Коэрцитивное поле

Cтраница 2

Электроуправление процессами стирания и фиксации голограмм возможно в кристаллах, обладающих достаточно низкими значениями коэрцитивного поля. Поиск новых сегнетоэлектриков с меньшими значениями управляющих напряжений необходим для практической реализации процессов электроуправления в различных системах голографических ЗУ. [16]

Петли диэлектрического гистерезиса. а - монодоменного образца. б. [17]

Таким образом, чтобы получить монодоменный образец сегнето-электрика, необходимо приложить внешнее электрическое поле, превышающее по величине коэрцитивное поле. Наличие сегнетоэлектри-чества в диэлектрике определяется по наличию петли гистерезиса. По петлям гистерезиса определяют величину спонтанной поляризации. [18]

С могут достигать значений 200 - 300 В / см, что вполне достаточно для переполяризации се-гнетоэлектриков даже с большим коэрцитивным полем. Глубина созданных такими способами инвертированных доменов может достигать 500 мкм. Подобная модель справедлива и для других оксидных сегнето-электриков. [19]

Наметим далее, что па рис. 36 величина поляризации, характеризуемая отрезком OD, называется остаточной поляризацией, а поле OF - коэрцитивным полем. [20]

Схема ЗУ из четырех фер. [21]

В настоящее время созданы термостабильные ферриты с высокой прямоугольностью петли гистерезиса Вг / Вт 0.95, большой индукцией насыщения Bmzn2QQQ гс, малым коэрцитивным полем Нс 1э, малым временем переключения 0.5 мксек. В качестве материала для ферритовых сердечников используются главным образом магний-марганцевые ферриты, хотя перспективны для использования и некоторые другие ферриты, например на основе лития. [22]

Для варикондов созданы материалы - аналоги магнитномягких и магнит-ножестких ферроэлектриков, названные сегнетомягкими и сегнетотвердыми и характеризующиеся как малыми, так и большими значениями напряженности коэрцитивного поля и диэлектрических потерь, разной формой петли диэлектрического гистерезиса, разными значениями спонтанной, полной и индуцированной поляризации. Особую группу составляют вариконды из материала ВК-6 с высокой лрямоугольностью петли диэлектрического гистерезиса. [23]

При снижении температуры от 100 до - 100 С мало меняется форма петли гистерезиса, снятой в сильном поле, немного снижаются полная и остаточная поляризация, монотонно возрастает коэрцитивное поле, коэффициенты прямо-угольности и нелинейности сохраняют высокое значение во всем исследуемом интервале температур. [24]

Первые ПДС были получены в кристаллах титаната бария [89], которые облучались двумя интерферирующими лазерными пучками ( с длиной волны А 488 нм) с одновременным приложением поля с напряженностью ниже коэрцитивного поля. В результате была создана ПДС с размерами доменов порядка 20 - 25 мкм, соответствующими периоду интерференционной оптической структуры. [25]

В другом случае, когда зародыши обратной намагниченности образуются относительно легко и определяющими для перемагни-чения образца являются процессы движения доменных границ, остаточная намагниченность получается меньшей по величине, а форма петли гистерезиса - более далекой от прямоугольной. Коэрцитивное поле в таком случае определяется полем, необходимым для достаточно большого смещения доменных границ. [26]

Приложение постоянного электрического поля также повышает чувствительность к записи. Особенно это сильно проявляется в материалах с небольшими коэрцитивными полями, примером которых могут служить кристаллы Bao. [27]

Спонтанная поляризация Р была измерена путем интегрирования пироэлектрических токов, а также из петель диэлектрического гистерезиса. Ниже 150 С петли гистерезиса не наблюдаются вследствие высокого коэрцитивного поля этого кристалла. Скорректированная по результатам обоих методов величина Ps при комнатной температуре составляет 0 22 0 01 Кл / м2, что меньше величины, рассчитанной из соотношения Абра-гамса ( гл. [28]

На рисунке по горизонтальной оси отложена напряженность постоянного магнитного поля, которая изменяет знак симметрично относительно начала координат, что физически отвечает изменению направления вектора поля на обратное. Вблизи начала координат, где - Не H0 Не ( Не - коэрцитивное поле), формулы (6.5.5) и (6.5.6) применять нельзя, так как они соответствуют насыщенному ферриту, а при малых значениях Н0 феррит не насыщен. [29]

Коэрцитивное поле сегнетоэлектрика зависит от температуры. Общая особенность этой зависимости состоит в том, что при понижении температуры от точки Кюри коэрцитивное поле растет за счет уменьшения подвижности доменов. [30]

Страницы: 1 2 3 4