Коэрцитивное поле

Cтраница 1

Коэрцитивное поле сложным образом зависит от качества обработки кристалла, типа электродов и толщины переполяризуемого образца. Эта зависимость обусловлена наличием различного рода поверхностных слоев на кристалле, влияющих на зарождение и рост новых доменов. [1]

Коэрцитивное поле сегнетоэлектрика зависит от температуры. Общая особенность этой зависимости состоит в том, что при понижении температуры от точки Кюри коэрцитивное поле растет за счет уменьшения подвижности доменов. [2]

Поскольку коэрцитивное поле сегнетоэлектриков понижается с ростом температуры, домены в нагретом состоянии ориентируются и после охлаждения керамики образуют текстуру, сохраняющуюся в течение многих лет. [3]

Частичная компенсация коэрцитивного поля позволяет сделать практический вывод о возможности управления домено-образованием с помощью малых внешних электрических полей в период существования сильного внутреннего поля. [4]

Для прикладных целей небольшое коэрцитивное поле является положительным фактором. [5]

Пренебрегая в (7.16) коэрцитивным полем Нс и полагая ЬН0 0.1 ( 4тгМ0), получаем следующее выражение для быстродействия устройства vv / ( 3da) ( в бит / сек. [6]

Термооптическая запись информации в пленке Со ( Р. а - зависимость коэрцитивного поля от температуры. б - схема записи. [7]

Термооптическая запись с изменением коэрцитивного поля осуществляется в тонких магнитных пленках металлов и сплавов переходных элементов. [8]

Формула (142.15) дает зависимость коэрцитивного поля от температуры. Знак минус соответствует точке D. Очевидно, при 70 коэрцитивное поле исчезает одновременно с остаточной поляризацией. [9]

Поле Ed в значительной степени компенсирует коэрцитивное поле. [10]

Однако легкость перемены полярных осей зависит от коэрцитивного поля, которое в свою очередь меняется с температурой. Поэтому при благоприятных условиях могут быть получены симметричные картины пробоя. [11]

Высокие значения напряженности поля насыщения, а также коэрцитивного поля затрудняют использование объемных образцов из этого материала. Для снижения напряжений управления и переполяризации варнконды из материала ВК-6 изготовляются в виде тонких пленок площадью от 1 до 100 мм2 и толщиной от 200 до 5 - 10 мкм. Кюри, но изменяется форма петли гистерезиса. [12]

При термомагнитной записи в пленках ферритов-гранатов используется сильная температурная зависимость коэрцитивного поля вблизи точки компенсации. В качестве материала для записи удобно использовать феррит-гранат гадолиния Gd3Fe5012, который имеет точку компенсации при 14 С. [13]

Вт / см2) или акустических пучков в кристаллах с малым коэрцитивным полем, например, в титан ате бария. Подобным образом в кристаллах с сильным пьезоэффектом пьезоэлектрическое поле может стимулировать возникновение дополнительного количества доменов, пространственная плотность которых будет пропорциональна интенсивности волны. [14]

Петля ги. [15]

Страницы: 1 2 3 4