Диффузионное поле

Cтраница 4

Далее, до того как было приложено поле, в области объемного заряда существовало равновесие между диффузионным и дрейфовым токами. Уничтожение Электрического поля в области объемного заряда приложенным полем происходит, разумеется, там, где эти поля имеют равную величину и противоположное направление и где эффективное диффузионное поле численно равно приложенному полю. Следовательно, в области виртуального катода произведение эффективного диффузионного поля на концентрацию носителей равно произведению электрического поля на концентрацию носителей в объеме полупроводника. [46]

Различные трансформанты, приведенные ниже, описывают свойства весьма общей схемы реакции, которая может включать множество реакций переноса заряда, сопряженных прямо или косвенно с одной или несколькими химическими реакциями, последующими или предшествующими, причем все эти реакции могут осложняться адсорбцией реагентов на поверхности раздела фаз. Рассматриваемые в работе трансформанты относятся главным образом к системам с линейной диффузией. Поскольку диффузионное поле, как правило, обладает некоторой кривизной даже в случае ртутного электрода ( и особенно для твердых шероховатых электродов), то приводятся также приближенные выражения для трансформант сферической и цилиндрической диффузий. В некоторых случаях известно, что электродная реакция протекает преимущественно на активных центрах. Поэтому дается приближенная трансформанта для полусферической диффузии [5], которая в действительности сменяется линейной диффузией в объеме раствора. [47]

Внешний вид фотосопротивлений. [48]

В запорном слое р - п-перехода возникает, как было отмечено выше, диффузионное электрическое поле, направление которого видно из рис. 179, а. При освещении фотоэлемента энергия квантов ftv затрачивается на образование в верхнем полупроводниковом слое электронно-дырочных пар. Под воздействием диффузионного поля р - и-перехода дырки переходят в область р, а электроны остаются в области п, вследствие чего нижний электрод заряжается положительно, а верхний - отрицательно. Чувствительность селеновых фотоэлементов зависит от длины волны падающего света, находится в узкой видимой части спектра ( рис. 179, б) и доходит до 500 мка / лм. [49]

Внешний вид фотосопротивлений. [50]

В запорном слое р - п-перехода возникает, как было отмечено выше, диффузионное электрическое поле, направление которого видно из рис. 179, а. При освещении фотоэлемента энергия квантов uv затрачивается на образование в верхнем полупроводниковом слое электронно-дырочных пар. Под воздействием диффузионного поля р - я-перехода дырки переходят в область р, а электроны остаются в области п, вследствие чего нижний электрод заряжается положительно, а верхний - отрицательно. Чувствительность селеновых фотоэлементов зависит от длины волны падающего света, находится в узкой видимой части спектра ( рис. 179, б) и доходит до 500 мка / лм. [51]

Следует отметить, что уравнение ( 1 - 7) является точным для плоского и для идеальных сферического и цилиндрического электродов. На практике сферический электрод всегда соединен при помощи контакта с электрической цепью. Наличие контакта уменьшает диффузионное поле, что приводит к некоторым отклонениям результатов эксперимента от теоретических расчетов. [52]

Кривая распределения электронов по скоростям для металлов. [53]

ВРЕМЯ ПРОЛЕТА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ( тока) в полупроводниковом п р и б о р е, т ( transit time of charge carrier; temps de parcours des porteurs de charge; Ladungstragerlaufzeit), - время передачи сигнала от входа прибора к его выходу. Силы электрического или диффузионного поля придают хаотическому движению носителей нек-рую направленность. Однако н при этом в отдельные моменты времени отдельные носители могут двигаться в направлении, противоположном общему направлению движения. [54]

Впервые выражение для т ] 0 было дано Райтом [131], который предположил, что величина TIO пропорциональна площади поверхности частицы. Но это предположение справедливо только при гС /, где / - средняя длина свободного пробега малых ионов. Брикар [5] предположил наличие диффузионного поля для ионов вокруг частицы. Равновесное диффузионное поле устанавливается только через определенный период времени, но образование заряда больших ионов является единичным событием и всегда определяется исключительно первым ионом в этом процессе. [55]

Страницы: 1 2 3 4