]

Я - напряженность приложенного магнитного поля; К - постоянная, характерная для данного типа ядер. [27]

Связь между напряженностью приложенного магнитного поля и магнитной индукцией в образце с упорядоченным магнетизмом, выражается обычно петлей гистерезиса. Петля гистерезиса ( рис. 4.1) характеризуется максимальной индукцией Вт, остаточной индукцией Вг и коэрцитивной силой Яс. [28]

Возникает обычно в приложенном магнитном поле. Такое осаждение порошка свидетельствует о чрезмерной концентрации магнитной суспензии, высокой напряженности поля или неправильно выбранной вязкости дисперсионной среды суспензии. [29]

Контроль образца проводят способом приложенного магнитного поля. А / см на поверхности образца, направленное вдоль его продольной оси. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5