Cтраница 1
Микроскопическое поле сильно изменяется в пределах межмолекулярных расстояний, а вследствие движения связанных зарядов изменяется также и во времени. Эти изменения при микроскопическом рассмотрении не обнаруживаются. Однако особо заметим, что поляризованность диэлектрика представляет собой макроскопическую величину. [1]
Микроскопическое поле характеризуется векторами напряженности поля. Вектор напряженности электрического поля и вектор напряженности магнитного поля подчиняются уравнениям Максвелла - Лоренца. [2]
Микроскопическое поле сильно изменяется в пределах межмолекулярных расстояний. Вследствие движения связанных зарядов поле Еия1 ( ро изменяется также и со временем. При макроскопическом рассмотрении указанные изменения не обнаруживаются. [3]
Микроскопическое поле сильно изменяется в пределах межмолекулярных расстояний. Вследствие движения связанных зарядов поле Емикро изменяется также и со временем. При макроскопическом рассмотрении указанные изменения не обнаруживаются. [4]
В приближении квазистатического микроскопического поля, согласно Хольцмарку, Дебаю, Маргенау, Вервею, Гриму и др. ( см. [262]), излучающий атом рассматривается внутри фиксированной конфигурации окружающих частиц плазмы. Результирующее ( статическое) микроскопическое поле приводит к штарковскому сдвигу атомных уровней, а распределение этого поля проявляется в профиле линии поглощения. [5]
Ввиду атомистического строения проводников истинное микроскопическое поле Нмикро весьма значительно меняется в них даже на протяжении атомарных расстояний. Применяя же формулу (44.5) в микроскопической теории, мы должны, очевидно, понимать в ней под Н среднее значение микроскопического поля. [6]
Ввиду атомистического строения проводников истинное микроскопическое поле Нникро весьма значительно меняется в них даже на протяжении атомарных расстояний. Применяя же формулу (44.5) в микроскопической теории, мы должны, очевидно, понимать в ней под Н среднее значение микроскопического поля. [7]
Ввиду атомистического строения проводников истинное микроскопическое поле Нмикро весьма значительно меняется в них даже на протяжении атомарных расстояний. Применяя же формулу (44.5) в микроскопической теории, мы должны, очевидно, понимать в ней под Н среднее значение микроскопического поля. [8]
Ввиду атомистического строения проводников истинное микроскопическое поле Н Кро весьма значительно меняется в них даже на протяжении атомарных расстояний. Применяя же формулу (44.5) в микроскопической теории, мы должны, очевидно, понимать в ней под Н среднее значение микроскопического поля. В магнитных средах это среднее значение HMHKpo, как мы видели, принято обозначать буквой В и называть индукцией магнитного поля. [9]
Для получения напряженности Е микроскопического поля, действующего на молекулу в кубическом кристалле, обычно все заряды разделяют на две части: заряды внутри некоторой сферы микроскопических размеров с центром, совпадающим с координатой молекулы, и заряды вне сферы. Найти микроскопическое поле, действующее на молекулу, если заряды разделить не Сферой, а кубом. [10]
Сила Fa определяется как внешними микроскопическими полями, так и любыми нарушениями идеальности поля решетки - вакансиями, атомами и ионами примеси, тепловыми колебаниями решетки. [11]
Усредняя локальные искажения, вызванные кавитацией, можно рассматривать микроскопическое поле как плоскопараллельное, а наличие кавитации учитывать с помощью коэффициента потерь в жидкости. Потери, характеризующиеся углом сдвига фаз между переменным давлением и скоростью в волне, вводятся в расчеты посредством комплексного коэффициента объемной упругости жидкости - E l je), где Е - модуль объемной упругости жидкости без учета потерь; е - коэффициент потерь. [12]
Известно, что макроскопическое поле Е равно среднему по пространству от микроскопического поля Емикр. Изменение Емикр конечно, одинаково во всех кубиках. Заметим, что кубики заполняют пространство полностью, без промежутков. [13]
Чтобы понять, как появляется зависимость от наведенных дипольных моментов, рассмотрим сначала микроскопическое поле в точке наблюдения х, создаваемое одной молекулой с центром масс в точке j ( фиг. Пусть плотность заряда молекулы равна Q ( х), где х отсчитывается от центра масс молекулы. Следует заметить, что Q в общем случае зависит от положения молекулы х7 -, так как искажение распределения заряда в молекуле определяется локальным полем. [14]
![]() |
Однородно намагниченный блок эквивалентен ленте с поверхностным током. [15] |