Задерживающее поле - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Каждый, кто часто пользуется туалетной бумагой, должен посадить хотя бы одно дерево. Законы Мерфи (еще...)

Задерживающее поле

Cтраница 1


1 Кривые распределения вторичных электронов по энергиям. [1]

Задерживающее поле накладывается между мишенью и коллектором.  [2]

Задерживающее поле не пропускает также медленные электроны к аноду и сила тока резко уменьшается. Она не обращается в нуль лишь потому, что часть электронов достигает сетки, не испытав неупругих соударений. Второй и последующие максимумы силы тока получаются потому, что при напряжениях, кратных 4 9 В, электроны на пути к сетке могут испытать несколько неупругих столкновений с атомами ртути.  [3]

В задерживающем поле в пространстве между минимумом потенциала и катодом электроны теряют часть своей кинетической энергии, пройдя же через область минимума потенциала сохраняют то же распределение по скоростям, с которым они выходят из катода. Поэтому область минимума потенциала называют также виртуальным катодом.  [4]

5 Схема экспериментального прибора для. [5]

В результате действия задерживающего поля на коллектор К смогут попасть лишь те ионы, энергия которых лежит между 38 и 40 эв. Все ионы, претерпевшие соударения и потерявшие при этом свою скорость, отражаются от коллектора обратно.  [6]

Если к поверхности эми-тера приложено задерживающее поле, создаваемое электродом с отрицательным потенциалом Va, то электроны смогут попасть на этот электрод только в случае, когда их энергия на величину eVa превышает ту энергию, которая необходима для преодоления потенциального барьера в отсутствие задерживающего поля ( фиг. Очевидно, что для передвижения электрона в сторону отрицательного электрода необходимо затратить работу; следовательно, потенциальная энергия у этого электрода больше, чем у эмитера, как и показано на фигуре.  [7]

Спектры получены на приборе с задерживающим полем, и поэтому заметно отличаются от более привычных форм спектров.  [8]

Если приложить напряжение такого знака, чтобы задерживающее поле в переходном слое уменьшилось или совсем уничтожилось, то дырки и электроны смогут проходить через слой и, следовательно, может проходить ток. Это свойство переходного слоя на границе полупроводников использовано для устройства выпрямителей.  [9]

Это соответствует обычному больцмановскому распределению дырок в задерживающем поле.  [10]

V ср0, электроны или дырки движутся в задерживающем поле, и выпрямленный ток возрастает с увеличением напряжения по экспоненциальному закону.  [11]

Для устранения динатронного эффекта анода желательно иметь постоянное по величине задерживающее поле у анода. При изменении потенциала анода это невыполнимо. Поэтому осуществляют такое расположение электродов, при которых получалось бы наибольшее задерживающее поле при малых анодных напряжениях. Для этого следует приближать защитную сетку к аноду и делать у нее малый шаг витков. Последнее, однако, ограничивается соображениями, рассматриваемыми ниже.  [12]

В диоде электроны, эмиттируемые накаленным катодом, попадают в задерживающее поле анода. До анода доходят лишь достаточно быстрые электроны. Считая, что тепловые скорости эмиттируемых электронов ( вышедших из катода) распределены по закону Максвелла с температурой Т - 1 150 К, определить долю электронов а, преодолевающих задерживающий потенциал: 1) У0 2 В; 2) У0 4 В. Катодом является тонкая прямолинейная нить, натянутая по оси цилиндрического анода.  [13]

Были предложены и другие конструкции манометрических ламп - с применением электрического задерживающего поля для подавления тока фотоэлектронов с коллектора. Во ВНИИМ была изготовлена манометрическая лампа-тетрод с сеткой, расположенной у коллектора, находящейся под отрицательным потенциалом относительно коллектора и служащей для подавления тока фотоэлектронов с коллектора. Однако все эти конструкции не получили - сколько-нибудь широкого распространения из-за сложности изготовления и большого числа металлических деталей, плохо поддающихся обезгаживанию.  [14]

15 Упорядоченное расположение фуллереновых молекул при осаждении на кристаллической поверхности 30. [15]



Страницы:      1    2    3    4