Слабое поле

Cтраница 4

В слабых полях образец бывает разбит на 90 Т - домены ( см. Антиферромагниткые домены) и наблюдается неск. [46]

Зависимость Л. г окта-эдричееких комплексов в сильном и слабом полях лигандов от числа d - электронов иояа-комплексообра-зователя. [47]

В слабом поле сила лигандов недостаточна для выталкивания электронов с верхнего ег-подуровня и весь d - подуровень заполняется в согласии с правилом Хунда. В результате образуются высокоспиновые комплексы. В сильном поле лигандов электроны выталкиваются с верхнего ее-уровня, и он начинает заполняться только после спаривания электронов на нижнем / sg - уровне. [48]

Криъып ц ( ( о - 1 и ( г приведен на рис, 1. [49]

В слабых полях ц обычно определяется процессами смещения доменных стенок и имеет большую величину. Я) сначала растет, достигая максимума при поле Н НС ( Нс - коэрцитивная сила), а затем падает. Я) может быть обратимой ( в слабых полях в магнитно-мягких материалах) или необратимой. [50]

В слабых полях вклад электронной проводимости весьма незначителен. Однако в сильных полях в результате освобождения связанных электронов подвижность носителей возрастает. В / м электроны проводимости начинают ионизировать атомы. В результате ионизации образуются электроны и дырки, которые также ускоряются полем и участвуют в процессе ионизации. Таким образом, концентрация носителей заряда лавинообразно возрастает. Этот процесс называется ударной ионизацией. В результате ударной ионизации резко увеличивается концентрация электронов в зоне проводимости или дырок в валентной зоне. Все это приводит к росту электронной проводимости. Из-за рассеяния носителей на фононах и процессов рекомбинации ударная ионизация не приводит к немедленному пробою вещества. [51]

Принципиальная схема экспоненц. элемента.| Изменение выходного напряжении элемента во времени.| Схема мультивибратора с экспоненц. элементом. [52]

При слабых полях область, обедненная неосновными носителями заряда, будет распространяться на глубину порядка L0 от границы перехода. [53]

В слабых полях, которые соответствуют внеш-неорбитальным комплексам для систем от d4 до d10, ожидается, что только комплексы ионов металлов с конфигурацией d3 и d8 по любому из механизмов будут реагировать медленно. [54]

В слабых полях квадратичный по А член весьма мал по сравнению с линейным и им можно пренебречь. [55]

В слабых полях ( А - 0, пнл - О, / нл - О) интеграл ( 3) положителен и пучок испытывает только дифракцию. Нелинейный волновод образуется при компенсации дифракц. [56]

Зависимость циклотронной массы электронов в Ое для магнитного поля Н, лежащего в плоскости ( ПО кристалла, от угла 9 между Н и осью, лежащей в той же плоскости ( то - масса свободного электрона. Т4 2 К.| Зависимость циклотронных масс дырок в Ое при 74 2 К для поля Н, лежащего в плоскости ( 110 кристалла от угла 9 между Я и осью [ ПО ]. [57]

В слабых полях ( йш1г Г) гармоники возникают при сложной ( неэллипсоидальной) форме изоэнергетич. В этом случае носители заряда в плоскости, перпендикулярной Н, движутся по сложной замкнутой кривой. Скорость электрона v в этой плоскости не является уже простой гармонич. Соответственно поглощаемая мощность PevE имеет на этих частотах максимумы. [58]

В слабых полях размытие уровней Ландау за счет теплового движения ( - kT) и конечного времени релаксации ( - А / т) приводит к уменьшению амплитуды осцилляции. [59]

При слабых полях направленное по полю приращение скорости мало по сравнению с тепловой скоростью электронов и поле практически не влияет на длину свободного пробега и частоту столкновений, последние определяются только температурой решетки. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5