Диффузионное поле
Cтраница 2
 |
Полярограмма на ртутно-капельном катоде. последовательный разряд ионов меди, свинца и цинка. [16] |
В связи с периодическим ростом поверхности ртутной капли и ее отрывом от капилляра площадь диффузионного поля периодически изменяется на протяжении всего периода жизни капли. [17]
Во-первых, в пористой среде имеются области пространства ( объемы твердой непроницаемой среды), где диффузионное поле отсутствует и, следовательно, общая диффузионная емкость такой среды, очевидно, меньше, чем емкость сплошной жидкости. [18]
В знаменателе уравнения ( 2 - 80) все члены, кроме единицы, учитывают цилиндричность диффузионного поля, причем эффект цилиндричности будет тем больше, - чем больше коэффициент диффузии, меньше радиус электрода и больше переходное время. [19]
Если раньше дырки в ней переносились за счет диффузии и дрейфа, то теперь они переносятся только путем дрейфа, преодолевая встречное диффузионное поле. Это приводит к повышению падения напряжения в толще полупроводника и к иной зависимости напряжения от тока. [20]
 |
Зависимость барьер - [ IMAGE ] Различные рас. [21] |
Таким образом, на контакте двух полупроводников с одним типом электропроводности, но с разной удельной проводимостью также образуется область объемного заряда, диффузионное поле и контактная разность потенциалов. В отличие от р-п-перехода в данном случае в слаболегированной области объемный заряд образован избыточной концентрацией основных носителей заряда. [22]
Методом диффузионного ( или отраженного) звукового поля измеряют шумы машин, звукоизоляцию ограждающих конструкций, звукопоглощение материалов, характеристики акустической аппаратуры по диффузионному полю. Микрофон располагают в нескольких точках области диффузионного поля и определяют среднее по объему значение уровня звукового давления в октав-ной или третьоктавной полосах частот. [23]
При прямом напряжении на диоде внешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на р-п-перехо-де, так как внешнее электрическое поле при прямом включении диода направлено противоположно диффузионному полю. Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению. Пренебрегая падением напряжения на базе диода, рассмотрим диод при малых прямых токах. [24]
При прямом напряжении на диоде внешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на электронно-дырочном переходе, так как внешнее электрическое поле при прямом включении диода направлено в противоположную сторону диффузионному полю. Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению. Пренебрегая падением напряжения на базе диода, рассмотрим диод при малых прямых токах. [25]
В случае солнечного элемента на основе a - Si: Н диффузионная длина неосновных носителей находится в пределах 0 15 мкм, так что фототек главным образом создается и движется под действием диффузионного поля в истощенном слое. Таким образом, поведение истощенного слоя в солнечном элементе под действием света и приложенного напряжения и процессы рекомбинации носителей существенно отличаются от таковых в кристаллическом материале. [26]
Подобно тому как основная закономерность роста граней - периодичность отложения слоев - нашла себе объяснение в периодических колебаниях концентрации ионов металла, вызванных их потреблением возле локализованного узкого фронта роста и следующим за этим постепенным восстановлением концентрации, обнаруженные отклонения в строении растущих граней и фронта роста слоя от идеальных форм, по-видимому, связаны с искажением диффузионного поля, которое вызывается естественными конвекционными потоками. [27]
Это дает повод к некоторым сомнениям относительно справедливости подобного объяснения, хотя возможно, что такие эксперименты просто никто не пытался делать. Заметим, что в этом объяснении диффузионное поле привлекают только как вторичную причину, первичной же причиной неправильного роста остается высокое пересыщение. [28]
Методом диффузионного ( или отраженного) звукового поля измеряют шумы машин, звукоизоляцию ограждающих конструкций, звукопоглощение материалов, характеристики акустической аппаратуры по диффузионному полю. Микрофон располагают в нескольких точках области диффузионного поля и определяют среднее по объему значение уровня звукового давления в октав-ной или третьоктавной полосах частот. [29]
Имеются два других источника систематических ошибок, не упоминавшихся ранее, которыми в принципе нельзя пренебрегать при попытках определить константы скорости, значительно превышающие 1 см сек-г. Один из них связан с кривизной диффузионного поля при использовании капельного электрода. [30]
Страницы: 1 2 3 4