Диффузионное поле

Cтраница 3

Методом диффузионного ( или отраженного) звукового поля измеряют шумы машин, звукоизоляцию ограждающих конструкций, звукопоглощение материалов, характеристики акустической аппаратуры по диффузионному полю. Микрофон располагают в нескольких точках области диффузионного поля и определяют среднее по объему значение уровня звукового давления в октав-ной или третьоктавной полосах частот. [31]

Модель симметричной сферической диффузии к сферическому электроду, / о - радиус электрода. [32]

Такой электрод с радиусом г представлен схематически на рис. 4.2. Этот электрод идеализирован; на практике он всегда соединен при помощи контакта с остальной электрической цепью. Любой контакт независимо от его величины уменьшает диффузионное поле, что должно приводить к некоторым отклонениям от эксперимента конечного результата наших рассуждений, в основу которых положена идеальная модель. [33]

Модели солнечных элементов каскадного типа на основе a - Si / a - SiGe. [34]

Частично это обусловлено тем, что фотоны длинноволновой части; спектра поглощаются в глубокой области и носители, генерируемые этими фотонами, должны пройти большое расстояние до того, как они достигнут перехода. Другой причиной является то, что область слабого диффузионного поля увеличивается в слое с более низкой энергией активации. Теоретические расчеты для солнечных элементов с одним переходом позволяют заключить: 1) напряжение холостого хода элемента достигает половины оптической ширины запрещенной зоны в / - слое, в котором энергия активации лежит в центре запрещенной зоны; 2) коэффициент заполнения ( КЗ) ВАХ при освещении солнечным светом АМ-1 равен приблизительно 0 7 для / - слоя, в котором энергия активации лежит близко к центру запрещенной зоны. [35]

Модели солнечных элементов каскадного типа на основе a - Si / a - SiGe. [36]

Частично это обусловлено тем, что фотоны длинноволновой части спектра поглощаются в глубокой области и носители, генерируемые этими фотонами, должны пройти большое расстояние до того, как они достигнут перехода. Другой причиной является то, что область слабого диффузионного поля увеличивается в слое с более низкой энергией активации. Теоретические расчеты для солнечных элементов с одним переходом позволяют заключить: 1) напряжение холостого хода элемента достигает половины оптической ширины запрещенной зоны в / - слое, в котором энергия активации лежит в центре запрещенной зоны; 2) коэффициент заполнения ( КЗ) ВАХ при освещении солнечным светом АМ-1 равен приблизительно 0 7 для / - слоя, в котором энергия активации лежит близко к центру запрещенной зоны. [37]

Хотя здесь рассматривались диффузионные поля в объеме раствора, надо отметить, что характерные размеры использованных при расчете величин, например 10 - 7 см для о Ю-5 см для Уо и 10 - 3 - 10 - 5 см для 6Кр, вообще говоря, довольно малы по сравнению с размерами обычно изучаемых кристаллов. Следовательно, эти характерные размеры довольно малы по сравнению с макроскопическими диффузионными полями вокруг кристаллов. Разумеется, в общем случае необходимо учитывать и макро -, и микроскопические диффузионные поля. [38]

Прак - 1 тически не было выявлено никакого различия в спектральных характерис - тиках элемента на основе a - Si: Н с n - i - p - переходом, имеющим / - слой тол - 1 щиной порядка 1400 А. Это обусловлено тем, что в таком тонком / - слое существует очень сильное диффузионное поле, которое может полностью собрать фотогенерируемые носители. В противоположность этому на спектральной характеристике элемента, имеющего / - слой a - Si0) s7Geo 43 Н толщиной 5800 А, при наложении белого освещения имеет место подъем в коротковолновой области. Вероятность собирания дырок, генерирующих коротковолновым светом вблизи границы раздела п - i, будет увеличиваться за счет избыточного поля, создаваемого избыточными электронами вблизи р-г-границы, обусловленными длинноволновой составляющей белого света. [39]

Практически не было выявлено никакого различия в спектральных характеристиках элемента на основе a - Si: Н с n - i - p - переходом, имеющим / - слой толщиной порядка 1400 А. Это обусловлено тем, что в таком тонком / - слое существует очень сильное диффузионное поле, которое может полностью собрать фотогенерируемые носители. В противоположность этому на спектральной характеристике элемента, имеющего / - слой a - Si0) 57Geo 43 Н толщиной 5800 А, при наложении белого освещения имеет место подъем в коротковолновой области. Вероятность собирания дырок, генерирующих коротковолновым светом вблизи границы раздела и - /, будет увеличиваться за счет избыточного поля, создаваемого избыточными электронами вблизи р-г-границы, обусловленными длинноволновой составляющей белого света. [40]

Обратим внимание на то, что распределение примесей в кристаллах также должно быть связано с симметрией диффузионного поля. [41]

Вольт-амперная характеристика и энергетические диаграммы туннельного диода при. [42]

Когда напряжение на диоде равно нулю ( рис. 1.64 а), свободные носители проходят p - n - переход вследствие квантово-механиче-ского туннельного эффекта. Электрон, входя в p - n - переход из д-об-ласти, замедляет свою скорость под влиянием действующей напряженности внутреннего диффузионного поля. Отразившись от потенциального барьера перехода, электрон возвращается в п-об-ласть. Однако имеется вероятность того, что он попадет на свобод - ный уровень с такой же энергией в акцепторной примесной зоне р-области. В этом и заключается туннельный эффект. [43]

Когда напряжение на диоде равно нулю ( рис. 4.27, а), свободные носители проходят область р-л-перехода вследствие квантово-механического туннельного эффекта. Так, электрон, входя в р-я-переход из области л, замедляет свою скорость под влиянием действующей на него напряженности внутреннего диффузионного поля. Отразившись от потенциального барьера перехода, электрон возвращается в я-область. Однако имеется вероятность того, что он попадет на свободный уровень с такой же энергией в акцепторной примесной зоне р-области. В этом и заключается туннельный эффект. Благодаря волновым свойствам электроны могут проникать сквозь барьеры, которые для классических частиц являются непроницаемыми. При малой толщине потенциального барьера этот ток может достигать порядка 107 аш3 несмотря на малую вероятность туннельного перехода отдельного электрона. Некоторые электроны валентной зоны р-области за счет туннельного эффекта также могут проникать в зону проводимости - области на незанятые энергетические уровни. [44]

Подобную форму циклической кривой мы получаем, если продукт восстановления растворим в растворе. Если в первичном цикле ионы металла восстанавливаются до свободного металла на висящем капельном ртутном электроде, то при хорошей растворимости этого металла в ртути диффузионное поле для восстановленного металла невелико и его концентрация в капле увеличивается по сравнению с концентрацией в растворе. В таком случае в анодном цикле наблюдают значительно больший пик тока, чем пик катодного тока. [45]

Страницы: 1 2 3 4