Cтраница 3
В слабых полях наблюдается. Процесс намагничения в слабых полях обратим. [31]
В слабых полях ir ян const, следовательно, и RM const, поэтому магнитная цепь рассчитывается как линейная. [32]
При слабых полях ( Е 100 кв-см - г ] превалирует ионная проводимость; однако по мере усиления поля на первый план начинает выступать электронная эмиссия из катода, хотя ионная проводимость может также увеличиваться благодаря диссоциации под действием поля. На этот процесс эмиссии оказывают сильное влияние поверхностные слои, состояние которых в свою очередь зависит от интенсивности появления свободных ионов в жидкости - процессы ( а) и ( б), стр. [33]
В слабых полях ударная ионизация отсутствует и самостоятельной электропроводности не обнаруживается. При ионизации газа, обусловленной внешними факторами, происходит расщепление молекул на положительные и отрицательные ионы. Одновременно часть положительных ионов, соединяясь с отрицательными частицами, образует нейтральные молекулы. Этот процесс называется рекомбинацией. [34]
В слабых полях ударная ионизация отсутствует и самостоятельной электропроводности не обнаруживается. При ионизации газа, обусловленной внешними факторами, происходит расщепление молекул на положительные, и отрицательные ионы. Одновременно часть положительных ионов, соединяясь с отрицательными частицами, образует нейтральные молекулы. Этот процесс называется рекомбинацией. [35]
В слабых полях ударная ионизация отсутствует и самостоятельной проводимости не обнаруживается. При ионизации газа, обусловленной внешними факторами, происходит расщепление молекул на положительные и отрицательные ионы. Одновременно часть положительных ионов, соединяясь с отрицательными частицами, образует нейтральные молекулы. Этот процесс называется рекомбинацией. [36]
В слабых полях ударная ионизация отсутствует и самостоятельной электропроводности не обнаруживается. При ионизации газа, обусловленной внешними факторами, происходит расщепление молекул на положительные и отрицательные ионы. Одновременно часть положительных ионов, соединяясь с отрицательными частицами, образует нейтральные молекулы. Этот процесс называется рекомбинацией. [37]
В слабых полях ударная ионизация отсутствует и самостоятель-дей электропроводности не обнаруживается. При ионизации газа, обусловленной внешними факторами, происходит расщепление мо-аекул на положительные и отрицательные ионы. Одновременно часть положительнх ионов, соединяясь с отрицательными частицами, образует нейтральные молекулы. Этот процесс называется рекомбинацией. [38]
В слабых полях триплетный механизм может вносить заметный вклад в эффект ХГЩ. [39]
В слабых полях ( ir const, следовательно, и RM const, поэтому магнитная цепь рдссчитывается как линейная. [40]
В слабых полях, как и ожидается из качественных рассуждений, эффект проходит через максимум. Резкое уменьшение эффекта в очень сильных полях объясняется просто. В сильных магнитных полях СТВ вызывает только S - T0 переходы. Но в рассматриваемом примере в сильных полях эффективно действует Дд-механизм S - T0 переходов, и поэтому не имеет большого значения изменения частоты S - T0 переходов при изотопном замещении, эти переходы происходят эффективно и без участия магнитных ядер. [42]
В слабых полях пермендюр имеет худшие магнитные свойства, чем электротехническая сталь. К числу недостатков пермендюра относится малое удельное сопротивление, приводящее к большим потерям на вихревые токи. Он обладает высокой магнитострикцией. [43]
В слабых полях е сегнетокерамики мало зависит от напряженности поля. Поэтому в сильных полях наблюдается большая зависимость е сегнетокерамики от напряженности поля. [44]
![]() |
Колебания векторов L и Л. при аитифррромагнит-ном резонансе в легкоплоскостном анти фор р омагнетн-кс си слабым ферромагнетизмом. а - низкочастотная мода, т. [45] |